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一种基于二极管电流自适应的低损耗IGBT开通概念
An IGBT Turn-ON Concept Offering Low Losses Under Motor Drive dv/dt Constraints Based on Diode Current Adaption
| 作者 | Erik Velander · Lennart Kruse · Thomas Wiik · Anders Wiberg · Juan Colmenares · Hans-Peter Nee |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 三相逆变器 拓扑与电路 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGBT 开通损耗 电机驱动 dv/dt约束 二极管反向恢复 电力电子 Si-IGBT 变换器 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种适用于硅基IGBT与PIN二极管组合的低损耗开通方案。该方案专为100kW至1MW功率等级的两电平电机驱动器设计，在满足电机绕组dv/dt限制的前提下，优化了IGBT开通损耗及二极管反向恢复特性，有效平衡了开关损耗与电磁兼容性。
English Abstract
In this paper, a new low-loss turn-on concept for the silicon insulated-gate bipolar transistor (Si-IGBT) in combination with silicon p-i-n diode is presented. The concept is tailored for two-level motor converters in the 100 kW to 1 MW range under the constraint that the output voltages slopes are limited in order to protect the motor windings. Moreover, analyses of the IGBT turn-on and diode rev...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的集中式光伏逆变器及大功率储能变流器（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。在兆瓦级功率变换器中，IGBT开通损耗与dv/dt限制之间的矛盾是提升效率与保护绝缘系统的关键。通过二极管电流自适应控制，可在不增加复杂硬件成本的前提下，优化开关过程，提升整机效率。建议研发团队关注该控制策略在IGBT驱动电路中的集成，以进一步降低大功率模块的温升，提升系统可靠性，并优化高频化趋势下的电磁干扰表现。