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具有高击穿电压和高温度灵敏度的614 MW/cm² AlGaN沟道肖特基势垒二极管
A 614 MW/cm2 AlGaN-channel Schottky barrier diode with high breakdown voltage and high temperature sensitivity
| 作者 | Heyuan Chen · Tao Zhang · Huake Su · Xiangdong Li · Shengrui Xu |
| 期刊 | Applied Physics Letters |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 卷/期 | 第 126 卷 第 1 期 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | AlGaN通道肖特基势垒二极管 高击穿电压 高温灵敏度 614 MW/cm² 应用物理快报 |
语言:
中文摘要
本文报道了一种基于AlGaN沟道的高性能肖特基势垒二极管，其功率密度高达614 MW/cm²，兼具高击穿电压与优异的温度灵敏度。通过优化AlGaN材料结构与界面特性，器件在高温环境下表现出稳定的电学性能和良好的热响应特性，适用于高频、高功率及高温电子应用。实验结果表明，该二极管在反向击穿电压和正向导通特性之间实现了良好平衡，同时展现出显著的温度依赖性电流输运行为，为高温传感与高功率整流集成提供了新思路。
English Abstract
Heyuan Chen, Tao Zhang, Huake Su, Xiangdong Li, Shengrui Xu, Yachao Zhang, Ruowei Liu, Lei Xie, Yue Hao, Jincheng Zhang; A 614 MW/cm2 AlGaN-channel Schottky barrier diode with high breakdown voltage and high temperature sensitivity. _Appl. Phys. Lett._ 6 January 2025; 126 (1): 012112.
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SunView 深度解读
该AlGaN肖特基二极管技术对阳光电源功率器件升级具有重要参考价值。614 MW/cm²的高功率密度特性可应用于SG系列高功率密度光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率模块设计，有助于提升功率密度和转换效率。其优异的高温特性对车载OBC和充电桩等高温工作环境下的器件选型提供新思路。该技术的温度灵敏特性也可用于功率模块的温度监测和智能保护。建议在下一代1500V系统中评估该类GaN器件的应用可行性，以进一步提升产品竞争力。