基于红外热像仪验证通过峰值栅极电流测量IGBT结温的方法

IR Camera Validation of IGBT Junction Temperature Measurement via Peak Gate Current

作者	Nick Baker · Laurent Dupont · Stig Munk-Nielsen · Francesco Iannuzzo · Marco Liserre
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2017年4月
技术分类	功率器件技术
技术标签	IGBT 可靠性分析功率模块热仿真
相关度评分	★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词	IGBT 结温峰值栅极电流红外热成像键合线脱落功率模块可靠性

语言:

中文摘要

本文利用红外热成像技术评估了通过峰值栅极电流（IGPeak）测量IGBT结温的准确性。研究对象涵盖了栅极焊盘位于中心及边缘的单芯片、并联芯片以及存在键合线脱落故障的芯片，并将结果与传统方法进行了对比。

English Abstract

Infrared measurements are used to assess the measurement accuracy of the peak gate current (IGPeak) method for Insulated-gate bipolar transistor (IGBT)junction temperature measurement. Single IGBT chips with the gate pad in both the center and the edge are investigated, along with paralleled chips, as well as chips suffering partial bondwire lift-off. Results are also compared with a traditional e...

SunView 深度解读

结温监测是提升阳光电源光伏逆变器及储能系统（如PowerTitan、ST系列PCS）可靠性的核心技术。该研究提出的IGPeak测温法无需额外传感器，具有低成本、高精度的潜力，非常适合集成在iSolarCloud智能运维平台中，用于实时监测功率模块的健康状态。针对文中提到的键合线脱落等失效模式，该方法可辅助实现逆变器和PCS的早期故障预警，从而优化维护策略，延长设备全生命周期寿命，对提升阳光电源在大功率电力电子设备市场中的可靠性竞争力具有重要指导意义。