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排序:
储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 5.0

一种用于氮化镓HEMT的带Miller钳位电路的新型串扰抑制方法

A Novel Crosstalk Suppression Method With Miller Clamp Circuit for GaN HEMTs

Tianci Wang · Chuang Bi · Siyong Luo · Fan Li 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月

氮化镓(GaN)功率器件展现出显著特性,如高开关速度和低传导损耗,从而有助于提高开关电源转换器的效率和功率密度。然而,氮化镓功率器件高开关速度和低导通阈值的优势也使其容易受到桥臂串扰的影响。为解决上述问题,本文提出了一种新型米勒钳位栅极驱动器(NMCGD)。本文首先详细阐述了NMCGD的工作原理。在NMCGD中,它利用负电压使氮化镓关断过程中的双极结型晶体管(BJT)处于饱和状态。这一操作有效地将部分驱动电阻短路,降低了驱动回路的阻抗并抑制了串扰,同时在确保快速导通和关断速度的情况下,还减少了栅...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项针对GaN HEMT器件桥臂串扰抑制的新型Miller钳位驱动技术具有重要的应用价值。GaN功率器件凭借其高开关速度和低导通损耗特性,正成为光伏逆变器和储能变流器实现高功率密度、高效率的关键技术路径,这与公司产品向小型化、轻量化发展的战略高度契合。 该论文提出的新型M...