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基于关断米勒平台电压的SiC MOSFET在线结温监测方法

Online Junction Temperature Monitoring Method for SiC MOSFETs Based on Turn-Off Miller Plateau Voltage

作者 Yuhua Quan · Ruiyan Pan · Tiantian Liu · Xuetong Zhou · Junhong Feng · Yufei Tian · Li Zheng · Xinhong Cheng
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2024年12月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 SiC MOSFET 结温监测 米勒平台电压 电力电子 可靠性 在线监测
语言:

中文摘要

本文研究了基于关断米勒平台电压(VMP,off)的SiC MOSFET在线结温监测技术。研究发现,随着结温升高,VMP,off呈现下降趋势且持续时间延长,这有助于在较小的关断电阻(Rg,off)下提高采样精度。文章提出了一种新型的VMP,off提取方法,实现了对SiC器件运行状态的实时监测。

English Abstract

Online junction temperature monitoring of SiC mosfet based on turn-off Miller plateau voltage (VMP,off) has been explored in this article. As the junction temperature rises, VMP,off experiences a decline while extending its duration, thereby enhancing the precision of sampling VMP,off with a diminutive turn-off resistance (Rg,off). A novel extraction approach for VMP,off is introduced, involving t...
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SunView 深度解读

该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan系列储能系统向高功率密度、高效率方向演进,SiC器件的应用日益广泛。结温是影响SiC器件寿命和可靠性的关键因素,该在线监测方法无需额外传感器,通过提取米勒平台电压即可实现实时热管理,能够显著提升逆变器及PCS在极端工况下的可靠性,并为iSolarCloud平台的寿命预测和故障预警提供底层数据支撑,建议在下一代高频功率模块设计中引入该监测方案。