← 返回
一种用于常用触发模式的低成本紧凑型SiC/Si混合开关栅极驱动电路
A Low Cost Compact SiC/Si Hybrid Switch Gate Driver Circuit for Commonly Used Triggering Patterns
| 作者 | Yongsheng Fu · Zhengrong Ma · Haipeng Ren |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 IGBT 功率模块 拓扑与电路 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 混合开关 SiC-MOSFET Si-IGBT 栅极驱动器 电力电子 效率 成本降低 |
语言:
中文摘要
Si-IGBT与SiC-MOSFET并联构成的混合开关（HyS）因兼具高效率与低成本优势而备受关注，但其复杂的栅极驱动电路限制了实际应用。本文提出了一种低成本、紧凑的栅极驱动电路方案，旨在简化HyS的驱动逻辑与硬件设计，解决传统方案需要多芯片与多信号控制的难题。
English Abstract
The hybrid switch (HyS) configured by paralleling silicon Si-IGBT and silicon carbide SiC-mosfet mosfet (SiC/Si HyS) has been widely investigated because of high efficiency as well as low cost. However, one of the main obstacles in the practical application of HyS is the complicated gate driver circuits. Generally, one HyS requires two driver chips and two driving signals to ...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有显著价值。在组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）中，通过SiC与Si的混合封装技术，可以在保证高效率的同时有效降低系统成本，提升产品的市场竞争力。该驱动电路方案简化了控制复杂性，有助于提高功率模块的集成度与可靠性。建议研发团队评估该驱动电路在兆瓦级储能变流器及高功率密度光伏逆变器中的应用可行性，重点关注其在宽负载范围下的开关损耗优化及电磁兼容性表现，以进一步提升产品能效指标。