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一种基于后处理技术的GaN器件开关损耗估算方法
A Postprocessing-Technique-Based Switching Loss Estimation Method for GaN Devices
| 作者 | Minghai Dong · Hui Li · Shan Yin · Yingzhe Wu · Kye Yak See |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 氮化镓 GaN HEMT 开关损耗 寄生参数 功率变换器 高功率密度 电力电子 |
语言:
中文摘要
氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）因其低开关损耗，在高密度功率变换器应用中极具前景，如快充、无线充电和5G电源。然而，GaN器件极快的开关速度使其对寄生参数高度敏感，给准确的损耗评估带来挑战。本文提出了一种基于后处理技术的开关损耗估算方法，旨在解决高频应用下的损耗测量难题。
English Abstract
Gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) is a promising candidate for the high-density power converter applications. Due to the low switching loss, the GaN HEMT may lead to a new horizon in the applications, such as fast charger, wireless charging, and 5G power amplifier. However, the fast switching speed of GaN HEMT makes it extremely sensitive to parasitic parameters, espec...
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SunView 深度解读
GaN器件是实现阳光电源下一代高功率密度逆变器和储能系统的关键技术。在户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中，利用GaN替代传统硅基器件可显著提升转换效率并减小体积。该文提出的开关损耗估算方法，有助于研发团队在设计阶段更精准地评估高频开关损耗，优化驱动电路设计，从而降低电磁干扰（EMI）并提升系统可靠性。建议在户用逆变器及微型逆变器产品线中引入该评估模型，以加速宽禁带半导体技术的工程化应用。