混合式中压直流断路器中非对称IGCT器件二极管感应反向电压应力的抑制

Suppression of Diode-Induced Reverse Voltage Stress for the Asymmetric IGCT Device in the Hybrid MVDC Circuit Breaker

作者	Jiayu Fan · Yu Xiao · Xinming Shao · Zhonghao Dongye · Yifei Wu · Yi Wu · Wei Xu · Dongsheng Yang
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2026年1月
技术分类	功率器件技术
技术标签	功率模块可靠性分析
相关度评分	★★★ 3.0 / 5.0
关键词	非对称IGCT MVDC断路器反向电压应力续流二极管器件可靠性电流均流

语言:

中文摘要

非对称集成门极换流晶闸管（IGCT）在混合式中压直流（MVDC）断路器中常用于电流分担与续流，以提升真空灭弧室的介电恢复能力。本文针对续流二极管导通期间，非对称IGCT器件承受的反向电压应力问题进行研究，旨在抑制该应力以防止器件失效。

English Abstract

The asymmetric integrated gate commutated thyristor (IGCT) device is widely used in the hybrid medium-voltage direct current (MVDC) circuit breaker for current sharing and freewheeling, to improve the dielectric recovery of the vacuum interrupter. During freewheeling diode (FWD) conduction, the reverse voltage on the asymmetric IGCT device has to be suppressed to prevent device failure. Moreover, ...

SunView 深度解读

该研究聚焦于高压大功率电力电子器件（IGCT）在直流断路器中的应用及可靠性。虽然阳光电源目前的主力产品（光伏逆变器、储能PCS）多采用IGBT或SiC模块，但随着公司在大型储能系统及直流输配电领域（如PowerTitan系列、高压直流耦合方案）的深入布局，对高压直流断路技术及功率器件的极端工况保护具有前瞻性参考价值。该技术可为未来更高电压等级的储能变流器及直流侧保护方案提供器件驱动与应力抑制的理论支撑，有助于提升系统在复杂电网环境下的可靠性。