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一种基于SiC MOSFET集成电流检测FET的死区时间控制栅极驱动器
A Dead-Time-Controlled Gate Driver Using Current-Sense FET Integrated in SiC MOSFET
| 作者 | Akimasa Niwa · Takanori Imazawa · Ryota Kojima · Masahiro Yamamoto · Takanari Sasaya · Takanori Isobe · Hiroshi Tadano |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 组串式逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 门极驱动器 死区时间控制 电流检测 FET 开关损耗 体二极管 电力电子 |
语言:
中文摘要
相比硅基IGBT，SiC MOSFET能显著降低开关损耗与导通损耗。然而，其体二极管较高的正向压降导致死区时间内损耗增加，削弱了整体效率优势。本文提出一种集成电流检测FET的栅极驱动器，通过精确控制死区时间，有效降低SiC MOSFET的体二极管导通损耗，提升系统效率。
English Abstract
In comparison with silicon IGBT, silicon carbide (SiC) MOSFET is expected to reduce the switching loss and the conduction loss and to remove external freewheeling diodes (FWDs). However, its body diode has comparatively high forward voltage; therefore, the diode conduction loss generated during dead time increases. As a result, the loss reduction by the use of the SiC MOSFET can be weakened. This ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器及PowerTitan储能系统）具有极高价值。随着公司产品向高功率密度、高效率演进，SiC器件已成为主流选择。该研究提出的死区时间优化方案，能直接解决SiC MOSFET体二极管损耗问题，进一步提升逆变器在高温及高频工况下的效率。建议研发团队关注该集成电流检测技术，将其应用于下一代高压SiC功率模块驱动电路中，以优化系统热管理并提升整体转换效率，从而增强产品在工商业及地面电站市场的竞争力。