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p型超宽带隙Zn0.7Ni0.3O1+δ薄膜在p-n异质结二极管中的光电特性及应用
Optoelectronic properties and application of _p_-type ultrawide bandgap Zn0.7Ni0.3O1+δ thin films in p–n heterojunction diodes
| 作者 | Zhi Yue Xu · Xian Sheng Wang · Zhi Xiang Wei · Gui Shan Liu · Xiong Jing Chen |
| 期刊 | Applied Physics Letters |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 卷/期 | 第 126 卷 第 9 期 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | p型超宽带隙Zn0.7Ni0.3O1+δ薄膜 光电性能 p - n异质结二极管 应用 氧化锌镍薄膜 |
语言:
中文摘要
本文报道了p型超宽带隙Zn0.7Ni0.3O1+δ薄膜的制备及其在p-n异质结二极管中的应用。通过调控氧含量，实现了稳定的p型导电性，薄膜表现出高透光率和宽光学带隙。基于该薄膜构建的p-n异质结二极管展现出良好的整流特性与室温下的近紫外发光，表明其在透明电子器件和深紫外光电器件中具有潜在应用价值。
English Abstract
Zhi Yue Xu, Xian Sheng Wang, Zhi Xiang Wei, Gui Shan Liu, Xiong Jing Chen, Hong-En Wang, Chun Yuen Ho, Kin Man Yu, Chao Ping Liu; Optoelectronic properties and application of _p_-type ultrawide bandgap Zn0.7Ni0.3O1+δ thin films in p–n heterojunction diodes. _Appl. Phys. Lett._ 3 March 2025; 126 (9): 092101.
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SunView 深度解读
该p型超宽带隙Zn0.7Ni0.3O1+δ薄膜研究对阳光电源的功率器件技术发展具有重要参考价值。其优异的光电特性和宽带隙特征可应用于SiC/GaN功率模块的优化设计，特别是在高温、高频应用场景中。这项技术可用于提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率密度与效率。对于电动汽车充电桩产品线，该材料在p-n异质结中展现的良好整流特性有助于改进功率变换效率。这为阳光电源开发新一代高效率、高可靠性的功率变换产品提供了新思路。