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基于DHTOL测试研究GaN HEMT在重复漏源电压振荡下的开关可靠性
A DHTOL Test-Based Methodology to Investigate the Switching Reliability of GaN HEMTs Under Repeated Drain Voltage Ringing
| 作者 | Muhammed Ajmal C N · Bhanu Teja Vankayalapati · Sandeep R. Bahl · Fei Yang · Akshay Vijayrao Deshmukh · Bilal Akin |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2026年2月 |
| 技术分类 | 可靠性与测试 |
| 技术标签 | GaN器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 动态高压过冲限制 (DHTOL) GaN HEMT 开关可靠性 漏极电压振铃 电力电子 器件鲁棒性 宽禁带半导体 |
语言:
中文摘要
动态高温工作寿命（DHTOL）测试是验证功率器件在实际系统运行模式下可靠性的关键手段。本文提出了一种基于DHTOL的测试方法，专门用于研究氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在存在大漏源电压振荡应用场景下的开关可靠性，为宽禁带器件的寿命评估提供了新思路。
English Abstract
The dynamic high-temperature operating lifetime (DHTOL) test is used to validate the product level robustness of a device in interaction with other system components and various product operating modes. This article presents a DHTOL-based test methodology for investigating the switching reliability of gallium nitride high electron mobility transistors in applications involving large drain-to-sourc...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度要求的提升，GaN器件的应用日益广泛。该文提出的DHTOL测试方法对于评估GaN器件在复杂开关瞬态下的长期可靠性具有重要参考价值。建议研发团队在引入GaN功率模块时，参考此方法建立针对性的动态应力测试标准，以规避高频开关引起的电压振荡导致的失效风险，从而提升户用逆变器及微型储能系统的产品寿命与现场运行稳定性。