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电动汽车驱动 工商业光伏 ★ 5.0

集成式感应电机驱动器在变速工业应用中的研究

Integrated Induction Motor Drive for Variable Speed Industrial Applications

Milad Bahrami-Fard · Tianyu Chen · Ethan Alejandro Winchell · Babak Fahimi · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

将电机与功率变换器集成,并利用宽禁带器件,是电机驱动系统的一个新兴趋势,有助于降低系统复杂度、实现紧凑化并节省成本。然而,将功率变换器集成到电机中也带来了一些挑战,包括空间有限、温度过高以及电机内部存在漏磁等问题。本研究提出了一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)的集成电机驱动(IMD)系统,该系统对功率级的印刷电路板(PCB)布局进行了优化,并通过重新设计端盖来增强散热性能。此外,还提出了一种带有功率脉动缓冲器的单相功率因数校正前端,以将整流器集成到电机中。实验测试验证了该集成系统的变频...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这篇关于集成式感应电机驱动系统的研究具有重要的技术参考价值。论文提出的氮化镓(GaN)HEMT器件集成方案与我司在光伏逆变器、储能变流器领域的技术演进方向高度契合。 **技术价值分析**:该研究的核心创新在于通过宽禁带半导体器件实现电机与变流器的深度集成,这与阳光电源在逆...

功率器件技术 GaN器件 ★ 5.0

无缓冲层AlGaN/GaN MISHEMT中MOCVD外延SiN栅介质对微波功率性能的影响

Microwave Power Performance of Buffer-Free AlGaN/GaN MISHEMT With MOCVD Grown Ex Situ SiN

Amit Bansal · Rijo Baby · Aniruddhan Gowrisankar · Vanjari Sai Charan 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月

本研究探究了异位金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的氮化硅(SiNx)栅极介质和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅(SiNx)钝化层对无缓冲层AlGaN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MISHEMT)微波功率性能的影响。我们在从4英寸外延片切割出的一系列四个样品上制作了器件:前两个样品没有栅极介质,而后两个样品采用厚度达3纳米的异位SiNx作为栅极介质。在这两类样品中,各有一个样品采用在高频等离子体条件下沉积的100纳米基准SiNx钝化层,另一个样品则采用100纳米...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于AlGaN/GaN MISHEMT微波功率性能的研究具有重要的战略参考价值。GaN基功率器件因其高频、高效、高功率密度特性,正成为光伏逆变器和储能变流器等核心产品实现性能跃升的关键技术路径。 该研究的核心突破在于采用MOCVD原位生长的SiNx栅介质层显著改善了器...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

负栅压关态下p-GaN HEMT重离子辐照硬度的实验研究

Experimental Study of Heavy Ion Irradiation Hardness for p-GaN HEMTs Under Off-State With Negative Gate Voltage

Xintong Xie · Shuxiang Sun · Jingyu Shen · Renkuan Liu 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年2月

本研究首次证明,关态时施加负栅极电压(<inline-formula xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink"> <tex-math notation="LaTeX">${V} _{\text {GS}}$ </tex-math></inline-formula>)可提高 100 V 增强型 p 型氮化镓高电子迁移率晶体管(E - mode p - GaN H...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于p-GaN HEMT器件抗辐射加固技术的研究具有重要的战略参考价值。GaN基功率器件因其高频、高效、高功率密度特性,正逐步成为光伏逆变器和储能变流器等核心产品的关键技术方向。 该研究首次验证了在关断状态下施加负栅压可显著提升p-GaN HEMT的抗单粒子效应能力,...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 5.0

用于6.78 MHz无线电力传输系统的高速体二极管导通检测电路与自适应同步整流控制

High-Speed Body-Diode Conduction Detection Circuit for 6.78 MHz WPT Systems with Adaptive Synchronous Rectification Control

Lei Zhu · Laili Wang · Chenxu Zhao · Xiaohui Lu 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年6月

工作在兆赫兹(MHz)频段的无线电力传输(WPT)系统因具备高效率和小体积优势而受到广泛关注。为提升效率,常采用同步整流(SR)技术以降低传统二极管的导通损耗。然而,在MHz频段实现同步整流仍面临检测带宽不足、传播延迟及高频振荡等挑战。本文提出一种高速体二极管导通(BDC)检测电路及周期自适应同步整流控制(ACSRC)策略,专为6.78 MHz WPT系统设计。该BDC检测电路结合阻断二极管、反向串联齐纳二极管与快速恢复支路,有效加速检测并抑制电压尖峰。同时引入软件定义采样窗口,确保在高频振荡下...

解读: 该高速同步整流技术对阳光电源车载OBC充电机和无线充电产品线具有重要应用价值。文中提出的GaN HEMT体二极管导通检测电路与自适应控制策略,可直接应用于阳光电源新能源汽车业务中的高频DC-DC变换器设计。通过实现ZVS/ZCS软开关,轻载效率提升8.72%,这对提升车载充电系统待机能耗和宽负载效率...

电动汽车驱动 ★ 5.0

谐波分区功率变换器架构:采用双向开关的单级单相交流/直流功率变换

The Harmonically Partitioned Power Converter Architecture: Single-Stage Single-Phase ac/dc Power Conversion Using Bidirectional Switches

Jacob Ryan Anderson · Mike Kavian Ranjram · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月

本文提出了一种新颖的单级单相交流/直流功率转换架构,称为谐波分区功率转换器(HPPC)。HPPC利用双向开关(BDS)直接调制交流线路电压,并构建一个谐波分区负载网络,从而在单个转换级内实现自动单位功率因数、完全的功率脉动解耦、连续增益变化和电气隔离。该架构为所有在交流端口有功率因数要求的单相交流/直流功率转换器的小型化和性能提升提供了巨大机遇。HPPC通过将所有磁性元件置于高频交流谐振槽中,并使缓冲电容器在无直流电压调节要求的端口工作,实现了小型化。此外,该转换在单个阶段完成,消除了传统单相交...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项谐波分区功率变换器(HPPC)技术为单相AC/DC转换领域带来了颠覆性创新,与我司在光伏逆变器、储能系统及电动汽车充电领域的核心业务高度契合。 该技术的核心价值在于通过双向开关实现单级转换,同时达成单位功率因数、功率脉动解耦、电气隔离等多重功能。这对阳光电源具有三方面...

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