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一种基于去耦电容强制谐振的SiC MOSFET功率回路杂散电感提取方法
An Accurate Power Loop Stray Inductance Extraction Method for SiC MOSFETs Based on Forced Resonance With Decoupling Capacitor
| 作者 | Da Zhou · Zhiqiang Wang · Guoqing Xin · Xiaojie Shi · Yong Kang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 杂散电感 功率回路 开关瞬态 电压过冲 EMI 噪声 去耦电容 谐振 |
语言:
中文摘要
为优化SiC MOSFET在变换器中的运行，准确评估功率回路杂散电感至关重要，这有助于抑制开关瞬态过程中的电压尖峰和EMI噪声。本文提出了一种基于目标杂散电感与直流母线去耦电容强制低频谐振的杂散电感提取方法。
English Abstract
To better instruct the optimal operation of silicon carbide mosfets in converters, accurate estimation of the power loop stray inductance is essential, preventing unacceptable voltage overshoots and EMI noises during switching transients. This letter presents a stray inductance extraction method based on forced low-frequency resonance of the target stray inductance and the dc-link decoupling capac...
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SunView 深度解读
该研究对阳光电源的SiC应用至关重要。随着公司在组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能PCS中大规模导入SiC MOSFET以提升功率密度和效率，功率回路的杂散电感控制成为设计难点。该提取方法能有效指导PCB布局优化，降低开关过程中的电压过冲，从而提升高压大功率模块的可靠性。建议研发团队将其应用于新一代高频化逆变器及储能变流器的设计验证阶段，以缩短EMI滤波器设计周期，并提升产品在严苛工况下的长期运行稳定性。