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储能系统技术 储能系统 IGBT ★ 5.0

键合线退化对分立式IGBT功率循环过程中释放的开关应力波影响的研究

Investigation of the Effect of Bonding Wires Degradation on Switching Stress Waves Released During Power Cycling in Discrete IGBT

Xuefeng Geng · Yunze He · Longhai Tang · Shan Chang 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年1月

有效的状态监测技术对确保绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的安全运行至关重要。现有方法多集中于电、热、磁参数的提取。近期研究表明,IGBT在开关瞬间可释放可被声发射(AE)传感器检测到的开关应力波(SSW)。然而,利用SSW监测IGBT健康状态仍具挑战性。本文构建了功率循环与SSW测试平台,研究分立式IGBT在功率循环中键合线退化对SSW的影响。结果表明,随着键合线退化,SSW的时域能量指标和频域重心频率均发生显著变化,揭示了基于AE的IGBT内部键合线状态监测的可行性。

解读: 该IGBT键合线退化声发射监测技术对阳光电源核心产品具有重要应用价值。在ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统中,IGBT功率模块是关键失效部件,传统电热参数监测难以实现早期故障预警。该研究提出的开关应力波(SSW)监测方法可集成至阳光电源iSolarCloud智能运维平台,通过AE传...

电动汽车驱动 储能系统 SiC器件 IGBT ★ 4.0

基于单相IGBT开路故障下二极管导通残流统一模型的三相SPMSM容错后无传感器控制

Postfault Sensorless Control of Three-Phase SPMSM Based on Unified Model of Diode-Through Residual Current Under Single-Phase IGBT Open-Circuit Fault

Zeliang Zhang · Guangzhao Luo · Xinyu Li · Yuxuan Du 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年3月

针对经典三相半桥电机驱动在开路故障下的无传感器控制难题,提出一种利用IGBT开路相中反电动势与二极管导通残流相关性的方法。首先建立残流模型,并设计适用于不同转速的统一采样策略。基于该统一模型构建相位反电动势观测器,实现故障后转子速度与位置的精确估计。实验验证表明,该方法在稳态下估计误差为0.3 rad,加减速过程中为0.5 rad,具有良好的动态与稳态性能。

解读: 该IGBT开路故障下的无传感器容错控制技术对阳光电源电动汽车驱动产品线具有重要应用价值。研究提出的二极管导通残流统一模型可直接应用于车载OBC充电机和电机驱动系统,通过反电动势观测器实现故障后的位置估计,避免增加冗余传感器成本。该方法在稳态0.3rad、动态0.5rad的估计精度可保障ST系列储能变...

电动汽车驱动 IGBT 故障诊断 ★ 5.0

基于 horizon-自适应周期校正的电机驱动电压源逆变器开路故障诊断方法

An Open-Circuit Fault Diagnosis Method Based on Horizon-Adaptive Period Correction for Voltage Source Inverter in Motor Drive

Naizhe Diao · Xiaoqing Zhang · Yingwei Zhang · Xiaoqiang Guo 等5人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年9月

本文针对电压源逆变器(VSI)提出了一种基于水平自适应周期校正(HaPC)的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)开路(OC)故障诊断方法,该方法能够在频率变化条件下实现任意 IGBT 开路故障的诊断与定位。首先,提出了水平自适应周期提取(HaPE)方法,用于在频率变化时准确获取电流信号的周期。HaPE 将信号从时域转换到相位域,以间接获取电流信号的周期,同时使每个周期内的采样点数相同。其次,提出了基于虚拟时域周期校正(VTDPC)的多维特征提取方法,该方法能够实现不同周期特征的一致性,从而大幅减少训练...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于水平自适应周期校正的IGBT开路故障诊断技术具有重要的工程应用价值。作为核心功率器件,IGBT的可靠性直接影响光伏逆变器和储能变流器的系统稳定性,而开路故障是最常见的失效模式之一。 该技术的核心创新在于解决了变频工况下的故障诊断难题。传统方法在电网频率波动或MPP...

储能系统技术 储能系统 IGBT 功率模块 ★ 5.0

基于关断栅极电压下冲与过冲的多芯片IGBT功率模块芯片失效程度评估方法

Die Failure Degree Evaluation Method in Multidie IGBT Power Modules Based on Turn-Off Gate Voltage Undershoot and Overshoot

Mingchao Zhou · Lei Wang · Lijun Diao · Yanbei Sha 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年12月

大功率变换器常采用并联多芯片绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块。本文提出以关断过程中栅极-辅助发射极电压的下冲($V_{\text{ge}'\_\text{us}}$)和过冲($V_{\text{ge}'\_\text{os}}$)作为两个新型芯片失效敏感参数,用于评估因键合线脱落导致的芯片开路失效程度。分析表明,芯片失效会显著降低上述参数,且不受工况影响。通过双脉冲实验验证,随着失效芯片数量增加,所提参数单调下降,灵敏度高且对运行条件不敏感。进一步提出基于脉冲计数的评估电路与方法,仅需脉冲模式...

解读: 该IGBT芯片失效评估技术对阳光电源功率变换产品具有重要应用价值。ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器均采用大功率多芯片IGBT模块,所提出的基于栅极电压下冲/过冲的失效检测方法,可集成至现有驱动电路实现在线监测,无需高精度ADC即可通过脉冲计数识别键合线脱落故障。该技术对工况不敏感的特性尤其适合...

功率器件技术 IGBT 地面光伏电站 ★ 5.0

直流输电用晶闸管大气中子辐照效应综述

Atmospheric Neutron Irradiation Effects on Thyristors for HVDC Transmission: A Review

丁卫东 · 李强 · 殷子强 · 路敬宇 等7人 · 高电压技术 · 2025年5月 · Vol.51

大气中子由宇宙射线与大气相互作用产生,可导致地面电子系统及电力电子设备发生故障。尽管国内外对IGBT和MOSFET的大气中子辐照效应已有广泛研究,但针对晶闸管的相关研究仍较匮乏。在我国大力发展特高压直流输电的背景下,亟需加强晶闸管抗大气中子辐照的研究。本文综述了晶闸管大气中子辐照效应的研究现状,介绍了大气中子基本特性、试验方法与数据处理技术,总结了现有试验结果及对高压器件单粒子烧毁机理的认识,探讨了防护策略与屏蔽材料进展,并指出了未来研究的关键问题。

解读: 该研究对阳光电源高压大功率产品的可靠性设计具有重要参考价值。特别是在SG系列集中式逆变器和ST系列储能变流器中使用的高压IGBT/晶闸管模块,需要考虑大气中子辐照效应的影响。研究成果可指导我司:1)在高海拔地区光伏电站的产品设计时优化器件选型和防护措施;2)完善PowerTitan等大型储能系统的可...

功率器件技术 IGBT ★ 4.0

柔性直流换流阀功率器件大气中子辐照效应研究

Study on Atmospheric Neutron Irradiation Effects in Power Devices of Flexible DC Converter Valves

蔡希鹏 · 杨柳 · 周月宾 · 饶宏 等10人 · 中国电机工程学报 · 2025年9月 · Vol.45

柔性直流输电技术是大规模新能源外送的重要载体。我国高海拔地区新能源基地宇宙射线大气中子通量大,严重威胁电压源换流器高压直流(VSC-HVDC)功率器件的可靠运行。目前高海拔应用案例及中子辐照失效率数据缺乏,影响规律不明。本文针对4.5 kV等级主流功率器件,提出IGBT与旁路转折晶闸管的大气中子辐照等效加速试验方法,开展实验并分析工作电压、温度及中子通量对失效率的影响,获取高海拔下器件的中子辐照失效率,为高海拔VSC-HVDC系统安全设计提供依据。

解读: 该研究对阳光电源高海拔应用的功率器件可靠性设计具有重要指导意义。研究成果可直接应用于SG系列高海拔光伏逆变器和ST系列储能变流器的IGBT选型与防护设计,特别是在西藏、青海等高海拔新能源基地的产品应用中。通过掌握中子辐照对IGBT失效率的影响规律,可优化产品的过压保护设计,提升功率模块可靠性,降低高...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 IGBT ★ 5.0

基于多热流路径热网络模型的压接型IGBT在线结温估计方法

Online Junction Temperature Estimation Method of Press-pack IGBTs

Liuyu Tu · Lin Liang · Ziyang Zhang · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年9月

针对柔性直流换流阀可靠性评估中压接型IGBT(PP IGBT)在线结温估计的重要性,以及传统热网络模型因双向传热特性难以估计PP IGBT结温的问题,提出基于多热流路径热网络模型的在线结温估计方法。基于瞬态双界面法(TDIM)测量双面结壳热阻。通过分析双面热阻物理意义,基于两侧热流比推导单面热阻。考虑水冷系统热阻建立三个水冷散热器夹两个IGBT模块的热网络模型。分析PP IGBT模块双向传热特性和热耦合效应提出结温估计方法。半桥逆变器实验验证了在线结温估计方法的可行性和精度,绝对误差在2.1°C...

解读: 该压接型IGBT在线结温估计技术对阳光电源高压大功率变流器可靠性管理有重要应用价值。多热流路径热网络模型可应用于ST储能变流器和柔性直流产品的IGBT热管理,提高结温估计精度。双向传热特性和热耦合效应分析对阳光电源功率模块设计和寿命预测有指导意义。2.1°C绝对误差的高精度估计对PowerTitan...

储能系统技术 储能系统 IGBT 工商业光伏 ★ 5.0

使用IGBT有源区的无电阻直流母线主动放电和动态制动方案分析与设计

Resistor-Less DC-Bus Active Discharge and Dynamic Braking Scheme Using IGBTs

Mustafa Murat Sezer · Akshay Vijayrao Deshmukh · Ahmet M. Hava · Bilal Akin · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年9月

在关机、紧急工况和动态制动期间,工业系统直流母线电容完全放电或直流母线电压钳位通常使用功率电阻和额外开关管理。传统方法增加系统成本、尺寸和复杂度。提出小型低成本无电阻方法用于低功率工业系统两个功能:(a)主动放电和(b)动态制动。该技术在低栅射电压(VGE)下使IGBT工作于有源区,在放电路径产生高阻抗限制电流。主动放电采用脉冲频率调制(PFM)恒功率策略,每个脉冲导通时间(ton)固定,脉冲频率上升加速能量耗散。该方法实现600V直流母线1秒内完全放电,完全由单个IGBT处理。在三个不同IGB...

解读: 该无电阻IGBT主动放电和动态制动技术对阳光电源逆变器和变换器产品有重要优化价值。IGBT有源区运行方案可应用于ST储能变流器和SG光伏逆变器的直流母线放电电路,消除泄放电阻并降低成本50%。PFM恒功率放电策略对阳光电源产品的安全关机和紧急放电有实用价值。20万次循环无退化可靠性对工商业储能系统的...

电动汽车驱动 SiC器件 IGBT ★ 5.0

基于准方波调制的中压级固态变压器公共直流母线电压闭环控制

Closed-Loop Control of Common DC-Link Voltage of Solid-State Transformer from Medium Voltage Stage Using Quasi-Square-Wave Modulation

Shekhar Bhawal · Himanshu Patel · Kamalesh Hatua · Subhashish Bhattacharya · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年4月

提出一种用于两级式固态变压器(SST)的闭环控制架构与准方波调制方法,通过反馈公共直流母线电压实现闭环调节,无需DC-DC级串联谐振变换器的频率控制。该控制可从低压侧实现,降低隔离要求。输入串联输出并联模块化结构结合谐振运行特性,自然平衡各AC-DC单元的直流链电压。AC-DC级主要采用Si-IGBT,仅电压源变换器(VSC)使用SiC-MOSFET,降低器件成本。调制策略利用自然均压条件,使IGBT单元在工频开关,减小损耗;VSC以40 kHz高频切换,等效高开关频率,支持低频谐波抑制与瞬态功...

解读: 该准方波调制的SST闭环控制技术对阳光电源储能与充电产品线具有重要应用价值。其输入串联输出并联的模块化架构与ST系列储能变流器的中高压直挂方案高度契合,可简化隔离设计降低成本。Si-IGBT与SiC-MOSFET混合应用策略为PowerTitan大型储能系统的功率模块设计提供优化思路:工频级采用低成...

电动汽车驱动 ★ 4.0

低损耗MOS可控存储载流子二极管

Low-Loss MOS-Controllable Stored-Carrier Diode

Hiroshi Suzuki · Tomoyuki Miyoshi · Takashi Hirao · Yusuke Takada 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月

我们先前提出了一种金属氧化物半导体可控存储载流子二极管(MOSD),以突破传统 p - n 二极管在导通损耗和开关损耗之间的折衷问题。这种 MOSD 的结构是在阳极区域添加一个 n 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),用于动态控制存储载流子密度。本研究的仿真结果表明,由于深 p⁻ 层完全覆盖 MOS 栅极,与 MOSFET 中的栅控体二极管相比,我们的 MOSD 的开关损耗能够充分降低。窄单元宽度和电子阻挡层(EBL)分别是我们 MOSD 的特性,它们也分别增强了开关损耗和正向电压...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项MOS可控储载二极管(MOSD)技术对我们在光伏逆变器和储能变流器领域具有重要的战略价值。该技术通过在阳极区集成n沟道MOSFET来动态控制载流子密度,成功突破了传统p-n二极管导通损耗与开关损耗之间的固有矛盾,这正是我们高功率密度产品设计中长期面临的核心瓶颈。 从技...

电动汽车驱动 PWM控制 SiC器件 IGBT ★ 5.0

多电平逆变器在恶劣矿山环境中运行的IGBT模块可靠性分析

Reliability Analysis of IGBT Modules of Multilevel Inverters Operating in Hostile Mining Environments

Caio Eduardo Silva · Gabriela Lígia Reis · André Mendonça Alzamora · Hélder de Paula · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年2月

脉宽调制电压源逆变器(PWM-VSI)广泛应用于 adjustable speed drives(ASD)中以控制感应电机。在重工业应用中,ASD与电机之间的长电缆会引发高频问题。一种创新方案是将逆变桥和直流母线电容移至电机侧,利用长电缆作为直流输电线路以缓解该问题。然而,逆变器在恶劣环境下的可靠性面临新挑战。本文基于失效物理(PoF)与可靠性设计方法,针对IGBT模块开展可靠性分析,优化设计并降低成本。结果表明,采用两种PWM策略及400 A–6.5 kV IGBT的三电平有源中点钳位(3L-...

解读: 该IGBT模块可靠性分析技术对阳光电源多条产品线具有重要价值。针对恶劣环境的PoF可靠性设计方法可直接应用于ST储能变流器和SG光伏逆变器的功率模块优化,特别是沙漠、高原等极端工况下的PowerTitan储能系统。三电平ANPC拓扑与PWM策略优化可提升1500V光伏系统和大功率储能PCS的效率与寿...

风电变流技术 IGBT 多电平 ★ 5.0

基于混合逆变器的开绕组永磁同步电机驱动高精度调制策略

High-Precision Modulation Strategy for Hybrid-Inverters-Based OW-PMSM Drives

Donghui Ma · Xueqing Wang · Dianxun Xiao · Xinyu Yan 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年9月

本文研究了由两个具有不等直流母线电压的独立直流电源供电的开绕组永磁同步电机(OW-PMSM)驱动系统的高精度调制技术。为兼顾性能与成本,高压侧逆变器(INV1)采用IGBT作为开关器件,低压侧逆变器(INV2)则采用低成本MOSFET。针对2:1和3:1电压比,提出了一种双逆变器矢量平面二次划分并依据特定子扇区分配参考电压矢量的高精度调制策略。INV1采用钳位调制,INV2采用高频调制,充分利用IGBT的高耐压特性与MOSFET的高开关频率优势,实现多电平与高精度输出。实验验证了所提驱动系统及调...

解读: 该混合逆变器高精度调制策略对阳光电源新能源汽车和储能产品线具有重要参考价值。文中IGBT与MOSFET混合使用的方案,可优化应用于车载OBC充电机和ST系列储能变流器,通过高低压侧器件合理搭配实现性能与成本的平衡。特别是其2:1和3:1电压比下的矢量分配方法,可用于优化PowerTitan储能系统的...

电动汽车驱动 功率模块 多物理场耦合 ★ 4.0

热界面材料对半导体功率模块中器件热耦合影响的研究

Impact of Thermal Interface Materials on the Device Thermal Coupling in Semiconductor Power Modules

Xiang Li · Guiqin Chang · Matthew Packwood · Qiang Xiao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月

本文研究了不同热界面材料(TIMs)对半导体功率模块内部器件间热耦合的影响。具体而言,针对配备续流快速恢复二极管(FRDs)的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块,采用两种热界面材料,即导热硅脂和石墨片进行研究。首先对功率模块内部芯片间的热耦合进行了理论分析,随后给出了数值模拟和实验测试结果。结果之间的一致性验证了热界面材料的热导率越低,芯片间的热耦合越强。由于自热热阻和耦合热阻均取决于热界面材料的热导率,因此对二者在总热阻中的贡献比例变化进行了量化。此外,还表征了热界面材料对IGBT芯片和F...

解读: 作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商,阳光电源的核心产品高度依赖IGBT功率模块的热管理性能。该论文针对导热界面材料(TIM)对功率半导体器件热耦合影响的研究,对我司产品可靠性提升具有重要参考价值。 在大功率光伏逆变器和储能变流器中,IGBT与续流二极管(FRD)的热耦合效应直接影响系统的功率...

电动汽车驱动 SiC器件 多物理场耦合 ★ 5.0

通过硅与碳化硅器件的电感解耦提升混合逆变器性能

Enhancing Hybrid Inverter Performance Through Inductive Decoupling of Silicon and Silicon Carbide Devices

Michael Walter · Mark-M. Bakran · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年1月

本研究的核心目标是提高一款设计用于在 400 V 直流母线电压下运行的牵引混合开关逆变器的效率。这一目标通过将分立的 650 V 硅绝缘栅双极型晶体管(Si - IGBT)和续流二极管与 650 V 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC - MOSFET)进行并联组合来实现。本研究提出了一种创新方法,即引入额外的电感,将 SiC - MOSFET 半桥与 IGBT/硅二极管半桥解耦。这种解耦方法有效降低了有源 SiC - MOSFET 的开通损耗和无源硅二极管的关断损耗,与非解耦配置相比,...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于电感解耦的硅基IGBT与碳化硅MOSFET混合逆变器技术具有重要的应用价值和战略意义。 该技术通过在SiC-MOSFET半桥与IGBT/Si二极管半桥之间引入解耦电感,有效降低了SiC-MOSFET的开通损耗和硅二极管的关断损耗,这与我们在光伏逆变器和储能变流器产...

储能系统技术 储能系统 IGBT 可靠性分析 ★ 4.0

IGBT及其互连结构温度分布下Vce-Tj关系的校准与测量

Calibration and Measurement of Vce-Tj Correlation With Temperature Distribution of IGBT and Interconnections

Guanyu Lu · Ke Ma · Yuli Feng · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月

对功率半导体器件绝缘栅双极型晶体管进行在线结温($T_j$)估计对于可靠性评估和提升至关重要。通常情况下,可以利用预先校准的结温与负载电流下的导通态集电极 - 发射极电压($V_{ce}$)之间的相关性来在线计算$T_j$。然而,校准过程中器件内部的不均匀温度分布与运行过程中的情况不同。器件内部的不均匀热分布和芯片的自热效应会导致使用预先校准的$T_j$ - $V_{ce}$相关性进行估计时出现显著误差,因为互连线上的电压降会有所不同。本文提出了一种在器件脉冲宽度调制运行下校准$T_j$ - $...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项IGBT结温在线监测技术具有重要的战略价值。IGBT作为光伏逆变器和储能变流器的核心功率器件,其可靠性直接影响系统的整体性能和寿命。当前阳光电源的逆变器产品在高温、高湿等严苛环境下运行时,IGBT的热管理是制约系统可靠性的关键因素之一。 该论文提出的创新校准方法解决了...

功率器件技术 功率模块 有限元仿真 可靠性分析 ★ 4.0

基于相场模型与有限元分析集成的功率模块键合线电-热-力退化及裂纹扩展研究

Investigation of Electro-Thermo-Mechanical Degradation and Crack Propagation of Wire Bonds in Power Modules Using Integrated Phase Field Modeling and Finite Element Analysis

Han Jiang · Shuibao Liang · Yaohua Xu · Saranarayanan Ramachandran · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月

引线键合的界面疲劳退化和裂纹形成是功率模块封装中影响电力电子可靠性的严重问题之一。本文提出了一种基于相场建模与有限元分析相结合的新方法,用于研究绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块中引线键合互连的电热机械行为、界面退化和裂纹扩展过程。将宏观尺度电热机械分析得到的应变能密度传递到细观尺度相场建模中,以研究考虑引线晶粒形态影响下的界面疲劳和裂纹扩展。研究了典型采用铝引线键合的IGBT功率模块在功率循环下的温度和应力分布特性。分析了引线与芯片之间热应变在互连界面处引起的应力集中。裂纹长度随循环次数的...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于功率模块线键合界面退化与裂纹扩展的研究具有重要的工程应用价值。作为光伏逆变器和储能变流器的核心部件,IGBT功率模块的可靠性直接影响系统的长期稳定运行。当前我们的产品在户外极端环境下面临频繁的功率循环和温度波动,线键合界面的疲劳失效是导致模块失效的主要模式之一,这直...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 IGBT ★ 4.0

一种用于硅/碳化硅混合开关的主动串扰抑制门极驱动电路

An Active Crosstalk Suppression Gate Driver Circuit for Si/SiC Hybrid Switch

作者未知 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年1月

由并联的硅(Si)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)组成的混合开关(HyS),近年来因其高效率和低成本而受到越来越多的关注。然而,由于器件特性的独特表现和差异,HyS 在运行过程中产生的串扰会显著降低系统可靠性。为解决串扰问题,本文分析了 HyS 中的串扰效应,并建立了 HyS 的串扰模型。设计了一种栅极驱动电路来抑制 HyS 中的串扰,并详细阐述了其工作原理。该驱动电路简化了硬件设计,同时有效解决了 HyS 中的串扰问题。L...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项Si/SiC混合开关的有源串扰抑制技术具有重要的战略价值。当前光伏逆变器和储能变流器正面临效率提升与成本控制的双重压力,纯SiC方案虽然性能优异但成本居高不下,而Si IGBT与SiC MOSFET并联的混合开关方案恰好提供了一条兼顾性能与经济性的技术路径。 该论文针...

风电变流技术 可靠性分析 ★ 5.0

风力发电机功率变换器可靠性的趋势与影响因素:深入分析

Trends and Influencing Factors in Power-Converter Reliability of Wind Turbines: A Deepened Analysis

Fraser Anderson · Karoline Pelka · Julia Walgern · Timo Lichtenstein 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

基于涵盖五大洲陆上和海上风力发电机组超22000运行年的综合实地数据,我们给出了变流器系统主要部件的故障率,研究了其故障行为趋势,并确定了对变流器可靠性有显著影响的设计相关因素和特定场地因素。所有变流器部件均呈现出明显的早期故障行为,随后直接过渡到退化故障。若干设计因素被确定为影响可靠性的重要驱动因素,即变流器的冷却方案、其在风力发电机组内的位置、额定容量以及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块制造商。此外,还识别并量化了变流器对平均绝对环境湿度、平均环境温度、安装高度和平均容量系数等环境影响因素...

解读: 本研究基于22000多台年的全球风电变流器现场运行数据,揭示的可靠性规律对阳光电源的电力电子产品线具有重要借鉴价值。研究发现的"早期失效-退化失效"双峰特征,与我司光伏逆变器和储能变流器的失效模式高度一致,这为优化产品全生命周期管理提供了数据支撑。 从技术迁移角度看,研究识别的四大设计关键因素——...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 IGBT ★ 5.0

一种基于集成高频传感器的电压源逆变器快速鲁棒开路故障检测方法

A Fast and Robust Open-Circuit Fault Detection Method for Voltage-Source-Inverter With Integrated High-Frequency Sensor

Junhao Zhang · Hao Li · Dawei Xiang · Xing Lei · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年9月

高效的故障检测对电压源逆变器(VSI)的安全与可靠性至关重要,尤其在动态工况下实现开路故障(OCF)的快速鲁棒检测。本文提出一种新颖的OCF检测方法,通过在传统霍尔电流传感器中嵌入高频(HF)传感单元,捕获功率器件开关动作引发的高频振荡电流。分析了开关动作与高频振荡事件之间的因果关系,设计了集成化高频电流传感器,无需门极信号即可通过开关振荡信号完整性实现故障检测。在IGBT与碳化硅(SiC)MOSFET平台上的实验验证表明,该方法可在1–2个开关周期内完成OCF的检测与定位,且在动态工况下具备强...

解读: 该集成高频传感器的OCF快速检测技术对阳光电源ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器具有重要应用价值。当前阳光电源大量采用SiC MOSFET和IGBT功率器件,该方法通过嵌入式高频传感单元在1-2个开关周期内实现故障检测与定位,相比传统门极信号监测方案具有非侵入性优势,可直接集成到现有霍尔电流传感...

电动汽车驱动 宽禁带半导体 GaN器件 IGBT ★ 5.0

基于可变开关频率控制提升GaN牵引逆变器在电动汽车应用中的效率与功率密度

Variable Switching Frequency Control for Efficiency and Power Density Improvement of a GaN-based Traction Inverter for EV Applications

Philip Korta · Animesh Kundu · Lakshmi Varaha Iyer · Narayan C. Kar · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年6月

宽禁带半导体器件在电动汽车牵引逆变器中因具备更高的能效和功率密度而受到广泛关注。本文研究利用氮化镓(GaN)器件的快速开关特性,进一步提升牵引逆变器的效率与功率密度。建立了GaN逆变器的电热耦合模型,并通过实验验证了其精度,在多数工况下效率误差不超过0.3%或损耗偏差小于100 W。提出一种考虑直流母线电压纹波限制的新型可变开关频率策略,相较固定开关频率方案最高可提升效率5%。结合GaN的高速开关能力,该方法使电容体积减小35.7%,同时提高了驾驶循环效率和逆变器功率密度。

解读: 该GaN可变开关频率控制技术对阳光电源新能源汽车产品线具有重要应用价值。文中提出的电热耦合建模方法和考虑母线纹波约束的变频策略,可直接应用于阳光电源车载OBC充电机和电机驱动系统的优化设计。通过动态调整开关频率,在轻载工况降频减少开关损耗,重载时提频保证性能,可使驱动系统效率提升最高5%,同时电容体...

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