← 返回
基于MOSFET的电力电子器件结温实时预测测量与表征技术
Measurement and Characterization Technique for Real-Time Die Temperature Prediction of MOSFET-Based Power Electronics
| 作者 | Jonathan N. Davidson · David A. Stone · Martin P. Foster · Daniel T. Gladwin |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2016年6月 |
| 技术分类 | 可靠性与测试 |
| 技术标签 | 功率模块 可靠性分析 热仿真 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | MOSFET 芯片温度 热特性分析 电力电子 实时预测 热建模 经验模型 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于离线热表征经验模型的MOSFET结温预测技术。首先介绍了一种在受控功耗下近乎同步测量结温的方法，该方法利用线性任意波形功率控制器，通过在特定间隔内瞬时断开来实现测量。该技术为电力电子器件的实时热监测提供了有效手段。
English Abstract
This paper presents a technique to predict the die temperature of a MOSFET based on an empirical model derived following an offline thermal characterization. First, a method for the near-simultaneous measurement of die temperature during controlled power dissipation is presented. The method uses a linear arbitrary waveform power controller which is momentarily disconnected at regular intervals to ...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）具有极高的应用价值。随着功率密度提升，IGBT/SiC模块的结温管理是提升系统可靠性的关键。该实时结温预测技术可集成至iSolarCloud平台，实现对关键功率器件的健康状态（SOH）监测与寿命预测，从而优化运维策略，减少非计划停机。建议研发团队将其应用于高功率密度模块的热设计验证，并探索在变流器控制算法中引入结温反馈，以实现更精准的过温保护与功率降额控制。