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基于关断轨迹调节的IGBT结温主动控制
Active Junction Temperature Control of IGBT Based on Adjusting the Turn-off Trajectory
| 作者 | Bo Wang · Luowei Zhou · Yi Zhang · Kaihong Wang · Xiong Du · Pengju Sun |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 可靠性分析 热仿真 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGBT 结温 主动控制 关断轨迹 可靠性 电力电子 热管理 |
语言:
中文摘要
IGBT结温波动是导致其老化失效的关键因素，平抑结温波动是提升器件寿命的有效途径。本文探讨了通过调节IGBT关断轨迹来实现结温主动控制的新方法，旨在解决现有主动热管理技术在实际应用中的局限性，从而提升电力电子系统的长期可靠性。
English Abstract
The junction temperature fluctuation of an insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is the most important factor of its aging failure, and smoothing the fluctuation is an effective way to improve the life of an IGBT. The existing methods for smoothing the fluctuation by active junction temperature control are not yet ready wide application, and exploring the different approaches to active junction...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器）具有极高的应用价值。逆变器和PCS在极端环境及高负载运行下，IGBT结温波动是影响系统寿命的核心瓶颈。通过主动调节关断轨迹实现结温平抑，可显著提升功率模块在复杂工况下的可靠性，降低运维成本。建议研发团队关注该控制策略在iSolarCloud智能运维平台中的数据验证，并将其作为下一代高功率密度、长寿命逆变器产品的关键技术储备，以提升产品在全生命周期内的竞争优势。