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基于多通道结构的高电流密度GaN基P沟道FinFET演示
Demonstration of a GaN-based P-channel FinFET with high current density based on multi-channel structure
| 作者 | Xu Liu · Shengrui Xu · Tao Zhang · Hongchang Tao · Huake Su |
| 期刊 | Applied Physics Letters |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 卷/期 | 第 126 卷 第 20 期 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN基P沟道FinFET 多通道结构 高电流密度 演示 应用物理快报 |
语言:
中文摘要
本文报道了一种基于多通道结构的氮化镓（GaN）P沟道FinFET器件，实现了高漏极电流密度。通过精确设计鳍状沟道的几何结构与掺杂分布，有效提升了空穴载流子的输运特性与栅控能力。实验结果表明，该器件在常温下表现出良好的开关特性与饱和电流输出，最大漏极电流密度显著优于同类P型GaN器件。该结构为高性能GaN基互补逻辑电路的发展提供了可行的技术路径。
English Abstract
Xu Liu, Shengrui Xu, Tao Zhang, Hongchang Tao, Huake Su, Yuan Gao, Lei Xie, Xinhao Wang, Jincheng Zhang, Yue Hao; Demonstration of a GaN-based P-channel FinFET with high current density based on multi-channel structure. _Appl. Phys. Lett._ 19 May 2025; 126 (20): 202103.
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SunView 深度解读
该GaN基P沟道FinFET技术对阳光电源的功率变换产品具有重要价值。多通道结构实现的高电流密度特性,可显著提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率密度。作为互补逻辑电路的关键器件,该P型GaN器件有助于开发更高效的三电平拓扑结构,特别适用于车载OBC等对体积敏感的应用场景。其优异的开关特性也将改善PowerTitan大型储能系统的能量转换效率。建议在下一代高频化设计中重点关注此类新型GaN器件的应用验证,以实现产品的小型化和高效化升级。