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一种具有钳位功能及定量设计方法的SiC MOSFET开关振荡抑制技术
A Switching Oscillation Suppression Method With Clamping Function and Quantitative Design for SiC MOSFETs
| 作者 | Jian Chen · Wensheng Song · Jianping Xu · Hao Yue · Quanming Luo · Homer Alan Mantooth |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFETs 开关振荡 电磁干扰 钳位功能 定量设计 电力电子 可靠性 |
语言:
中文摘要
SiC MOSFET凭借高开关速度与低损耗优势，在电力电子领域应用广泛。然而，其高频切换易引发严重的开关振荡与电磁干扰，威胁器件安全。本文提出一种具备钳位功能的开关振荡抑制方案，并给出了定量设计方法，有效提升了SiC器件运行的可靠性。
English Abstract
SiC mosfets offer significant benefits for power electronics applications due to their material properties, including increased switching speeds, reduced switching losses, and improved power density. However, these benefits can also result in severe switching oscillation and electromagnetic interference in SiC mosfets, which can cause device breakdown or damage. In this article, an oscillation sup...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司组串式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件已成为提升效率的关键。该振荡抑制方案能有效解决高频SiC应用中的电压尖峰与EMI难题，不仅能优化逆变器输出质量，还能降低驱动电路设计难度。建议研发团队在下一代高压SiC功率模块设计中引入该钳位技术，以提升系统在复杂工况下的长期可靠性，并缩短产品研发周期。