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超宽禁带Al0.65Ga0.35N沟道HEMT中低接触电阻与高击穿电压
>2.5 kV）输运特性研究
| 作者 | Swarnav Mukhopadhyay · Khush Gohel · Surjava Sanyal · Mayand Dangi · Ruixin Bai |
| 期刊 | Applied Physics Letters |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 卷/期 | 第 126 卷 第 15 期 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 超宽带隙Al0.65Ga0.35N通道HEMTs 输运特性 低接触电阻 高击穿电压 Al0.65Ga0.35N |
语言:
中文摘要
本文报道了基于Al0.65Ga0.35N沟道的超宽禁带HEMT器件，实现了低接触电阻和高击穿电压（>2.5 kV）。通过优化欧姆接触工艺与异质结构设计，显著提升了二维电子气的输运性能。实验结果表明，该器件在高温和高电场下仍保持优异的载流子迁移率与电流稳定性，揭示了高铝组分氮化物在高压功率电子中的潜力。
English Abstract
Swarnav Mukhopadhyay, Khush Gohel, Surjava Sanyal, Mayand Dangi, Rajnin I. Roya, Ruixin Bai, Jiahao Chen, Qinchen Lin, Guangying Wang, Chirag Gupta, Shubhra S. Pasayat; Characteristics of transport properties in ultra-wide bandgap Al0.65Ga0.35N channel HEMTs with low contact resistance and high breakdown voltage (>2.5 kV). _Appl. Phys. Lett._ 14 April 2025; 126 (15): 152103.
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SunView 深度解读
该超宽禁带Al0.65Ga0.35N HEMT器件研究对阳光电源高压功率产品具有重要参考价值。2.5kV以上的高击穿电压特性可应用于ST系列储能变流器和SG系列高压光伏逆变器的功率模块升级，低接触电阻和优异的高温载流子输运性能有助于提升PowerTitan大型储能系统的功率密度和效率。这项技术为下一代宽禁带功率器件的应用提供了新思路，可优化阳光电源1500V系统的功率转换效率和可靠性，同时对车载OBC等对功率密度要求较高的产品具有创新启发。建议在功率模块设计中进一步验证该技术的工程化可行性。