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高速缓冲层IGBT电感开关特性建模
Modeling Inductive Switching Characteristics of High-Speed Buffer Layer IGBT
| 作者 | Peng Xue · Guicui Fu · Dong Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGBT 缓冲层 感性开关 紧凑模型 双极扩散方程 电力电子 半导体器件建模 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于物理的高速缓冲层IGBT紧凑模型。该模型利用MATLAB/Simulink中基于一维傅里叶变换的双极性扩散方程（ADE）求解器，通过对高速缓冲层IGBT电感开关行为的深入理解，实现了全注入水平下的ADE方程求解。
English Abstract
In this study, a physics-based compact model for high-speed buffer layer insulated gate bipolar transistor (IGBT) is proposed. The model utilizes the 1-D Fourier-based solution of ambipolar diffusion equation (ADE) implemented in MATLAB and Simulink. Based on the improved understanding on the inductive switching behavior of a high-speed buffer layer IGBT, the ADE is solved for all injection levels...
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SunView 深度解读
IGBT是阳光电源组串式/集中式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）的核心功率器件。该研究提出的物理紧凑模型能更精确地模拟器件在高速开关过程中的动态特性，有助于优化逆变器及PCS的驱动电路设计，降低开关损耗并提升系统效率。同时，该模型对提升功率模块的热设计精度和可靠性评估具有重要价值，建议研发团队将其集成至仿真平台，以优化高功率密度产品的开关频率与电磁兼容性（EMC）设计。