找到 92 条结果 · 功率器件技术

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功率器件技术 SiC器件 功率模块 热仿真 ★ 5.0

车载SiC功率模块针翅散热器增强热均匀性的区域多目标优化

Regionalized Multiobjective Optimization of Pin-Fin Heatsink for Enhanced Thermal Uniformity in Automotive SiC Power Modules

Chunyang Man · Yimin Zhou · Lingqi Tan · Kai Ma 等12人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月

碳化硅(SiC)功率模块凭借高压耐受、高温运行及高开关频率等优势,正逐步取代传统硅基器件。本文针对车载SiC功率模块,研究了针翅散热器的区域多目标优化方法,旨在提升模块的热均匀性,从而优化散热性能并提高系统可靠性。

解读: 该研究直接关联阳光电源的SiC功率模块应用及热设计能力。在电动汽车驱动及高性能光伏/储能逆变器中,SiC器件的高功率密度对散热提出了严苛要求。本文提出的针翅散热器区域优化方法,可直接应用于阳光电源的组串式逆变器功率模块及PowerTitan等储能变流器(PCS)的散热系统设计。通过优化热均匀性,不仅...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

一种用于串联SiC MOSFET的通用短路检测与保护方案

A Universal Short-Circuit Detection and Protection Scheme for Series-Connected SiC MOSFETs

Ye Zhou · Liang Xian · Xu Wang · Dan Yang · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月

在高功率变换器中,通过串联SiC MOSFET以提升电压等级并简化拓扑结构是一种有效方案。然而,除了正常开关过程中的动态电压均衡外,短路检测与保护同样至关重要。由于驱动时序偏差及器件间I-V特性的固有失配,串联器件的短路保护面临巨大挑战。本文提出了一种通用的短路检测与保护方案,旨在解决串联SiC MOSFET在故障工况下的可靠性问题。

解读: 该技术对阳光电源的高压组串式逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。随着光伏与储能系统向更高直流侧电压(1500V及以上)演进,SiC器件的应用日益广泛。串联技术能有效降低对单管耐压等级的极端要求,但其带来的动态均压与短路保护难题是工程落地的瓶颈。该方案提出的保护机制可提...

功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

考虑时变体电阻和反向恢复电导的精确振荡动态Si IGBT模型

Dynamic Si IGBT Model With Accurate Ringing Considering Time-Varying Bulk Resistance and Reverse Recovery Conductance

Yi Yu · Xuejun Pei · Peng Zhou · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月

作为电力电子系统电磁干扰(EMI)建模的核心,高精度开关器件模型对预测EMI源至关重要。针对现有Si IGBT行为模型在表征开关振荡效应方面精度不足的问题,本文提出了一种动态Si IGBT模型,通过考虑时变体电阻和反向恢复电导,显著提升了对开关过程振荡特性的预测精度。

解读: 该研究直接服务于阳光电源核心产品线(如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan储能变流器)的EMI优化设计。在兆瓦级储能系统及高功率密度逆变器开发中,开关振荡是导致EMI超标和器件应力过大的关键因素。该高精度模型能有效指导硬件电路的PCB布局与驱动参数优化,减少现场调试中的电磁兼容整改成本。建...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

一种基于精确过电压时间估计的SiC MOSFET关断过电压预测方法

A Concise Analytical Datasheet-Driven Turn-Off Overvoltage Prediction Method for SiC MOSFET Based on Accurate Overvoltage Timing Estimation

Yunchan Wu · Zhiqiang Wang · Cheng Qian · Yimin Zhou 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月

本文提出了一种基于数据手册的SiC MOSFET关断过电压解析预测方法。通过建立区分过电压点与关断瞬态结束点的线性简化模型,推导了过电压预测的简洁表达式,实现了对关断过电压的精确估计,为功率器件的可靠性设计提供了理论支持。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率,关断过电压问题直接影响系统的可靠性与EMI性能。该方法无需繁琐的实验测试,仅利用数据手册参数即可进行快速预测,有助于研发团队在设计初期优化驱动电路参数(如栅极电阻),降低SiC器件失效风险。...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 多物理场耦合 ★ 5.0

基于互感耦合的多芯片SiC功率模块动态均流方法

A Dynamic Current Sharing Method for Multichip SiC Power Modules Based on Mutual Couplings

Xun Liu · Erping Deng · Xu Gao · Yifan Song 等10人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2026年1月 · Vol.16

多芯片SiC功率模块因寄生电感失配导致动态电流不均衡,引发局部过热并影响长期可靠性。本文提出考虑互感耦合的设计准则与均流方法,结合响应面分析优化布局,将动态电流不均衡度从98%降至5%,并通过仿真与实验验证。

解读: 该研究直接支撑阳光电源在高功率密度组串式逆变器(如SG320HX)、ST系列储能变流器及PowerTitan系统中对SiC功率模块的可靠性设计。互感耦合建模与布局优化可显著提升SiC模块在高频开关下的动态均流能力,降低热应力,延长模块寿命。建议在下一代1500V+高压平台产品中导入该布局设计方法,并...

功率器件技术 ★ 5.0

总电离剂量辐射电荷对沟槽型功率MOSFET电容的调制

Capacitance Modulation in Trench MOSFETs Induced by TID Radiation Charge

Shenghuai Liu · Xin Zhou · Zhao Wang · Huan Gao 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年11月

本文研究了总电离剂量(TID)辐射电荷对沟槽功率MOSFET电容的调制作用。提出了一种辐射电荷调制电容模型,以有效表征TID辐射下输入电容($C_{iss}$)和输出电容($C_{oss}$)的退化情况。揭示了TID引起电容退化的机制。在低漏极电压($V_{D}$)下,辐照后栅 - 漏电容($C_{gd}$)和漏 - 源电容($C_{ds}$)增大,而栅 - 源电容($C_{gs}$)减小。在高漏极电压下,$C_{gd}$和$C_{ds}$几乎不变,而$C_{gs}$继续减小。辐射电荷等效地调制...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于沟槽型MOSFET总电离剂量(TID)辐射效应的研究具有重要的战略参考价值。作为光伏逆变器和储能系统的核心功率器件,MOSFET的可靠性直接影响产品在特殊应用场景下的性能表现。 该研究揭示了辐射环境下功率器件电容特性的退化机理,这对阳光电源拓展航空航天、高海拔、极...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

半导体器件中电压驱动的反向恢复:SiC MOSFET的扩散电容视角与行为模型

Voltage-Driven Reverse Recovery in Semiconductor Devices: A Diffusion Capacitance Perspective and Behavioral Model for SiC MOSFETs

Xiaobo Dong · Laili Wang · Qi Zhou · Haoyuan Jin 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

反向恢复是半导体器件开关损耗的关键因素。传统观点将其描述为漂移区少数载流子的随时间扫出过程,本文提出该过程本质上是由电压变化引起的电容效应,并据此建立了SiC MOSFET的行为模型,为优化开关损耗提供了新视角。

解读: 该研究对阳光电源的核心产品线(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器)具有重要意义。随着公司产品向高功率密度和高效率演进,SiC MOSFET已成为主流选择。该模型揭示了反向恢复的电压驱动本质,有助于研发团队在设计高频功率模块时,更精确地评估开关损耗,优化驱动电路参数,从而提升逆变...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

基于陶瓷基板散热封装的SiC功率模块EMI抑制技术

EMI Mitigation for SiC Power Module With Chip-on-Ceramic Heatsink Packaging

Zhaobo Zhang · Wenzhi Zhou · Xibo Yuan · Elaheh Arjmand 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月

本文提出了一种芯片直接贴装于金属化氮化铝(AlN)陶瓷散热器的封装方案,旨在降低SiC功率模块的共模(CM)噪声并提升热性能。通过减少开关节点与地之间的共模电容耦合,该封装有效抑制了EMI噪声。实验验证了其在DC-DC变换器中的性能优势。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要价值。随着SiC器件在高性能逆变器和PCS中的广泛应用,高频开关带来的EMI问题和散热瓶颈日益突出。该封装方案通过优化寄生参数和散热路径,能够显著提升功率密度,并降低EMI滤波器设计难度,有助于减小产品体积与成...

功率器件技术 宽禁带半导体 ★ 5.0

高整流比、低漏电流的p-Si/n-AlN异质结PN二极管

High Rectification, Low Leakage p-Si/n-AlN Heterojunction PN Diode

Yi Lu · Jie Zhou · Jiarui Gong · Yang Liu 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年7月

超宽带隙氮化铝(AlN)是一种极具吸引力的用于功率和射频电子领域的材料。单极n型AlN肖特基势垒二极管已展现出其优势,然而,基于AlN的双极型器件虽有待进一步发展,但相关研究却较为匮乏。在本文中,我们报道了具有优异性能的单晶硅p型/氮化铝n型(p - Si/n - AlN)pn结二极管(PND),该二极管是通过将p型硅纳米膜嫁接到n型AlN薄膜上制成的。通过在1100℃下进行高温退火,在n型AlN上直接实现了改进的欧姆接触,接触电阻率为4.9×10⁻³ Ω·cm²。这些PND在整个晶圆上表现出显...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项p-Si/n-AlN异质结二极管技术展现出显著的战略价值。该技术基于超宽禁带半导体AlN材料,实现了3×10^7的高整流比和6.25×10^-9 A/cm²的超低漏电流,这些性能指标对我们的核心产品线具有重要意义。 在光伏逆变器和储能变流器领域,功率器件的性能直接决定...

功率器件技术 SiC器件 ★ 5.0

基于物理信息的LSTM电力变压器时间序列预测模型

Physics-Informed LSTM-Based Time-Series Forecasting Model for Power Transformers

Leixiao Lei · Yigang He · Zhikai Xing · Zihao Li 等5人 · IEEE Transactions on Industrial Informatics · 2025年4月

数据的复杂性和有限的模型泛化能力极大地阻碍了预测精度。本文提出了一种具有自适应权重分配的物理信息融合长短期记忆模型(PILSTM - AWA)。首先,PILSTM - AWA采用分段特征提取方法,以增强局部信息捕获能力,提高对非线性数据的特征提取能力。然后,将油中溶解气体的物理分布和动态变化规律嵌入到长短期记忆(LSTM)框架中。设计了PILSTM模型来约束数据波动并预测油中溶解气体。最后,引入自适应动态加权策略来平衡物理信息和数据信息,提高预测精度。本研究利用了一台1000 kV变压器的在线监...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于物理信息的LSTM时序预测技术虽然聚焦于电力变压器油中溶解气体预测,但其核心方法论对我司储能系统和光伏逆变器的预测性维护具有重要借鉴价值。 该技术的核心创新在于将物理约束嵌入深度学习框架,通过自适应权重平衡物理规律与数据驱动信息,这与我司大型储能电站中电池热管理、...

功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

IGBT裸芯片开关机械波的直接捕获

Direct Capture of Switching Mechanical Wave on IGBT Bare Dies

Libing Bai · Jiahao Wang · Cong Chen · Quan Zhou 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年3月

开关机械波(SMW)效应在IGBT器件状态监测中具有广阔应用前景。目前研究多依赖间接声发射检测技术,存在局限性。本文提出一种直接捕获IGBT裸芯片开关机械波的方法,旨在更精准地实现器件的健康状态评估与故障诊断。

解读: 该研究直接针对IGBT裸芯片的机械波特性,对于提升阳光电源核心产品(如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan储能变流器)的功率模块可靠性至关重要。通过深入理解器件在开关过程中的物理应力与机械特性,研发团队可优化功率模块的封装工艺与热管理设计,并开发基于SMW的在线健康监测算法,集成至iSol...

功率器件技术 SiC器件 ★ 5.0

基于物理信息自监督预训练的GNN在大规模电力系统分析中的泛化能力提升

GNNs' Generalization Improvement for Large-Scale Power System Analysis Based on Physics-Informed Self-Supervised Pre-Training

Yuhong Zhu · Yongzhi Zhou · Wei Wei · Peng Li 等5人 · IEEE Transactions on Power Systems · 2025年2月

在人工智能驱动的电力系统分析(PSA)中,系统拓扑的高效且信息丰富的表示至关重要。尽管取得了重大突破,但近期采用图神经网络(GNNs)的方法在大规模电力系统分析中面临重大挑战,包括获取足够标注数据的高计算需求,以及对未见故障拓扑的泛化能力较差。为解决这些问题,我们提出了一种用于预训练图神经网络的自监督策略,该策略可在单个节点特征层面和整个图结构层面提升图神经网络的表达能力。通过集成物理信息技术,我们的策略使图神经网络能够内化适用于多个下游任务的基本原理。我们证明,我们的方法能够在无监督的情况下对...

解读: 该研究提出的物理信息自监督GNN框架对阳光电源的智能化产品升级具有重要价值。首先可应用于ST系列储能系统和SG系列光伏逆变器的电网拓扑感知与控制优化,提升GFM/GFL控制的适应性;其次可集成到iSolarCloud平台,增强分布式电站群的智能调度与故障诊断能力。该方法通过物理规律预训练提升模型泛化...

功率器件技术 GaN器件 ★ 5.0

一种具有增强功率和线性性能的AlN/Al_x_Ga1-_x_N/GaN梯度沟道HEMT

An AlN/Al_x_Ga1-_x_N/GaN graded channel HEMT with enhanced power and linearity performance

Xiang Du · Can Gong · Yue Hao · Applied Physics Letters · 2025年2月 · Vol.126

本文报道了一种基于AlN/Al_x_Ga1-_x_N/GaN梯度沟道结构的高电子迁移率晶体管(HEMT),旨在提升器件的功率与线性性能。通过在沟道层引入Al组分渐变的Al_x_Ga1-_x_N缓冲结构,并结合超薄AlN插入层,有效调控了二维电子气分布,增强了载流子输运特性,同时降低了短沟道效应。实验结果表明,该器件在保持高开关比的同时,显著提高了击穿电压、最大电流密度及跨导峰值。此外,线性跨导和栅极电容特性的改善有效提升了器件的线性度与高频稳定性。该梯度沟道设计为高性能射频与功率放大器应用提供了...

解读: 该梯度沟道GaN HEMT技术对阳光电源的功率变换产品具有重要应用价值。通过AlN/AlGaN梯度结构提升的击穿电压和电流密度特性,可显著提高SG系列逆变器和ST系列储能变流器的功率密度。改善的线性度和高频特性有助于优化车载OBC和充电桩的EMI性能。该器件在高压大功率应用场景下的优异开关特性,可支...

功率器件技术 SiC器件 ★ 5.0

基于开源数据库的功率变换器铁芯损耗预测

Predicting core losses in power converters based on open source database

Yan Zhou · Minmin Zhang · IET Power Electronics · 2025年2月 · Vol.18

提出一种基于开源数据库与数据驱动物理模型的铁芯损耗预测方法。该方法针对特定预测点,可自动执行流程中的两条路径,提升预测效率与准确性。通过整合实测数据与物理建模,实现对不同工况下功率变换器磁性元件损耗的精确估计,为电力电子系统设计与优化提供有效支持。

解读: 该铁芯损耗预测技术对阳光电源的功率变换器产品线具有重要应用价值。首先可用于SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频变压器设计优化,通过精确预测不同工况下的铁芯损耗,提升变换效率。其次可应用于车载OBC和充电桩等新能源汽车产品的磁性元件设计,基于开源数据库快速评估不同磁芯材料的损耗特性。该方法结合...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

一种基于去耦电容强制谐振的SiC MOSFET功率回路杂散电感提取方法

An Accurate Power Loop Stray Inductance Extraction Method for SiC MOSFETs Based on Forced Resonance With Decoupling Capacitor

Da Zhou · Zhiqiang Wang · Guoqing Xin · Xiaojie Shi 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

为优化SiC MOSFET在变换器中的运行,准确评估功率回路杂散电感至关重要,这有助于抑制开关瞬态过程中的电压尖峰和EMI噪声。本文提出了一种基于目标杂散电感与直流母线去耦电容强制低频谐振的杂散电感提取方法。

解读: 该研究对阳光电源的SiC应用至关重要。随着公司在组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能PCS中大规模导入SiC MOSFET以提升功率密度和效率,功率回路的杂散电感控制成为设计难点。该提取方法能有效指导PCB布局优化,降低开关过程中的电压过冲,从而提升高压大功率模块的可靠性。建议研发团队将其...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

一种基于内部栅极状态提取的SiC MOSFET栅极开路故障检测方法

A Gate Open-Circuit Failure Detection Method of SiC MOSFETs Based on Internal Gate State Extraction

Shengxu Yu · Zhiqiang Wang · Lingqi Tan · Jingwu Qin 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

栅极键合线断裂导致的栅极开路故障是SiC MOSFET的一种新型失效模式,易引发直通故障及栅极氧化层击穿。为提升SiC器件的可靠性,本文提出了一种快速准确的栅极开路故障检测方案,通过提取内部栅极状态,实现对该失效模式的有效监测与预警。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统)具有极高的应用价值。随着SiC MOSFET在高性能功率变换器中的广泛应用,其可靠性直接决定了系统的长效运行。该故障检测方法可集成至iSolarCloud智能运维平台或逆变器/PCS的驱动控...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

基于关断米勒平台电压的SiC MOSFET在线结温监测方法

Online Junction Temperature Monitoring Method for SiC MOSFETs Based on Turn-Off Miller Plateau Voltage

Yuhua Quan · Ruiyan Pan · Tiantian Liu · Xuetong Zhou 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

本文研究了基于关断米勒平台电压(VMP,off)的SiC MOSFET在线结温监测技术。研究发现,随着结温升高,VMP,off呈现下降趋势且持续时间延长,这有助于在较小的关断电阻(Rg,off)下提高采样精度。文章提出了一种新型的VMP,off提取方法,实现了对SiC器件运行状态的实时监测。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan系列储能系统向高功率密度、高效率方向演进,SiC器件的应用日益广泛。结温是影响SiC器件寿命和可靠性的关键因素,该在线监测方法无需额外传感器,通过提取米勒平台电压即可实现实时热管理,能够显著提升逆变器及PCS在...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 多物理场耦合 ★ 5.0

一种具有多维自感和互感的双面冷却多芯片功率模块综合设计方法

A Comprehensive Design Method for Multichip Double-Sided Cooling Power Module With Multidimensional Self-and Mutual Inductances

Jianing Wang · Shaolin Yu · Weinan Zhou · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月

双面冷却(DSC)封装凭借低回路电感和优异的散热性能,成为多芯片碳化硅(SiC)模块的理想方案。本文提出了一种综合设计方法,利用多维自感和互感模型,有效解决了多芯片模块在电流均衡和热耦合方面的设计挑战,为高性能功率模块开发提供了理论支撑。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)中,随着功率密度的不断提升,SiC器件的应用已成为主流。双面冷却技术能显著降低模块寄生电感,提升开关频率,同时改善散热性能,直接助力阳光电源实现更紧凑、更高效率的功率变换...

功率器件技术 GaN器件 ★ 5.0

面向不平衡AC-DC混合配电系统的动态区域化方法及其对分布式电源不确定性的分布鲁棒保障

Dynamic Regionalization for Unbalanced AC-DC Hybrid Distribution Systems With a Distributionally Robust Guarantee Against DG Uncertainty

Qianhao Sun · Yao Zhang · Yidan Zhou · Jiale Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Systems · 2024年7月

如今,在现代电力电子与信息通信技术的推动下,去中心化组织已成为交直流混合配电系统(DS)的新兴特征。这促使配电系统摒弃集中供电模式,转而将其划分为若干个自足的子网进行运行。本文提出了一种两阶段Wasserstein分布鲁棒优化(WDRO)框架,旨在为不平衡交直流混合配电系统提供动态分区策略。首先,提出了一种基于半定规划的三相动态分区策略,以确定子网的动态内部边界。并且,该分区策略通过利用软开关和相开关装置这两种新兴技术得以实现。然后,考虑到分布式电源的不确定性,建立了WDRO模型,以确保每个子网...

解读: 该研究提出的分布鲁棒动态区域化方法对阳光电源的AC-DC混合系统产品具有重要参考价值。特别适用于ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统的多机并联控制,可提升系统在DG不确定性下的运行稳定性。通过Wasserstein距离建模的分布鲁棒优化方法,可优化SG系列光伏逆变器的MPPT控制策略...

功率器件技术 功率模块 可靠性分析 热仿真 ★ 5.0

一种能够表征热耦合效应的多芯片功率模块热网络模型

A Thermal Network Model for Multichip Power Modules Enabling to Characterize the Thermal Coupling Effects

Huimin Wang · Zongyao Zhou · Zhiliang Xu · Xinglai Ge 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月

本文提出了一种基于Cauer模型的热网络模型(TNM),旨在解决多芯片功率模块在热分析中精度与计算效率难以兼顾的问题。该模型能够有效表征芯片间的热耦合效应,为电力电子变换器的可靠性评估提供了高效且准确的分析工具。

解读: 该研究对阳光电源的核心产品线(如组串式/集中式逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统)具有重要意义。在这些高功率密度产品中,功率模块的热设计是决定系统可靠性与寿命的关键。通过引入该热网络模型,研发团队可在设计阶段更精准地模拟多芯片间的热耦合效应,优化散热结构设计,从而提升逆变器和...

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