找到 32 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

考虑共源极电感的SiC MOSFET有源栅极驱动耦合噪声建模与优化算法

Modeling and Optimization Algorithm of Coupling Noise for SiC MOSFET Active Gate Driver Considering Common-Source Inductance

Hengyang Liu · Wubin Kong · Gen Long · Hangchuan Lou 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月

SiC MOSFET的高开关速度受限于桥臂配置中的耦合噪声。传统方法主要关注由栅漏电容引起的噪声,并通过有源栅极驱动(AGD)降低栅极阻抗来抑制。然而,当存在共源极电感(Ls)时,噪声尖峰并不随栅极阻抗严格增加。本文针对该现象提出了新的建模与优化算法。

解读: 随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan储能系统向更高功率密度和更高开关频率演进,SiC器件的应用已成为提升效率的关键。该研究深入分析了共源极电感对SiC开关噪声的影响,对于优化高频功率模块的驱动电路设计具有极高参考价值。建议研发团队在下一代高频逆变器及PCS产品开发中,引入该动态建模方法,以...

拓扑与电路 DAB 双向DC-DC 单相逆变器 ★ 5.0

基于倍频功率控制的两级单相变换器直流母线电压纹波与DAB电流应力优化与权衡

Optimization and Tradeoff of DC Bus Voltage Ripple and DAB Current Stress in Two-Stage Single-Phase Converter by Double-Line-Frequency Power Control

Fei Xiong · Peng Wu · Hongyu Yang · Kaibi Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年11月

针对两级单相系统中存在的倍频瞬时功率问题,本文提出了一种倍频功率控制方法。该方法旨在实现双有源桥(DAB)DC/DC变换器的电流应力与直流母线电压纹波之间的优化与权衡,通过调节DAB中的不同倍频功率分量,有效改善系统性能。

解读: 该研究直接关联阳光电源的核心产品线,特别是户用光伏逆变器及储能变流器(PCS)。在单相储能系统中,直流母线电压纹波与DAB变换器的电流应力是影响系统效率、电容寿命及功率密度的关键因素。该控制策略能够优化DAB的运行特性,有助于提升阳光电源户用储能系统(如PowerStack系列)的转换效率,并降低对...

系统并网技术 微电网 下垂控制 储能变流器PCS ★ 5.0

混合交直流微电网全局经济运行与韧性增强的分布式统一控制

Distributed Unified Control for Global Economic Operation and Resilience Reinforcement of Hybrid AC–DC Microgrids

Xiangke Li · Minghao Wang · Chaoyu Dong · Wentao Jiang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月

本文针对混合交直流微电网(HMG),提出了一种双向互联变换器(BILC)的分布式统一控制策略。该方法通过在交流和直流子网间实现灵活的功率交互,在保障系统韧性的同时,优化了全局经济运行。通过引入经济下垂控制,实现了交直流分布式电源(DG)的协同调度。

解读: 该研究直接契合阳光电源PowerTitan和PowerStack储能系统在微电网场景下的应用。分布式统一控制策略可提升阳光电源PCS在复杂交直流混合环境下的功率调度灵活性,增强系统在弱电网或离网状态下的韧性。建议研发团队将该经济下垂控制算法集成至iSolarCloud智能运维平台及PCS控制器中,以...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

考虑动态传输特性和Qgd的SiC MOSFET精确解析开通损耗模型

Accurate Analytical Switching-On Loss Model of SiC MOSFET Considering Dynamic Transfer Characteristic and Qgd

Zezheng Dong · Xinke Wu · Hongyi Xu · Na Ren 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年11月

碳化硅(SiC)器件助力电力电子设备实现小型化与高效化,但散热设计成为系统设计的关键。本文提出了一种基于数据手册参数的SiC MOSFET解析开通损耗模型,通过考虑动态传输特性和栅漏电荷(Qgd)的影响,实现了对功率损耗的精确评估,为优化散热设计及提升系统功率密度提供了理论支撑。

解读: 该研究对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan系列储能系统向高功率密度演进,SiC器件的应用日益广泛。该解析模型能显著提升研发阶段对SiC MOSFET损耗的预测精度,从而优化散热器选型与PCB布局,降低系统体积与成本。建议将该模型集成至iSolarCloud的...

拓扑与电路 LLC谐振 储能变流器PCS 充电桩 ★ 5.0

数字LLC变换器在电池充电应用中的量化电流纹波机制

Current Ripple Mechanism with Quantization in Digital LLC Converters for Battery Charging Applications

Zhiliang Zhang · Ya-Qi Wu · Dong-Jie Gu · Qianhong Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年2月

本文研究了数字控制LLC变换器中电流纹波的传播机制,重点分析了电池负载、量化误差及输入端双倍工频扰动的影响。研究指出,在传统频率调制(FM)下,数字控制器有限的分辨率会导致量化误差,进而引发显著的电流纹波,影响电池充电性能。

解读: 该研究直接关联阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及电动汽车充电桩业务。LLC变换器是实现高效率双向DC-DC变换的核心拓扑。针对数字控制带来的量化误差引起的电流纹波问题,建议研发团队在PCS控制算法中引入高分辨率PWM技术或改进型数字频率调制策略,以降低纹波对电池寿命...

拓扑与电路 DC-DC变换器 双向DC-DC 储能变流器PCS ★ 4.0

具有宽三阶电压转换比的DC/DC变换器拓扑推导方法

Topology Derivation Method of DC/DC Converter With Wide Third-Order Voltage Conversion Ratio

Mi Dong · Hongsheng He · Jingyang Zhou · Zhendong Wu 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月

本文提出了一种推导具有宽三阶电压转换比的DC/DC变换器拓扑的方法。基于伏秒平衡方程,定义了两组参数来描述拓扑结构,并推导了电压转换比系数。随后,通过设定参数约束(如避免输入电流脉动等),实现了对高性能变换器拓扑的系统性筛选与优化。

解读: 该研究提出的宽电压增益DC/DC拓扑推导方法,对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及户用储能PCS具有重要参考价值。在储能应用中,电池电压范围宽,要求PCS具备高效率、高功率密度的DC/DC级。该方法有助于研发团队系统性地筛选出更优的变换器拓扑,以应对宽电压输入下的高...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

一种考虑动态CG(VDS, VGS)的P-GaN栅极HEMT开关瞬态分析模型

An Efficient Switching Transient Analytical Model for P-GaN Gate HEMTs With Dynamic CG(VDS, VGS)

Jiahong Du · Caien Sun · Qiuyi Tang · Bomin Jiang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

准确的栅极电容模型对于氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的开关瞬态分析至关重要。本文通过分析p-GaN/AlGaN/GaN栅极结构的充电过程,提出了一种考虑VDS和VGS双重依赖性的动态栅极电容CG(VDS, VGS)模型,并通过实测结果验证了该模型的有效性。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度和高效率的需求日益增长,GaN器件的应用前景广阔。该研究提出的动态栅极电容模型能够更精确地预测GaN器件的开关损耗和瞬态特性,有助于优化驱动电路设计,减少电磁干扰(EMI)。建议研发团队在开发下一代高频、高效率组串式逆变器及微型逆变器时,引入...

拓扑与电路 DC-DC变换器 多电平 微电网 ★ 4.0

基于自适应观测器非线性控制方案的交错式多电平升压变换器接口高功率直流微电网大信号稳定性研究

Large-Signal Stabilization of Interleaved Multilevel Boost Converter Interfaced High-Power DC Microgrid Using an Adaptive Observer-Based Nonlinear Control Scheme

Wentao Jiang · Zhishuang Wang · Xiangke Li · Rui Ma 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年7月

交错式多电平升压变换器(IMBC)凭借低电流纹波和高电压增益优势,成为连接低压能源与直流微电网母线的理想拓扑。针对直流微电网中恒功率负载(CPL)带来的系统失稳风险,本文提出了一种基于自适应观测器的非线性控制方案,有效提升了IMBC接口直流微电网的大信号稳定性。

解读: 该研究针对高功率直流微电网中的IMBC拓扑及恒功率负载稳定性问题,对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及光储一体化直流耦合方案具有重要参考价值。随着直流微电网应用增多,CPL带来的负阻抗特性易引发系统振荡,该文提出的非线性控制与自适应观测器方案,可优化PCS在弱电网或...

拓扑与电路 光伏逆变器 储能变流器PCS 多电平 ★ 4.0

一种基于图论与数论的电力电子拓扑描述方法及等效性判断

A Graph and Number Theory Based Description Method and Equivalence Judgment of Power Electronics Topology

Chenyao Xu · Mi Dong · Ruijin Liang · Mengxuan Li 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月

针对现有电力电子拓扑描述方法难以全面表征拓扑特性及判断等效性的问题,本文提出了一种融合图论与数论的创新描述方法。通过为拓扑结构分配素数权重,实现了对复杂电力电子电路的数学化建模与等效性判定,为拓扑优化与创新设计提供了理论支撑。

解读: 该研究提出的拓扑描述与等效性判断方法对阳光电源的研发具有重要意义。在光伏逆变器(如组串式、集中式)及储能变流器(PowerTitan/PowerStack)的研发过程中,拓扑创新是提升效率与功率密度的核心。该方法可辅助研发团队快速筛选和验证新型拓扑结构,减少物理样机试错成本。特别是在多电平拓扑及复杂...

功率器件技术 GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

基于银烧结工艺的GaN HEMT三维集成功率模块

A 3-D Integrated Power Module of GaN HEMTs Based on Silver Sintering Processes

Zezheng Dong · Haidong Yan · Yinxiang Fan · Xinke Wu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年3月

本文提出了一种GaN HEMT的三维集成封装方法。通过将柔性PCB集成到GaN芯片上实现重布线层(RDL),扩大了电极面积及间距。该结构将GaN芯片夹在多层PCB与活性金属钎焊(AMB)基板之间,并利用银烧结工艺提升了模块的散热与电气性能。

解读: 该技术对阳光电源的高功率密度产品线具有重要参考价值。随着光伏逆变器和储能变流器(如PowerTitan系列)向更高功率密度演进,GaN等宽禁带半导体的应用是提升效率的关键。该三维封装方案通过银烧结和RDL技术有效解决了GaN器件在高频下的寄生参数和散热瓶颈,有助于减小逆变器体积并提升系统效率。建议研...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 PFC整流 ★ 4.0

基于多组双脉冲测试的GaN功率HEMT正向/反向导通动态导通电阻表征

Dynamic On-Resistance Characterization of GaN Power HEMTs Under Forward/Reverse Conduction Using Multigroup Double Pulse Test

Zonglun Xie · Xinke Wu · Zezheng Dong · Jiahui Sun 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年2月

在无桥PFC变换器和逆变器中,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在正向和反向导通模式下工作,其动态导通电阻(RON)表现可能存在差异。尽管正向导通下的动态RON研究已较为成熟,但反向导通模式下的动态RON仍需全面评估。本文提出了一种基于多组双脉冲测试的方法,用于表征GaN器件在两种导通模式下的动态RON行为。

解读: GaN器件作为宽禁带半导体,在阳光电源的高功率密度户用逆变器及小型化充电桩产品中具有重要应用潜力。该研究揭示了GaN在反向导通模式下的动态特性,对优化PFC电路及双向变换器的效率和可靠性设计至关重要。建议研发团队在开发下一代高频、高效率逆变器时,参考该测试方法评估GaN器件在复杂工况下的损耗,以提升...

拓扑与电路 双向DC-DC 充电桩 储能系统 ★ 4.0

一种用于恒流输出和效率优化的串联-串联补偿IPT系统单极占空比混合控制策略

A Unipolar-Duty-Cycle Hybrid Control Strategy of Series–Series Compensated IPT System for Constant-Current Output and Efficiency Optimization

Yafei Chen · Hailong Zhang · Nan Jin · Leilei Guo 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年11月

本文提出了一种基于单极占空比(UDC)调制技术的串联-串联补偿感应电能传输(IPT)系统混合控制策略。通过调节占空比和工作频率,系统在耦合系数和负载变化的情况下,能够实现零电压开关(ZVS)和恒流输出(CCO),并进一步优化了系统效率。

解读: 该技术主要针对无线电能传输(IPT)领域,与阳光电源的电动汽车充电桩业务高度相关。随着大功率无线充电技术的发展,该混合控制策略通过优化ZVS实现和恒流控制,可有效提升充电桩的转换效率和动态响应能力。建议研发团队关注该策略在车载无线充电模块中的应用,以提升充电桩产品的竞争力。此外,该技术在储能系统内部...

拓扑与电路 充电桩 双向DC-DC PWM控制 ★ 4.0

一种感应电能传输系统中改进的脉冲密度调制器

An Improved Pulse Density Modulator in Inductive Power Transfer System

Dong Wu · Ruikun Mai · Wei Zhou · Yeran Liu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月

感应电能传输(IPT)广泛应用于电动汽车等领域。本文提出了一种基于改进脉冲密度调制(IPDM)的H桥有源整流器电压控制器。为降低传统脉冲密度调制(PDM)控制器因脉冲序列导致的功率损耗,本文提出了一种通用优化方法,以提升IPT系统的能量传输效率。

解读: 该研究提出的改进脉冲密度调制(IPDM)技术在提升IPT系统效率方面具有显著价值。对于阳光电源的电动汽车充电桩业务,尤其是无线充电应用场景,该算法能有效降低有源整流环节的开关损耗,提升系统整体能效。建议研发团队关注该调制策略在双向DC-DC变换器中的应用,以优化充电桩在不同负载下的动态响应与热性能,...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

一种基于后处理技术的GaN器件开关损耗估算方法

A Postprocessing-Technique-Based Switching Loss Estimation Method for GaN Devices

Minghai Dong · Hui Li · Shan Yin · Yingzhe Wu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月

氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)因其低开关损耗,在高密度功率变换器应用中极具前景,如快充、无线充电和5G电源。然而,GaN器件极快的开关速度使其对寄生参数高度敏感,给准确的损耗评估带来挑战。本文提出了一种基于后处理技术的开关损耗估算方法,旨在解决高频应用下的损耗测量难题。

解读: GaN器件是实现阳光电源下一代高功率密度逆变器和储能系统的关键技术。在户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中,利用GaN替代传统硅基器件可显著提升转换效率并减小体积。该文提出的开关损耗估算方法,有助于研发团队在设计阶段更精准地评估高频开关损耗,优化驱动电路设计,从而降低电磁干扰(EMI)并提升系统可靠性...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

基于氮化镓的全桥变换器PCB寄生电容损耗研究

Research on Losses of PCB Parasitic Capacitance for GaN-Based Full Bridge Converters

Wuji Meng · Fanghua Zhang · Guangdong Dong · Jianping Wu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年4月

宽禁带半导体器件的应用提升了功率变换器的开关频率与功率密度,但PCB寄生参数的影响随之凸显,导致性能下降及额外损耗。本文重点研究了PCB寄生电容引起的额外损耗,为高频功率电路设计提供了理论支撑。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度要求的提升,GaN器件的应用日益广泛。PCB寄生参数在高频开关工况下对效率和EMI性能影响显著。本研究对于优化阳光电源新一代高频组串式逆变器及微型逆变器的PCB布局设计具有重要参考价值,有助于降低高频损耗,提升整机效率。建议研发团队在后续设计...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 4.0

一种具有强抗噪能力的GaN HEMT短路保护电路

A Short-Circuit Protection Circuit With Strong Noise Immunity for GaN HEMTs

Jianping Wu · Wuji Meng · Fanghua Zhang · Guangdong Dong 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年2月

氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)因其高频和高速开关特性备受关注。然而,其短路耐受能力较弱,因此快速短路保护至关重要。此外,GaN HEMT的高开关速度会给保护电路带来严重干扰。本文提出了一种具有强抗噪能力的短路保护电路,以解决上述挑战。

解读: 随着阳光电源在组串式光伏逆变器和户用储能产品中对功率密度要求的不断提升,GaN器件的应用潜力巨大。GaN的高开关速度虽能减小磁性元件体积,但其脆弱的短路耐受能力和高频下的EMI干扰是工程化应用的痛点。该研究提出的强抗噪短路保护方案,对于提升阳光电源下一代高频化逆变器及微型逆变器的可靠性具有重要参考价...

控制与算法 PWM控制 功率模块 ★ 4.0

基于自适应切换高阶扩张状态观测器的电机驱动鲁棒速度控制

Robust Speed Control of Electrical Drives With Reduced Ripple Using Adaptive Switching High-Order Extended State Observer

Shanfeng Zhu · Wenxin Huang · Yajun Zhao · Xiaogang Lin 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月

针对传统扩张状态观测器(ESO)在处理时变扰动时观测精度不足的问题,本文提出了一种增强型速度控制策略。通过引入自适应切换高阶ESO,有效抑制了转矩脉动,提升了电机驱动系统的速度跟踪精度与鲁棒性,为高性能电机控制提供了新方案。

解读: 该技术在电机控制领域具有显著价值,与阳光电源的风电变流器及储能系统中的PCS电机/变流控制逻辑高度契合。高阶ESO算法能有效提升系统在复杂工况下的抗扰动能力,特别是针对风电变流器在弱电网下的动态响应及储能PCS的电流环控制精度有直接提升作用。建议研发团队评估该算法在PowerTitan系列储能变流器...

拓扑与电路 DC-DC变换器 MPPT PWM控制 ★ 4.0

一种基于三端口变换器的分布式直流并网光伏系统及其自主输出电压均压控制

A Three-Port Converter Based Distributed DC Grid Connected PV System With Autonomous Output Voltage Sharing Control

Yangjun Lu · Kai Sun · Hongfei Wu · Xiaofeng Dong 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年1月

本文提出了一种基于混合连接三端口变换器(TPCs)的分布式直流并网光伏发电系统及其控制策略。该配置实现了分布式最大功率点跟踪(MPPT)和自主输出电压均压控制。系统由多个模块化脉宽调制单元组成,有效提升了光伏系统的灵活性与功率处理效率。

解读: 该研究提出的三端口变换器拓扑及分布式控制策略,对阳光电源的组串式逆变器及户用光伏解决方案具有重要的参考价值。通过引入多端口变换技术,可进一步优化光伏组件级的功率处理能力,提升复杂光照条件下的系统效率。建议研发团队关注该拓扑在模块化光伏系统中的应用,特别是其在iSolarCloud平台下的分布式协同控...

功率器件技术 功率模块 可靠性分析 热仿真 ★ 3.0

基于栅极雪崩阈值电压的高精度IGCT结温监测新方法

Novel IGCT Junction Temperature Monitoring Method With High Precision Based on Gate Avalanche Threshold Voltage

Han Wang · Chunpin Ren · Jiapeng Liu · Zhengyu Chen 等13人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

针对集成门极换流晶闸管(IGCT)的可靠性,本文提出了一种基于栅极雪崩阈值电压的结温监测新方法。传统温度敏感电参数(TSEP)方法因灵敏度低(<2 mV/K),精度仅达±5 K。该方法通过利用栅极雪崩特性,显著提升了结温监测的精度,为高功率电力电子器件的实时热状态监控提供了有效方案。

解读: IGCT主要应用于超大功率电力电子领域,如中高压大功率变流器。虽然阳光电源目前的主流产品(组串式/集中式逆变器、储能PCS)多采用IGBT或SiC模块,但该研究提出的高精度结温监测方法对于提升大功率电力电子设备的可靠性具有借鉴意义。建议研发团队关注该TSEP方法在IGBT模块上的迁移应用,通过提升功...

拓扑与电路 充电桩 储能系统 ★ 3.0

用于无线电能传输系统中接收端位置识别与功率增强的3D传感中间线圈

3-D Sensing Intermediate Coils for Receiver Position Identification and Power Enhancement in WPT System

Mi Dong · Mengxuan Li · Jingyang Zhou · Zhendong Wu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月

本文提出了一种基于传感中间线圈的无线电能传输(WPT)系统接收端位置识别方法。通过在发射线圈平面放置传感线圈,实现了对接收线圈三维空间位置的精确计算,从而优化了传输效率与功率输出。

解读: 该技术主要应用于无线充电领域,与阳光电源的电动汽车充电桩业务具有潜在的技术协同性。随着大功率无线充电技术的发展,该方案中关于空间位置识别与功率动态调节的算法,可为公司未来布局自动驾驶车辆的无线充电基础设施提供技术储备。此外,该传感线圈设计思路也可借鉴用于储能系统内部无线传感监测,以提升系统集成度与运...

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