← 返回
一种基于米勒钳位电路的GaN HEMT串扰抑制新方法
A Novel Crosstalk Suppression Method With Miller Clamp Circuit for GaN HEMTs
| 作者 | Tianci Wang · Chuang Bi · Siyong Luo · Fan Li · Wei Bao |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN HEMTs 串扰抑制 米勒钳位电路 开关速度 功率变换器 可靠性 |
语言:
中文摘要
氮化镓（GaN）功率器件凭借高开关速度和低导通损耗，显著提升了开关变换器的效率与功率密度。然而，其高开关速度和低阈值电压特性也使其易受桥臂串扰影响。本文提出了一种新型米勒钳位电路，旨在有效抑制GaN器件的串扰问题，提升系统运行可靠性。
English Abstract
Gallium nitride (GaN) power devices exhibit noteworthy characteristics, such as high switching speeds and low conduction losses, thereby facilitating enhanced efficiency and power density in switching power converters. Nevertheless, the advantages of high switching speeds and low conduction thresholds in GaN power devices also render them susceptible to bridge-leg crosstalk. To resolve the above i...
S
SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对功率密度要求的不断提升，GaN器件的应用成为技术演进的重要方向。该研究提出的米勒钳位电路能有效解决GaN器件在高频开关下的串扰误导通问题，直接提升逆变器桥臂的可靠性。建议研发团队在下一代高频化、小型化组串式逆变器及微型逆变器设计中引入该抑制方案，以在保证高效率的同时，降低因串扰导致的器件失效风险，进一步优化产品体积与散热设计。