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用于碳化硅MOSFET的基板嵌入式电力电子封装
Substrate Embedded Power Electronics Packaging for Silicon Carbide mosfets
| 作者 | Ameer Janabi · Luke Shillaber · Wucheng Ying · Wei Mu · Borong Hu · Yunlei Jiang · Nikolaos Iosifidis · Li Ran · Teng Long |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 电力电子封装 碳化硅 MOSFET AMB基板 柔性PCB 热导率 杂散电感 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种用于分立芯片的新型电力电子封装方案——标准单元。该方案由阶梯蚀刻活性金属钎焊（AMB）基板和柔性印刷电路板（flex-PCB）组成。该标准单元具有高导热性、完全电气绝缘和低杂散电感等优势，有效提升了SiC MOSFET器件的整体性能。
English Abstract
This article proposes a new power electronic packaging for discrete dies, namely, a standard cell, which consists of a step-etched active metal brazing (AMB) substrate and a flexible printed circuit board (flex-PCB). The standard cell exhibits high thermal conductivity, complete electrical insulation, and low stray inductance, thereby enhancing the performance of SiC mosfet devices. The standard c...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有显著的赋能作用。SiC MOSFET是提升组串式光伏逆变器功率密度和效率的关键，而封装技术直接决定了器件在高频开关下的散热能力与杂散电感表现。采用AMB基板和柔性PCB的嵌入式封装方案，可显著降低寄生参数，减少开关损耗，这对阳光电源的PowerTitan储能系统及新一代高功率密度组串式逆变器至关重要。建议研发团队关注该封装工艺在高温、高压工况下的长期可靠性，并评估其在下一代高频化电力电子产品中的集成可行性。