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高压IGBT器件中PETT振荡的电磁干扰特性及影响因素研究
Electromagnetic Disturbance Characteristics and Influence Factors of PETT Oscillation in High-Voltage IGBT Devices
| 作者 | Jiayu Fan · Zhibin Zhao · Jinqiang Zhang · Cheng Peng · Xinling Tang · Xuebao Li · Xiang Cui |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 故障诊断 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGBT PETT振荡 电磁干扰 高频振荡 电力电子 开关特性 |
语言:
中文摘要
本文研究了绝缘栅双极型晶体管（IGBT）关断过程中产生的等离子体抽取渡越时间（PETT）振荡。该振荡频率可达数百MHz，不仅会引发严重的电磁干扰（EMI）问题，还可能导致器件电磁发射超过IEC相关标准限值。作为IGBT内部主要的电磁骚扰源，PETT振荡的机理与影响因素对电力电子系统的电磁兼容性设计至关重要。
English Abstract
Plasma extraction transit time (PETT) oscillation occurs when insulated gate bipolar transistor (IGBT) devices turn off, whose frequency can reach hundreds of MHz. This high-frequency oscillation can induce electromagnetic interference problems and may exceed relevant IEC limits for electromagnetic emission. As one of the electromagnetic disturbance sources from internal IGBT, the PETT oscillation...
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SunView 深度解读
PETT振荡是高压IGBT在快速开关过程中常见的寄生现象，直接影响阳光电源组串式逆变器、PowerTitan及PowerStack等大功率储能变流器（PCS）的电磁兼容性（EMC）表现。随着产品功率密度提升和开关频率优化，该研究有助于研发团队在功率模块选型与驱动电路设计阶段，通过优化栅极驱动参数或布局设计来抑制高频振荡，从而降低EMI滤波器的设计难度与成本，确保产品在严苛的电网环境下稳定运行，并满足国际电磁兼容标准要求。