← 返回
考虑共源极电感的SiC MOSFET有源栅极驱动耦合噪声建模与优化算法
Modeling and Optimization Algorithm of Coupling Noise for SiC MOSFET Active Gate Driver Considering Common-Source Inductance
| 作者 | Hengyang Liu · Wubin Kong · Gen Long · Hangchuan Lou · Xianglong Wu · Dawei Li · Zirui Liu · Minghai Dong · Zian Zhao · Yixue Wen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年11月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 组串式逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 有源门极驱动 耦合噪声 共源电感 开关速度 桥臂结构 门极阻抗 |
语言:
中文摘要
SiC MOSFET的高开关速度受限于桥臂配置中的耦合噪声。传统方法主要关注由栅漏电容引起的噪声，并通过有源栅极驱动（AGD）降低栅极阻抗来抑制。然而，当存在共源极电感（Ls）时，噪声尖峰并不随栅极阻抗严格增加。本文针对该现象提出了新的建模与优化算法。
English Abstract
The high switching speed of SiC mosfets is limited by the coupling noise in bridge-leg configurations. Conventional methods focus on the noise introduced by the gate–drain capacitance, which is suppressed by reducing the gate impedance with the active gate driver (AGD). However, when the common-source inductance (Ls) exists, noise spikes are not strictly increasing with gate impedance. The existin...
S
SunView 深度解读
随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan储能系统向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件的应用已成为提升效率的关键。该研究深入分析了共源极电感对SiC开关噪声的影响，对于优化高频功率模块的驱动电路设计具有极高参考价值。建议研发团队在下一代高频逆变器及PCS产品开发中，引入该动态建模方法，以在保证开关速度的同时有效抑制EMI噪声，提升系统电磁兼容性及可靠性。