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一种基于谐振驱动的有源驱动技术

An Active Gate Driving Technique Based on Resonant Driving

作者
期刊 电源学报
出版日期 2025年11月
卷/期 第 2025 卷 第 7 期
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 LLC谐振 拓扑与电路 宽禁带半导体
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词
版本:
针对SiC器件驱动难题,提出一种全桥谐振有源驱动技术,仅通过开关时序切换不同谐振回路实现驱动电流灵活调控。仿真与实验表明,该方法可降低开通电流过冲87.0%、关断电压过冲4.20%,并支持暂态宽范围调速。
对于SiC器件驱动技术的研究一直是国内外学者关注的热点问题.现有有源驱动技术通过改变驱动电阻、驱动电压或电流实现开关暂态的调控,所需元器件多,驱动板体积大、成本高.为此,提出了 1种基于谐振驱动的全桥有源驱动技术,仅通过驱动开关管的开通关断来切换构建不同驱动回路,形成不同驱动电流,即可实现开关暂态的调节.首先以1/4周期全桥谐振驱动为功率管的基准驱动模式,接着通过对功率管开通过程中各个阶段的分析给出了有源驱动开关管时序的具体设计方法,最后通过仿真和实验验证发现所提驱动方式能够减小开通过程87.0%的电流过冲和关断过程4.20%的电压过冲,并能实现特定阶段宽范围地灵活调速.
S

SunView 深度解读

该谐振有源驱动技术可显著提升SiC MOSFET在高频高效率场景下的开关可靠性与EMI性能,直接适配阳光电源ST系列储能变流器PCS、PowerTitan液冷储能系统及SG系列组串式光伏逆变器中新一代SiC平台。建议在下一代1500V+高压组串逆变器和3MW+大功率储能PCS中导入该驱动架构,以降低驱动损耗、缩小驱动板体积并增强dv/dt耐受能力,支撑更高功率密度与更优LCOE。