← 返回
栅氧退化对功率MOSFET电气参数的影响
Effect of Gate-Oxide Degradation on Electrical Parameters of Power MOSFETs
| 作者 | Ujjwal Karki · Fang Zheng Peng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年12月 |
| 技术分类 | 可靠性与测试 |
| 技术标签 | 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 功率MOSFET 栅氧化层 退化 氧化层陷阱电荷 界面陷阱电荷 电学参数 可靠性 |
语言:
中文摘要
本文研究了功率MOSFET中栅氧化层的长期退化机制。研究表明，栅氧退化会导致氧化层内陷阱电荷及氧化层-半导体界面陷阱电荷的积累，进而显著改变器件的电气参数。该研究对于理解功率器件的长期可靠性及失效机理具有重要意义。
English Abstract
Gate oxide in power metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs) degrades over time. The degradation leads to an accumulation of oxide-trapped charges within the gate oxide and an accumulation of interface-trapped charges at the oxide–semiconductor surface of power MOSFETs. Overtime, such charges significantly alter the electrical parameters of power MOSFETs; to observe this, the e...
S
SunView 深度解读
功率器件是阳光电源组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器的核心部件。栅氧退化直接影响器件的阈值电压和导通电阻，是导致逆变器在全生命周期内性能衰减甚至失效的关键因素。建议研发团队将此研究成果应用于功率模块的寿命预测模型中，通过iSolarCloud平台监测关键电气参数的漂移，实现对逆变器及储能PCS功率器件的早期故障预警，从而提升系统在复杂工况下的长期可靠性。