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储能系统技术 ★ 5.0

磁电复合材料设计的柔性薄膜电容器介电储能

Magnetoelectric composite engineered dielectric energy storage in flexible film capacitor devices

Yueshun Zhao · Tian Qin · Yongquan Chen · Guixin He · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本文研究了基于磁电复合材料的柔性薄膜电容器中介电能量存储性能的优化设计。通过调控复合介质的界面特性与微观结构,显著提升了器件的介电常数、击穿强度及能量密度。实验结果表明,引入功能性磁电填料可有效改善极化响应并抑制漏电流,在柔性基底上实现了高充放电效率与循环稳定性。该策略为高性能柔性储能器件的开发提供了新思路。

解读: 该磁电复合柔性薄膜电容技术对阳光电源储能与功率变换产品具有重要应用价值。在ST系列储能变流器和PowerTitan系统中,高能量密度柔性电容可优化直流母线支撑与滤波环节,提升功率密度并降低系统体积。磁电复合材料的高介电常数与击穿强度特性,可改善SiC/GaN功率模块的吸收电路设计,抑制开关尖峰并提升...

电动汽车驱动 SiC器件 ★ 5.0

缺陷退火诱导的电子辐照4H-SiC紫外光晶体管光学增益恢复

Defect-annealing-induced optical gain recovery in electron-irradiated 4H-SiC UV phototransistors

Qunsi Yang · Yifu Wang · Xinghua Liu · Qianyu Hou · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本研究报道了电子辐照后4H-SiC紫外光晶体管在热退火过程中光学增益的恢复现象。通过高能电子辐照引入晶格缺陷,显著抑制器件的光电响应;随后的退火处理促使缺陷态退火,有效恢复载流子迁移率与寿命,从而实现光学增益的显著回升。实验结果表明,适当温度退火可选择性消除深能级缺陷,提升材料内部量子效率。该发现为辐照损伤SiC光电器件的功能修复提供了可行路径,对极端环境下光探测器的可靠性优化具有重要意义。

解读: 该SiC器件辐照损伤修复技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在新能源汽车驱动系统和充电桩产品中,SiC MOSFET长期工作在高温、高压、强电磁环境下,宇宙射线和高能粒子辐照会引入晶格缺陷,导致器件性能退化。研究揭示的退火修复机制为ST储能变流器、电机驱动控制器中SiC模块的可靠性提升提供理论依...

光伏发电技术 储能系统 GaN器件 ★ 5.0

用于室内光伏的全聚合物有机太阳能电池中的融合咔唑受体

All-polymer organic solar cells with fused carbazole acceptors for indoor photovoltaics

Yue Zhang · Bo Wang · Xin Li · Chengyi Xiao 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

物联网的快速发展亟需高效、免维护的能源解决方案。有机太阳能电池因其与室内光源光谱的良好匹配性,在室内能量采集方面展现出巨大潜力。本研究设计了一种基于融合咔唑的聚合物受体(PCzT),具有可调光学带隙、刚性平面骨架及优异的电子传输性能。基于该受体的器件在AM1.5G光照下效率达8.15%,在3000 K、1000 lux室内照明下高达11.63%,优于当前最先进的聚合物受体。通过关联纳米形貌与器件性能,发现优化的界面堆积结构可有效提升电荷提取并抑制复合,为高性能聚合物受体的设计提供了明确指导。

解读: 该全聚合物有机太阳能电池技术对阳光电源室内物联网供电方案具有重要应用价值。其11.63%的室内光伏效率可为iSolarCloud云平台的分布式传感器节点、智能运维监测设备提供免维护电源解决方案。融合咔唑受体的宽带隙特性与室内光谱匹配,可集成到储能系统ST系列的室内监控模块,替代传统电池供电。该技术的...

光伏发电技术 ★ 5.0

GaAs (110)衬底和GaAs/AlGaAs核壳纳米线的光伏效应

Photovoltaic effects of the GaAs (110) substrate and GaAs/AlGaAs core–shell nanowires

Noriyuki Urakami · Rin Funase · Yuri Suzuki · Keisuke Minehisa · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

研究了GaAs (110)衬底及GaAs/AlGaAs核壳纳米线的光伏特性。通过分子束外延法生长纳米线结构,并利用表面光电压谱和时间分辨光致发光技术分析载流子动力学行为。结果表明,核壳结构显著增强了光生载流子的分离效率与寿命,且(110)取向衬底具有优异的光吸收与电荷输运性能。该工作为高效III-V族半导体纳米线光伏器件的设计提供了实验依据。

解读: 该GaAs/AlGaAs核壳纳米线光伏技术对阳光电源具有前瞻性研究价值。核壳结构显著提升的载流子分离效率与寿命,可为SG系列光伏逆变器的MPPT算法优化提供新型高效光伏电池的特性参数支持。(110)取向衬底的优异光吸收与电荷输运性能,对开发高转换效率的III-V族多结太阳能电池具有指导意义,可应用于...

光伏发电技术 SiC器件 ★ 5.0

通过周期性Mo背接触织构增强CZTSSe太阳能电池在带边的光谱响应和电荷传输

Boosting spectral response at band edge and charge transport in CZTSSe solar cells by periodic Mo back-contact texturing

Yuhao Zhang · Letu Siqin · Ruijian Liu · Yunjie Bai 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

内蒙古自治区半导体光伏技术与能源材料重点实验室,量子物理与技术研究中心,内蒙古大学物理科学与技术学院。

解读: 该CZTSSe电池背接触织构技术对阳光电源SG系列光伏逆变器的组件适配具有参考价值。周期性Mo背接触通过增强带边光谱响应和电荷传输,可提升薄膜电池在长波段的光电转换效率,这与阳光电源MPPT算法优化方向一致。该技术对低辐照条件下的发电性能提升明显,可为SG系列逆变器的宽电压窗口设计和弱光跟踪算法提供...

储能系统技术 储能系统 深度学习 ★ 5.0

基于溅射BiSb的垂直磁隧道结中自旋轨道矩增强及其在神经形态计算中的应用

Enhancement of spin–orbit torque in sputtered BiSb-based perpendicular magnetic tunnel junctions for neuromorphic computing applications

De Boeck · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

拓扑绝缘体因其高效产生自旋轨道矩(SOT)的潜力,在低功耗磁阻随机存取存储器中具有重要前景。本研究将BiSb集成至垂直磁隧道结(pMTJ)中,实现高效的SOT翻转。通过优化BiSb厚度并引入Ta缓冲层,阻尼类SOT效率提升三倍,开关电流降低60%。X射线衍射表明,随着BiSb厚度增加,晶体质量改善,有助于增强自旋电流生成。所制备的BiSb-pMTJ展现出渐进式长时程增强/抑制及脉冲电流下的S型电阻调控等关键神经形态功能。基于实验提取的器件特性构建三层人工神经网络,实现了高精度手写数字识别。

解读: 该BiSb基自旋轨道矩磁隧道结技术对阳光电源储能系统具有前瞻性应用价值。其低功耗、高效能的神经形态计算特性可应用于:1)PowerTitan储能系统的智能BMS芯片,通过片上AI实现电池状态实时预测,功耗降低60%可延长备用电源续航;2)iSolarCloud边缘计算节点,利用其渐进式学习特性实现本...

光伏发电技术 ★ 5.0

通过过渡金属硫族化合物极化激元实现面向热光伏的近至远红外全向光谱调控

Near- to far-infrared omnidirectional spectral control of thermal emission via transition metal chalcogenide polaritonics for thermophotovoltaics

Qixiang Wang · Zhequn Huang · Heng Zhang · Yilin Feng 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本文提出利用过渡金属硫族化合物中的极化激元效应,实现从近红外到远红外波段的全向热辐射光谱调控。该方法通过精确设计材料的介电响应与表面模式耦合,显著增强特定波长范围内的热发射效率,同时抑制非辐射损耗。实验结果表明,该结构在宽角度范围内具有优异的光谱选择性和发射稳定性,适用于高效热光伏系统中的能量转换与管理,为中长波红外热辐射调控提供了新途径。

解读: 该热光伏光谱调控技术对阳光电源光热发电及综合能源系统具有前瞻价值。过渡金属硫族化合物极化激元实现的近-远红外全向发射调控,可应用于工业余热回收与热光伏转换场景,与SG系列逆变器配合构建新型热电联供系统。其宽角度光谱选择性技术可启发光伏组件热管理优化:通过选择性热辐射涂层降低组件工作温度,提升SG逆变...

储能系统技术 ★ 5.0

先进储能中极化调控的展望

Perspective on polarization regulation for advanced energy storage

Nano Energy · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

西安交通大学电子科学与工程学院电子材料研究实验室、教育部重点实验室及国际介电研究中心针对先进储能中的极化调控问题进行了系统性探讨。研究表明,通过精准调控材料的电子、离子及界面极化行为,可显著提升储能器件的能量密度与充放电效率。本文综述了当前极化机制的理解进展,提出了多尺度极化协同优化策略,为下一代高性能储能材料的设计提供了理论指导和技术路径。

解读: 该极化调控技术对阳光电源储能系统具有重要应用价值。在PowerTitan大型储能系统中,通过优化电解质界面极化和离子传输特性,可提升电池单元的能量密度和循环寿命;在ST系列储能变流器的薄膜电容和母线电容设计中,应用电子极化调控机制可降低介电损耗、提高功率密度;对于SiC/GaN功率器件的栅极氧化层,...

光伏发电技术 储能系统 ★ 5.0

测量室内光伏器件的关键指标

Essential metrics for measuring indoor photovoltaics

Muhammad Ahsan Saeed · Nano Energy · De Rossi · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

室内光伏(IPV)器件作为低功耗电子设备在环境光照下的可持续电源正受到广泛关注。然而,缺乏标准化的测试方法和报告规范限制了技术间的有效比较与进步。本文综述最新研究进展,提出可靠表征IPV所需的关键参数与实践要点,涵盖光源校准、光谱匹配、器件遮蔽及温度控制等方面,以提升实验可重复性并实现公平性能评估。本展望旨在为建立统一的室内光伏测试标准提供基础框架。

解读: 该室内光伏标准化测试方法对阳光电源拓展低功耗应用场景具有重要参考价值。文章提出的光谱匹配、温度控制等表征规范可直接应用于SG系列微型逆变器在室内分布式发电的MPPT算法优化,特别是弱光环境下的功率追踪精度提升。对于储能系统,IPV器件的精确性能评估有助于开发ST系列小型储能变流器与室内光伏的集成方案...

光伏发电技术 ★ 5.0

GaInP吸收层设计优化以实现40%以上的室内光伏转换效率

Optimization of GaInP absorber design for indoor photovoltaic conversion efficiency above 40%

Malte Klitzke · Patrick Schygulla · Christoph Klein · Peter Kleinschmidt · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本研究通过系统优化GaInP吸收层的结构与组分设计,显著提升了其在室内光照条件下的光伏转换效率。结合能带工程与载流子输运特性分析,优化后的器件在标准室内光源下实现了超过40%的能量转换效率,创下了同类器件的新纪录。实验结果表明,精确控制磷化镓铟的组分梯度与掺杂分布可有效降低非辐射复合损失并增强光生载流子收集效率。该工作为高效室内光伏技术的发展提供了关键材料设计策略。

解读: 该GaInP室内光伏技术对阳光电源储能与新能源产品线具有重要应用价值。40%以上的室内转换效率可应用于iSolarCloud智能运维系统的无线传感器节点供电,替代传统电池方案实现免维护运行。在PowerTitan储能系统的分布式监测单元中,该技术可为温度、电流传感器提供持续能源,降低布线成本。对于充...

储能系统技术 储能系统 储能变流器PCS ★ 5.0

高压变质1064 nm InGaAs多结激光能量转换器

High-voltage metamorphic 1064 nm InGaAs multi-junction laser power converters

Mingjiang Xia · Yurun Sun · Tingting Li · Shuzhen Yu 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

基于GaAs衬底的变质InGaAs激光能量转换器(LPCs)是长距离高功率电能传输的理想候选器件。本研究采用组分渐变并包含反向与过调层的AlGaInAs变质缓冲层,在偏角(100)GaAs衬底上生长了1064 nm波长的In0.25Ga0.75As六结LPC,以缓解1.8%晶格失配。制备的3×3 mm²孔径LPC在14.05 W/cm²激光功率密度下实现了28.26%的最大转换效率、4.59 V的开路电压和81.76%的填充因子。开路电压和效率的温度系数分别为−8.46 mV/K和−0.063%...

解读: 该高压变质InGaAs多结激光能量转换器技术为阳光电源开拓无线电能传输领域提供新思路。其28.26%的光电转换效率和4.59V高压输出特性,可应用于ST储能系统的远程无线充电场景,特别是矿山、海岛等有线传输困难区域。六结串联架构实现高电压输出的设计理念,可借鉴至SG光伏逆变器的多电平拓扑优化,减少D...

光伏发电技术 ★ 5.0

从第一性原理揭示三元硫族化合物NaBiS2中优异光伏性能的起源

Revealing the origin of promising photovoltaic performance in ternary chalcogenide NaBiS2 from first principles

Nano Energy · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本文采用第一性原理计算研究了三元硫族化合物NaBiS2的电子结构与光学性质,揭示了其优异光伏性能的微观机制。结果表明,NaBiS2具有直接带隙特征和较强的光吸收能力,导带底与价带顶主要由Bi的6p和S的3p轨道贡献,呈现出弱载流子有效质量与高载流子迁移率特性。此外,材料表现出良好的缺陷容忍性和适中的带隙,有利于实现高开路电压与高光电转换效率。本工作为NaBiS2作为新型光伏材料的应用提供了理论依据。

解读: 该NaBiS2三元硫族化合物的光伏特性研究对阳光电源光伏材料选型具有前瞻参考价值。其直接带隙、强光吸收和高载流子迁移率特性,可为SG系列光伏逆变器的MPPT算法优化提供新型电池材料的I-V特性数据支撑。材料的缺陷容忍性和适中带隙有利于实现高开路电压,这与阳光电源1500V高压系统的技术路线高度契合,...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

一种具有可切换透射/吸收频带的能量选择性吸波体

An energy-selective rasorber with switchable transmission/absorption band

Han Xiong · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本文提出了一种集成了频率选择性吸波体与能量选择表面(ESS)功能的结构,通过嵌入PIN二极管实现低功率下透波与高功率下吸波功能的动态切换。该结构由上层宽带吸波结构和下层可调频率选择结构组成。在低功率时,5.6–6.4 GHz频段内插入损耗低于0.5 dB,反射系数小于−10 dB,具备良好吸波性能;高功率时,反射与透射系数均小于−10 dB,实现高效吸收。相比现有ESS设计,该结构可有效切换透射与吸收频带,兼具防护与隐身功能,且具有高吸收效率和低插入损耗。

解读: 该能量选择性吸波体技术对阳光电源电磁兼容设计具有重要参考价值。在ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统中,SiC/GaN高频功率器件产生的电磁干扰是关键挑战,该技术提出的可切换透射/吸收机制可启发开发智能EMI抑制方案:正常运行时保持通信频段透射,故障或高干扰工况下切换至吸收模式。其宽...

电动汽车驱动 SiC器件 ★ 5.0

碳化硅中自旋中心的多射频光子光谱相位控制

Phase control of multi-RF photon spectroscopy of spin centers in SiC

Kingshuk Mallick · United Kingdom · Cristian Bonato · Alton Horsfall · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

通过射频(RF)激发实现对碳化硅中硅空位中心(⁠VSi⁻⁠)的自旋操控,为室温量子传感提供了可行途径。传统单RF天线方案对入射RF辐射的极化控制有限。本文展示了一种基于连续波光学系统的改进方法,实现了RF极化调控,并用于探测4H-SiC中VSi⁻缺陷的多射频光子磁共振。ODMR谱中多光子峰与零场分裂峰的RF功率依赖性差异表明其不同物理起源。在外加静态磁场下仍可检测到这些共振。通过引入额外RF源以调控极化,有助于揭示其机制。

解读: 该SiC自旋中心量子传感技术对阳光电源功率器件应用具有前瞻价值。研究揭示的VSi⁻缺陷多光子磁共振特性,可用于SiC MOSFET/二极管的非破坏性缺陷检测与可靠性评估。通过RF相位控制的ODMR光谱技术,能够精准表征SiC器件内部晶格缺陷分布,这对ST储能变流器、SG光伏逆变器中大量应用的SiC功...

光伏发电技术 宽禁带半导体 ★ 5.0

刚性和柔性基底上的宽禁带钙钛矿光伏用于室内光能收集

Wide bandgap perovskite photovoltaic on rigid and flexible substrates for indoor light harvesting

Ram Datt · United Kingdom · Jinyan Guo · Renxing Lin 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本研究报道了在刚性和柔性基底上制备的宽禁带钙钛矿太阳能电池在室内光照条件下的光伏性能。通过优化钙钛矿薄膜质量与界面工程,器件在标准室内照明下展现出优异的光电转换效率与稳定性。该工作验证了此类电池在低光强环境下为物联网设备供电的潜力,且柔性器件表现出良好的机械耐久性,适用于可穿戴与曲面集成应用。

解读: 该宽禁带钙钛矿室内光伏技术对阳光电源智能运维和储能系统具有重要应用价值。可应用于iSolarCloud云平台的分布式传感器节点供电,利用其在低光强环境下的高效光电转换特性,为光伏电站的温度、辐照度、组件状态等监测设备提供自供电方案,降低运维成本。柔性基底特性适合集成于ST储能系统的曲面监测模块和Po...

电动汽车驱动 ★ 5.0

关态常闭型硼掺杂金刚石MOSFET器件击穿电压超过1.7 kV

Normally-off boron-doped diamond MOSFETs with a breakdown voltage over 1.7 kV

作者未知 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

在150 nm厚的外延层上制备了硼掺杂金刚石(B-diamond)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。测得其阈值电压为-8.0 V,表现出关态常闭特性。由于硼掺杂剂的高电离能及较薄的外延层,B-diamond中形成的空穴数量有限,且可能被Al2O3/B-diamond界面捕获,导致器件呈现常闭行为。该B-diamond MOSFET的绝对击穿电压超过1.7 kV,在栅-漏电极间距为11.3 μm时,计算得到击穿电场达1.52 MV/cm,超过以往同类器件两倍以上。

解读: 该常闭型金刚石MOSFET技术对阳光电源功率器件应用具有前瞻价值。1.7kV击穿电压和1.52MV/cm击穿电场强度显著超越现有SiC器件性能,可应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的高压功率模块设计。金刚石材料的超宽禁带特性(5.5eV)可实现更高工作温度和更低导通损耗,优化三电平拓扑效率...

功率器件技术 SiC器件 GaN器件 ★ 5.0

10 kV E模式GaN HEMT:击穿电压提升的物理机制

10 kV E-mode GaN HEMT: Physics for breakdown voltage upscaling

Yijin Guo · Yuan Qin · Matthew Porter · Zineng Yang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本文报道了一种实现10 kV高击穿电压的增强型(E-mode)GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)。通过优化器件结构与材料生长工艺,结合电场调制技术,有效提升了器件的耐压能力。研究系统分析了影响击穿电压的关键物理机制,包括二维电子气分布、缓冲层设计及表面电场调控。实验结果表明,该器件在保持低导通电阻的同时实现了超过10 kV的击穿电压,为高压功率电子器件的应用提供了可行方案。

解读: 该10kV E模式GaN HEMT技术对阳光电源的高压产品线具有重要应用价值。高击穿电压特性可显著提升ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的功率密度,有助于实现1500V以上高压系统设计。低导通电阻特性可降低PowerTitan等大功率产品的开关损耗,提高系统效率。此外,该GaN器件的电场调制技术...

光伏发电技术 ★ 5.0

AgBiI4中理论缺陷工程以提升光伏性能

Theoretical defect engineering in AgBiI4 for enhanced photovoltaic performance

Quanhe Yan · Haoze Li · Zhongyi Luo · Haoyu Cao · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本文通过第一性原理计算研究了AgBiI4中的缺陷性质,并提出缺陷工程策略以提升其光伏性能。结果表明,通过调控合成条件可有效抑制深能级缺陷的形成,增强载流子寿命与迁移率。掺杂研究表明,适量Cu替代Ag或Sb替代Bi可优化载流子浓度并降低缺陷态密度。此外,碘空位的容忍性较高,有利于器件制备过程中的稳定性。本工作为AgBiI4基太阳能电池的材料设计与性能优化提供了理论指导。

解读: 该AgBiI4缺陷工程研究为阳光电源光伏产品提供了材料层面的理论指导。研究中通过Cu/Sb掺杂优化载流子浓度、抑制深能级缺陷的策略,可应用于SG系列光伏逆变器的上游组件材料选型与供应链质量管控。碘空位容忍性高的发现对提升组件长期稳定性具有参考价值,有助于优化iSolarCloud平台的衰减预测模型。...

光伏发电技术 储能系统 GaN器件 ★ 5.0

基于全无机钙钛矿的室内光伏器件研究进展

Recent progress in indoor photovoltaics based on all-inorganic perovskites

Yu Qi · Wenjie Xu · Yanhui Lou · Lai Feng · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

物联网设备的快速发展对适用于室内光照条件下为低功耗电子设备供电的可持续能源技术提出了迫切需求。在此背景下,室内光伏(IPV)技术成为实现物联网系统持续供能的重要解决方案。为提升室内光能转换效率,IPV吸光材料需具备1.7–1.9 eV的适宜带隙以匹配室内光源光谱,并具有高缺陷容忍性以抑制非辐射复合。全无机钙钛矿(AIPs),尤其是CsPbI3和CsPbI2Br,因其优异的光电性能和稳定性,成为理想的IPV材料。近年来,基于AIPs的IPV器件在室内光照下光电转换效率已突破40%,显著优于传统硅基...

解读: 全无机钙钛矿室内光伏技术对阳光电源物联网供能方案具有重要应用价值。该技术在室内弱光条件下效率突破40%,可应用于:1)ST储能系统的分布式传感器节点自供电,替代传统电池降低运维成本;2)iSolarCloud云平台的无线监测终端,实现免维护持续供能;3)充电桩的辅助电源系统,为通信模块、显示屏等低功...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 5.0

低泄漏全垂直式GaN-on-Si功率MOSFET

Low leakage fully-vertical GaN-on-Si power MOSFETs

Yuchuan Ma · Hang Chen · Shuhui Zhang · Huantao Duan 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本文报道了基于6英寸低阻Si衬底上生长的7.6 μm厚NPN外延结构的全垂直式GaN-on-Si功率MOSFET,器件具有优异的关断特性。该结构省去了传统n+-GaN漏极接触层,有效缓解了GaN生长过程中硅掺杂引起的拉应力,从而实现了在Si衬底上构建7 μm厚n--GaN漂移层的设计空间。器件在1 mA/cm²的低关态漏电流密度下实现567 V的高击穿电压,同时展现4.2 V阈值电压的增强型工作模式、7.8 mΩ·cm²的低比导通电阻和高达8 kA/cm²的导通电流密度。结果表明,在低成本Si衬...

解读: 该全垂直GaN-on-Si功率MOSFET技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。567V击穿电压和7.8mΩ·cm²超低导通电阻特性,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的DC-DC变换级,相比现有Si MOSFET显著降低开关损耗。基于低成本6英寸Si衬底的工艺路线,为阳光电源功率...

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