← 返回
基于关断米勒平台电压的SiC MOSFET在线结温监测方法
Online Junction Temperature Monitoring Method for SiC MOSFETs Based on Turn-Off Miller Plateau Voltage
| 作者 | Yuhua Quan · Ruiyan Pan · Tiantian Liu · Xuetong Zhou · Junhong Feng · Yufei Tian · Li Zheng · Xinhong Cheng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年12月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 结温监测 米勒平台电压 电力电子 可靠性 在线监测 |
语言:
中文摘要
本文研究了基于关断米勒平台电压(VMP,off)的SiC MOSFET在线结温监测技术。研究发现,随着结温升高,VMP,off呈现下降趋势且持续时间延长,这有助于在较小的关断电阻(Rg,off)下提高采样精度。文章提出了一种新型的VMP,off提取方法,实现了对SiC器件运行状态的实时监测。
English Abstract
Online junction temperature monitoring of SiC mosfet based on turn-off Miller plateau voltage (VMP,off) has been explored in this article. As the junction temperature rises, VMP,off experiences a decline while extending its duration, thereby enhancing the precision of sampling VMP,off with a diminutive turn-off resistance (Rg,off). A novel extraction approach for VMP,off is introduced, involving t...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan系列储能系统向高功率密度、高效率方向演进,SiC器件的应用日益广泛。结温是影响SiC器件寿命和可靠性的关键因素,该在线监测方法无需额外传感器,通过提取米勒平台电压即可实现实时热管理,能够显著提升逆变器及PCS在极端工况下的可靠性,并为iSolarCloud平台的寿命预测和故障预警提供底层数据支撑,建议在下一代高频功率模块设计中引入该监测方案。