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一种具有强抗噪能力的GaN HEMT短路保护电路
A Short-Circuit Protection Circuit With Strong Noise Immunity for GaN HEMTs
| 作者 | Jianping Wu · Wuji Meng · Fanghua Zhang · Guangdong Dong · Jianjun Shu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN HEMT 短路保护 抗噪性 高开关速度 电力电子 可靠性 |
语言:
中文摘要
氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）因其高频和高速开关特性备受关注。然而，其短路耐受能力较弱，因此快速短路保护至关重要。此外，GaN HEMT的高开关速度会给保护电路带来严重干扰。本文提出了一种具有强抗噪能力的短路保护电路，以解决上述挑战。
English Abstract
Gallium nitride high electron mobility transistors (GaN HEMTs) show significant advantages in high frequency and high switching speed applications, which has gathered great interests. Due to the low short-circuit withstand capacity, the short-circuit protection with high response speed is critical for GaN HEMTs. Besides, the high switching speed of GaN HEMTs brings severe interference to protectio...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式光伏逆变器和户用储能产品中对功率密度要求的不断提升，GaN器件的应用潜力巨大。GaN的高开关速度虽能减小磁性元件体积，但其脆弱的短路耐受能力和高频下的EMI干扰是工程化应用的痛点。该研究提出的强抗噪短路保护方案，对于提升阳光电源下一代高频化逆变器及微型逆变器的可靠性具有重要参考价值。建议研发团队关注该电路在驱动保护板中的集成可行性，以加速GaN技术在小功率产品线中的规模化应用。