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储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

抑制陷阱效应的氮化镓HEMT沟道温度测量与热阻表征模型

Trap-suppressed channel temperature measurement and thermal resistance characterization model for GaN HEMTs

Suzhou Laboratory · Qing Zhu · Ke Xu · Yue Hao · Applied Physics Letters · 2025年9月 · Vol.127

针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)中陷阱效应对沟道温度测量的干扰问题,提出了一种抑制陷阱效应的沟道温度提取与热阻表征模型。该模型通过动态栅压调控技术有效抑制表面和界面陷阱的充放电行为,结合电学法精确提取稳态与瞬态沟道温度,并建立与陷阱密度相关的热阻解析模型。实验结果表明,该方法显著降低了传统电学测温中的误差,提升了高温工作条件下器件热特性的表征精度,为GaN HEMTs的热管理设计提供了可靠依据。

解读: 该GaN HEMT热阻精确表征技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST系列储能变流器和SG光伏逆变器中,GaN器件因高频高效特性被广泛采用,但陷阱效应导致的温度测量误差直接影响热管理设计可靠性。该模型通过动态栅压调控抑制陷阱充放电,可精确提取沟道温度,为阳光电源优化GaN功率模块散热设计、提升...

功率器件技术 宽禁带半导体 ★ 4.0

p型超宽带隙Zn0.7Ni0.3O1+δ薄膜在p-n异质结二极管中的光电特性及应用

Optoelectronic properties and application of _p_-type ultrawide bandgap Zn0.7Ni0.3O1+δ thin films in p–n heterojunction diodes

Zhi Yue Xu · Xian Sheng Wang · Zhi Xiang Wei · Gui Shan Liu 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年3月 · Vol.126

本文报道了p型超宽带隙Zn0.7Ni0.3O1+δ薄膜的制备及其在p-n异质结二极管中的应用。通过调控氧含量,实现了稳定的p型导电性,薄膜表现出高透光率和宽光学带隙。基于该薄膜构建的p-n异质结二极管展现出良好的整流特性与室温下的近紫外发光,表明其在透明电子器件和深紫外光电器件中具有潜在应用价值。

解读: 该p型超宽带隙Zn0.7Ni0.3O1+δ薄膜研究对阳光电源的功率器件技术发展具有重要参考价值。其优异的光电特性和宽带隙特征可应用于SiC/GaN功率模块的优化设计,特别是在高温、高频应用场景中。这项技术可用于提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率密度与效率。对于电动汽车充电桩产品线,该材...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于多通道结构的高电流密度GaN基P沟道FinFET演示

Demonstration of a GaN-based P-channel FinFET with high current density based on multi-channel structure

Xu Liu · Shengrui Xu · Tao Zhang · Hongchang Tao 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年5月 · Vol.126

本文报道了一种基于多通道结构的氮化镓(GaN)P沟道FinFET器件,实现了高漏极电流密度。通过精确设计鳍状沟道的几何结构与掺杂分布,有效提升了空穴载流子的输运特性与栅控能力。实验结果表明,该器件在常温下表现出良好的开关特性与饱和电流输出,最大漏极电流密度显著优于同类P型GaN器件。该结构为高性能GaN基互补逻辑电路的发展提供了可行的技术路径。

解读: 该GaN基P沟道FinFET技术对阳光电源的功率变换产品具有重要价值。多通道结构实现的高电流密度特性,可显著提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率密度。作为互补逻辑电路的关键器件,该P型GaN器件有助于开发更高效的三电平拓扑结构,特别适用于车载OBC等对体积敏感的应用场景。其优异的开关特性...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

具有高击穿电压和高温度灵敏度的614 MW/cm² AlGaN沟道肖特基势垒二极管

A 614 MW/cm2 AlGaN-channel Schottky barrier diode with high breakdown voltage and high temperature sensitivity

Heyuan Chen · Tao Zhang · Huake Su · Xiangdong Li 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于AlGaN沟道的高性能肖特基势垒二极管,其功率密度高达614 MW/cm²,兼具高击穿电压与优异的温度灵敏度。通过优化AlGaN材料结构与界面特性,器件在高温环境下表现出稳定的电学性能和良好的热响应特性,适用于高频、高功率及高温电子应用。实验结果表明,该二极管在反向击穿电压和正向导通特性之间实现了良好平衡,同时展现出显著的温度依赖性电流输运行为,为高温传感与高功率整流集成提供了新思路。

解读: 该AlGaN肖特基二极管技术对阳光电源功率器件升级具有重要参考价值。614 MW/cm²的高功率密度特性可应用于SG系列高功率密度光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率模块设计,有助于提升功率密度和转换效率。其优异的高温特性对车载OBC和充电桩等高温工作环境下的器件选型提供新思路。该技术的温度灵敏特性...

功率器件技术 SiC器件 GaN器件 ★ 4.0

具有AlN超晶格背势垒的SiC衬底双通道AlGaN/GaN肖特基势垒二极管

Double-channel AlGaN/GaN Schottky barrier diode with AlN super back barrier on SiC substrate

Tao Zhang · Junjie Yu · Heyuan Chen · Yachao Zhang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126

本文报道了一种在SiC衬底上制备的具有AlN超晶格背势垒结构的双通道AlGaN/GaN肖特基势垒二极管。通过引入AlN超晶格作为背势垒,有效抑制了二维电子气向衬底方向的扩展,增强了载流子 confinement 效应,提升了器件的反向阻断能力与正向导通性能。该结构实现了高击穿电压与低泄漏电流的优异平衡。实验结果表明,器件具有较低的开启电压和高电流密度,同时反向击穿电压显著提高。该设计为高性能GaN基功率二极管的发展提供了可行方案。

解读: 该双通道AlGaN/GaN肖特基二极管技术对阳光电源的功率器件升级具有重要参考价值。AlN超晶格背势垒结构可显著提升GaN器件的击穿电压和导通特性,这对SG系列1500V光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频化设计至关重要。特别是在三电平拓扑中,该技术可用于优化快恢复二极管的性能,有助于提升系统效率和...

系统并网技术 微电网 储能系统 ★ 3.0

一种用于网状多端直流电网的多端口潮流控制器

A Multiport Current Flow Controller for Meshed Multiterminal DC Grids

Yanan Ye · Xiaotian Zhang · Jiuyang Jin · Yue Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年4月

在网状多端直流(MTDC)电网中,缺乏额外设备难以精确控制线路电流。为解决此问题,本文提出了一种具有独立调节能力的新型多端口潮流控制器(CFC)拓扑,旨在精确调节线路电流并有效防止线路过载。

解读: 该技术主要针对直流电网的潮流控制,与阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及大型光伏电站的直流汇集系统具有潜在关联。随着直流微电网和大型光储直流耦合系统的发展,精确的潮流控制对于提升系统运行效率和安全性至关重要。建议研发团队关注该拓扑在直流汇流排能量管理中的应用,以优化多...

拓扑与电路 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

具有降低EMI的零电压开关电流源逆变器驱动永磁同步电机

Zero-Voltage-Switching Current Source Inverter Fed PMSM Drives With Reduced EMI

Zheng Wang · Yang Xu · Pengcheng Liu · Yue Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月

碳化硅(SiC)器件因其高耐压、高开关频率和耐高温特性备受关注。然而,在电压源逆变器驱动中,SiC器件带来的电磁干扰(EMI)和过流能力受限等挑战限制了其进一步应用。本文提出了一种零电压开关电流源逆变器拓扑,旨在优化驱动性能并降低EMI。

解读: 该研究针对SiC器件在高频应用中的EMI挑战,提出了零电压开关(ZVS)拓扑,这对阳光电源的组串式光伏逆变器及储能变流器(PCS)产品线具有重要参考价值。随着阳光电源产品向更高功率密度和更高开关频率演进,SiC器件的应用日益广泛。该拓扑有助于优化逆变器输出侧的电磁兼容性设计,减少滤波器体积,提升系统...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

一种具有钳位功能及定量设计方法的SiC MOSFET开关振荡抑制技术

A Switching Oscillation Suppression Method With Clamping Function and Quantitative Design for SiC MOSFETs

Jian Chen · Wensheng Song · Jianping Xu · Hao Yue 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年6月

SiC MOSFET凭借高开关速度与低损耗优势,在电力电子领域应用广泛。然而,其高频切换易引发严重的开关振荡与电磁干扰,威胁器件安全。本文提出一种具备钳位功能的开关振荡抑制方案,并给出了定量设计方法,有效提升了SiC器件运行的可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司组串式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)向更高功率密度和更高开关频率演进,SiC器件已成为提升效率的关键。该振荡抑制方案能有效解决高频SiC应用中的电压尖峰与EMI难题,不仅能优化逆变器输出质量,还能降低...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

中压SiC变换器关键部件外绝缘设计与光学评估方法

Design and Assessment of External Insulation for Critical Components in a Medium Voltage SiC-Based Converter via Optical Method

Chongxing Zhang · Yue Xu · Ming Dong · Rolando Burgos 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月

针对中压SiC变换器中金属与绝缘体空气界面处的外部放电问题,传统设计往往通过增加绝缘距离来保证安全,但这牺牲了功率密度。本文提出了一种基于光学方法的外部无放电设计策略,通过分析界面关系,在优化功率密度与提升系统可靠性之间取得平衡,为高压电力电子设备的设计提供了新思路。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的高压化趋势。随着公司PowerTitan等大型储能系统及中压组串式逆变器向更高电压等级(如1500V及以上)演进,SiC器件的应用日益广泛,绝缘设计成为提升功率密度和系统可靠性的核心瓶颈。本文提出的光学评估方法可用于阳光电源功率模块的研发测试阶段,帮助工程师在不盲目增加物理...

系统并网技术 构网型GFM 并网逆变器 微电网 ★ 5.0

电流饱和模式下并联构网型变流器的稳态角度稳定性分析

Steady-State Angle Stability Analysis of Parallel Grid-Forming Converters in Current Saturation Mode

Yonghui Liu · Yue Wang · Xiaokang Liu · Minghao Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月

本文研究了并联构网型变流器(GFC)在未知负载导致过流并进入电流饱和模式(CSM)下的稳态角度稳定性。针对该工况下系统运行可靠性缺失的问题,文章提出了相应的稳定性分析方法,为构网型变流器在复杂电网环境下的稳定运行提供了理论支撑。

解读: 该研究直接关联阳光电源的核心产品线——构网型(Grid-forming)储能变流器(如PowerTitan系列)。在微电网或弱电网应用场景下,储能系统常面临负载突变导致的过流风险。本文提出的电流饱和模式下的稳定性分析,对于优化阳光电源PCS的控制算法、提升系统在极端工况下的并网鲁棒性具有重要指导意义...

拓扑与电路 多电平 三相逆变器 功率模块 ★ 2.0

高速铁路牵引系统模块化铁路功率调节器分析与比较

Analysis and Comparison of Modular Railway Power Conditioner for High-Speed Railway Traction System

Qianming Xu · Fujun Ma · Zhixing He · Yandong Chen 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年8月

随着电气化铁路的快速发展,负序电流抑制成为高速铁路牵引系统中的关键问题。本文针对铁路功率调节器(RPC),对五种现有的多电平拓扑结构进行了简化定量比较,旨在评估其在补偿容量和系统性能方面的优劣,为牵引供电系统的电能质量治理提供技术参考。

解读: 该文献探讨的模块化多电平拓扑及电能质量治理技术,与阳光电源的电力电子核心技术栈(如大功率逆变器、PCS)具有底层技术同源性。虽然主要应用场景为轨道交通,但其多电平拓扑优化和负序补偿算法可为阳光电源在弱电网环境下的光伏并网及储能变流器(如PowerTitan系列)的控制策略提供参考。建议关注其模块化设...

拓扑与电路 DC-DC变换器 双向DC-DC 多电平 ★ 4.0

一种具有故障限流能力的非隔离直流变压器分析与设计

Analysis and Design of a Nonisolated DC Transformer With Fault Current Limiting Capability

Yanan Ye · Xiaotian Zhang · Jiuyang Jin · Yue Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年8月

本文提出了一种非隔离模块化多电平直流-直流变换器(直流变压器),用于直流电网中不同电压等级的互联。该拓扑结构具备双向功率调节能力,并能有效限制直流侧故障电流。文章简化了控制策略,并优化了电流应力,为直流电网的高效与安全运行提供了技术方案。

解读: 该技术对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及直流微网业务具有重要参考价值。随着直流配电网和高压储能系统的发展,具备故障限流能力的非隔离直流变压器能显著提升系统安全性,降低对外部保护装置的依赖。建议研发团队关注其模块化多电平拓扑在兆瓦级储能PCS中的应用潜力,特别是在提...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

半桥电路中GaN HEMT多模态无阻尼振荡的开关机制与影响分析

Switching Mechanism and Influence Analysis of Multimode Undamped Oscillation for GaN HEMTs in Half-Bridge Circuits

Jian Chen · Qiang Hu · Kexin Yang · Pengcheng Xu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管因高开关速度和低导通电阻被广泛应用,但其高频特性易引发电路不稳定性。本文研究了半桥电路中无阻尼振荡的产生机制,该振荡会导致功率损耗增加甚至器件击穿,对电力电子系统的可靠性构成挑战。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能PCS中对功率密度要求的不断提升,GaN器件的应用成为技术演进的重要方向。本文揭示的半桥电路振荡机制对于优化逆变器功率模块的PCB布局、驱动电路设计及EMI抑制具有直接指导意义。建议研发团队在开发下一代高频紧凑型组串式逆变器或微型逆变器时,参考该研究成果,通过...

拓扑与电路 多电平 模型预测控制MPC 功率模块 ★ 4.0

改进型模块化多电平开关模式功率放大器的混合模型预测控制

Hybrid Model Predictive Control for Modified Modular Multilevel Switch-Mode Power Amplifier

Peng Guo · Qianming Xu · Yufei Yue · Zhixing He 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年5月

本文提出了一种针对改进型模块化多电平开关模式功率放大器(M3-SMPA)的混合模型预测控制(HMPC)策略。该拓扑由模块化多电平变换器(MMC)与全桥变换器(FBC)串联组成。相较于传统的有限控制集MPC或调制MPC,该HMPC方法结合了两者优势,有效提升了系统的动态响应与稳态性能。

解读: 该研究提出的M3-SMPA拓扑及其混合模型预测控制策略,对阳光电源的电力电子技术储备具有重要参考价值。MMC技术是高压大功率储能系统(如PowerTitan系列)及大型光伏并网逆变器的核心演进方向。HMPC策略能够显著优化多电平变换器的动态性能与谐波抑制能力,有助于提升阳光电源在大型地面电站及构网型...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

考虑动态传输特性和米勒斜坡的SiC MOSFET串扰峰值精确预测方法

An Accurate Predictive Method of Crosstalk Peaks Considering Dynamic Transfer Characteristics and Miller Ramp for SiC MOSFETs

Hao Yue · Jian Chen · Wensheng Song · Haoyang Tan 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月

碳化硅(SiC)MOSFET因低导通电阻和寄生参数优势被广泛应用,但其串扰现象易导致误导通或栅极氧化层损坏。本文提出了一种精确预测SiC MOSFET串扰峰值的方法,通过考虑器件动态传输特性及米勒斜坡效应,有效提升了功率变换器设计的可靠性。

解读: 该研究对于阳光电源的高功率密度产品至关重要。随着公司在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中大规模应用SiC器件,串扰问题直接影响系统的开关频率提升与可靠性。该预测方法可集成至研发仿真流程中,优化驱动电路设计,降低误导通风险,从而提升产品在极端工况下的稳定性。建议研发团队将其应用于...

拓扑与电路 功率模块 充电桩 ★ 3.0

一种具有三模过载保护的温度补偿型低功耗微秒级响应电源门控电路

A Temperature-Compensated, Low-Power, Microsecond-Response Power Gating Circuit With Triple-Mode Overload Protection

Jingbin Feng · Qiuzhen Xu · Khalil Yousef · Pengda Qu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月

本文提出了一种集成于低功耗充电器或稳压器中的电源门控电路,具备三模过载保护功能。该电路在低功耗模式下静态电流仅为0.8 μA,响应时间可达微秒级。文中提出了一种电压-电阻转换器,用于产生与输入电源电压成反比的电阻,以实现精确的过载保护。

解读: 该技术主要应用于功率电子接口的保护电路设计,对阳光电源的电动汽车充电桩及户用光伏逆变器内部的辅助电源系统具有参考价值。其微秒级响应和极低的静态功耗有助于提升充电桩待机状态下的能效表现,并增强接口电路在复杂电网环境下的鲁棒性。建议研发团队关注该电路在小型化、高集成度电源管理模块中的应用,以优化产品内部...

拓扑与电路 充电桩 双向DC-DC 功率模块 ★ 3.0

感应电能传输系统的电力与数据共享信道并行传输研究

The Parallel Transmission of Power and Data With the Shared Channel for an Inductive Power Transfer System

Yue Sun · Peng-Xu Yan · Zhi-Hui Wang · Ying-Ying Luan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年8月

本文设计并实现了一种用于感应(非接触式)电能传输(IPT)系统的共享物理通信信道。该方案在不干扰电能传输的前提下实现数据传输,从而保持了IPT系统的高效率。通过耦合线圈实现系统控制与双向数据传输,速率达到19.2 kbps。

解读: 该技术在无线充电领域具有应用潜力,与阳光电源的电动汽车充电桩业务具有一定关联。当前充电桩多为有线连接,但随着大功率无线充电技术的发展,IPT技术可提升用户体验。该研究提出的电力与数据共享信道方案,有助于降低系统复杂度和成本,提高集成度。建议研发团队关注该技术在未来高功率密度充电模块中的应用,特别是如...

可靠性与测试 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 4.0

基于SiC的中压变换器样机关键气隙局部放电在线监测与定位

Partial Discharge Online Monitoring and Localization for Critical Air Gaps Among SiC-Based Medium-Voltage Converter Prototype

Chaofei Gao · Yue Xu · Jun Wang · Rolando Burgos 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年12月

随着SiC器件在中压电力变换器中实现更高阻断电压和功率密度,绝缘设计变得至关重要。由于绝缘或机械协调需求,变换器内部不可避免存在气隙。本文针对关键气隙的局部放电问题,研究了在线监测与定位技术,旨在优化绝缘设计,提升高压电力电子设备的可靠性与安全性。

解读: 随着阳光电源在中压储能系统(如PowerTitan系列)及高压组串式逆变器领域的技术演进,SiC器件的应用日益广泛。该研究聚焦于SiC高压环境下的绝缘可靠性,对于解决高功率密度设计中不可避免的气隙放电问题具有重要参考价值。建议研发团队将该监测与定位技术引入高压变换器样机的绝缘失效分析中,通过多物理场...

拓扑与电路 充电桩 双向DC-DC 功率模块 ★ 2.0

带中继线圈的无线电能传输系统效率提升的非谐振补偿优化

Nonresonant Compensation Optimization for Efficiency Improvement of Wireless Power Transfer System With Relay Coil

Haisen Zhao · Zihan Tian · Xueying Zhang · Yue Qiu 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年2月

中继线圈可有效增加无线电能传输(WPT)系统的传输距离,但较低的传输效率限制了其应用。本文基于带中继线圈的串联补偿WPT系统模型,分析了传统补偿方法的缺陷,揭示了系统在谐振状态下效率并非最优的问题,并提出了非谐振补偿优化方案以提升系统整体传输效率。

解读: 该研究聚焦于无线电能传输(WPT)的效率优化,虽目前阳光电源的核心业务(光伏逆变器、储能系统、风电变流器)主要基于有线连接,但该技术在电动汽车充电桩领域具有潜在的长期应用价值。随着无线充电技术的成熟,未来可将其作为充电桩产品线的技术储备,提升用户充电的便捷性。建议研发团队关注该非谐振补偿算法在小功率...

系统并网技术 微电网 下垂控制 储能系统 ★ 4.0

双极性直流微电网的小信号稳定性评估与交互分析

Small-Signal Stability Assessment and Interaction Analysis for Bipolar DC Microgrids

Minrui Leng · Guohua Zhou · Guodong Xu · Subham Sahoo 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年4月

双极性直流微电网因其高可靠性和高效率而备受关注。然而,由于三线制直流配电结构及大量电力电子变换器的接入,其稳定性分析较传统单极性直流微电网更为复杂。本文针对双极性直流微电网的小信号稳定性评估及变换器间的交互影响进行了深入研究。

解读: 该研究对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及微电网解决方案具有重要参考价值。随着直流微电网应用场景的增加,双极性拓扑在提升系统可靠性方面优势明显。阳光电源的PCS产品在接入此类复杂直流系统时,需重点优化下垂控制策略及阻抗匹配设计,以抑制多变换器并联带来的谐振与交互失稳...

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