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基于多组双脉冲测试的GaN功率HEMT正向/反向导通动态导通电阻表征
Dynamic On-Resistance Characterization of GaN Power HEMTs Under Forward/Reverse Conduction Using Multigroup Double Pulse Test
| 作者 | Zonglun Xie · Xinke Wu · Zezheng Dong · Jiahui Sun · Kuang Sheng · Kevin J. Chen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 PFC整流 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN HEMT 动态导通电阻 正向导通 反向导通 功率因数校正 (PFC) 双脉冲测试 电力电子 |
语言:
中文摘要
在无桥PFC变换器和逆变器中，GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）在正向和反向导通模式下工作，其动态导通电阻（RON）表现可能存在差异。尽管正向导通下的动态RON研究已较为成熟，但反向导通模式下的动态RON仍需全面评估。本文提出了一种基于多组双脉冲测试的方法，用于表征GaN器件在两种导通模式下的动态RON行为。
English Abstract
In bridgeless power factor correction converters and inverters, GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) operate in both forward and reverse conduction modes, which may feature different dynamic on-resistance (RON) behaviors. Despite the extensive study of dynamic RON under forward conduction, dynamic RON under reverse conduction still demands comprehensive evaluation. In this letter, the dy...
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SunView 深度解读
GaN器件作为宽禁带半导体，在阳光电源的高功率密度户用逆变器及小型化充电桩产品中具有重要应用潜力。该研究揭示了GaN在反向导通模式下的动态特性，对优化PFC电路及双向变换器的效率和可靠性设计至关重要。建议研发团队在开发下一代高频、高效率逆变器时，参考该测试方法评估GaN器件在复杂工况下的损耗，以提升产品在严苛环境下的长期稳定性，并进一步缩小功率模块体积。