← 返回
具有AlN超晶格背势垒的SiC衬底双通道AlGaN/GaN肖特基势垒二极管
Double-channel AlGaN/GaN Schottky barrier diode with AlN super back barrier on SiC substrate
| 作者 | Tao Zhang · Junjie Yu · Heyuan Chen · Yachao Zhang · Huake Su |
| 期刊 | Applied Physics Letters |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 卷/期 | 第 126 卷 第 23 期 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 GaN器件 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 双沟道AlGaN/GaN肖特基势垒二极管 AlN超背势垒 SiC衬底 应用物理快报 2025年 |
语言:
中文摘要
本文报道了一种在SiC衬底上制备的具有AlN超晶格背势垒结构的双通道AlGaN/GaN肖特基势垒二极管。通过引入AlN超晶格作为背势垒，有效抑制了二维电子气向衬底方向的扩展，增强了载流子 confinement 效应，提升了器件的反向阻断能力与正向导通性能。该结构实现了高击穿电压与低泄漏电流的优异平衡。实验结果表明，器件具有较低的开启电压和高电流密度，同时反向击穿电压显著提高。该设计为高性能GaN基功率二极管的发展提供了可行方案。
English Abstract
Tao Zhang, Junjie Yu, Heyuan Chen, Yachao Zhang, Huake Su, Shengrui Xu, Xiangdong Li, Hongchang Tao, Ruowei Liu, Zeyang Ren, Weidong Zhu, Yue Hao, Jincheng Zhang; Double-channel AlGaN/GaN Schottky barrier diode with AlN super back barrier on SiC substrate. _Appl. Phys. Lett._ 9 June 2025; 126 (23): 232102.
S
SunView 深度解读
该双通道AlGaN/GaN肖特基二极管技术对阳光电源的功率器件升级具有重要参考价值。AlN超晶格背势垒结构可显著提升GaN器件的击穿电压和导通特性,这对SG系列1500V光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频化设计至关重要。特别是在三电平拓扑中,该技术可用于优化快恢复二极管的性能,有助于提升系统效率和功率密度。同时,其低开启电压特性也适用于车载OBC和充电桩等对开关损耗要求严格的应用场景。这为阳光电源开发新一代高效率、小型化功率变换产品提供了技术支撑。