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拓扑与电路 DC-DC变换器 PWM控制 储能变流器PCS ★ 4.0

通过改变开关频率和死区时间实现耦合电感ZVS交错同步Buck DC-DC变换器

ZVS-Interleaved Synchronous Buck DC–DC Converter With a Coupled Inductor by Varying Switching Frequency and Deadtime

Deshang Sha · Yuting Zhao · Debin Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年7月

本文提出了一种用于反向耦合电感同步整流Buck DC-DC变换器的全数字变频及变死区控制方法。该方法无需辅助电路、过零检测(ZCD)或高带宽传感器,即使在耦合效应导致电感电流呈折线形状的情况下,也能实现零电压开关(ZVS)。

解读: 该技术对阳光电源的储能变流器(PCS)及电动汽车充电桩产品线具有重要参考价值。在PowerTitan等储能系统中,DC-DC环节的效率直接影响系统整体能效,该方案通过变频与变死区控制实现ZVS,无需额外辅助电路,有助于降低硬件成本并提升功率密度。对于充电桩产品,该拓扑能有效优化轻载下的效率表现。建议...

拓扑与电路 DC-DC变换器 PWM控制 储能变流器PCS ★ 4.0

针对极轻载下移相全桥

PSFB)变换器扩展ZVS范围与突发模式运行的最优死区控制方案

Chong-Eun Kim · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年11月

移相全桥(PSFB)变换器因其低应力和零电压开关(ZVS)特性被广泛应用。然而,在极轻载条件下,其硬开关特性会导致严重的温升问题。本文提出一种最优死区控制方案,旨在扩展ZVS范围并优化突发模式运行,以提升轻载效率并降低热应力。

解读: PSFB变换器是阳光电源储能变流器(PCS)及部分大功率直流变换模块的核心拓扑之一。在储能系统(如PowerTitan、PowerStack)的待机或极轻载工况下,开关损耗和热管理是提升整机效率的关键。该文献提出的最优死区控制方案能有效解决轻载下的硬开关问题,有助于提升阳光电源储能产品的全功率段转换...

拓扑与电路 LLC谐振 DC-DC变换器 PWM控制 ★ 4.0

死区时间内自适应同步整流导通时间控制以改善LLC谐振变换器轻载性能

Adaptive Synchronous Rectifier On-Time Control Within Dead-Time for Improving Light-Load Performance of LLC Resonant Converters

Chenghao Sun · Qiuye Sun · Tianhua Zhu · Rui Wang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月

LLC谐振变换器在轻载下表现出非单调电压增益特性,可能导致传统脉冲频率调制(PFM)策略失效,并因开关频率过高导致效率下降。为此,本文提出了一种在死区时间内进行自适应同步整流(SR)导通时间控制的方法,以实现LLC变换器电压增益的归一化,从而优化轻载效率。

解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及储能系统(如ST系列PCS)具有重要参考价值。在户用及工商业场景中,设备常处于轻载运行状态,LLC拓扑作为DC-DC级核心,其轻载效率直接影响整机能效指标。通过引入死区内的自适应SR控制,可有效抑制轻载下的频率漂移,提升系统在宽负载范围内的转换效率。建议研发团队在下...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

一种基于SiC MOSFET集成电流检测FET的死区时间控制栅极驱动器

A Dead-Time-Controlled Gate Driver Using Current-Sense FET Integrated in SiC MOSFET

Akimasa Niwa · Takanori Imazawa · Ryota Kojima · Masahiro Yamamoto 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年4月

相比硅基IGBT,SiC MOSFET能显著降低开关损耗与导通损耗。然而,其体二极管较高的正向压降导致死区时间内损耗增加,削弱了整体效率优势。本文提出一种集成电流检测FET的栅极驱动器,通过精确控制死区时间,有效降低SiC MOSFET的体二极管导通损耗,提升系统效率。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(如组串式光伏逆变器及PowerTitan储能系统)具有极高价值。随着公司产品向高功率密度、高效率演进,SiC器件已成为主流选择。该研究提出的死区时间优化方案,能直接解决SiC MOSFET体二极管损耗问题,进一步提升逆变器在高温及高频工况下的效率。建议研发团队关注该集成...

功率器件技术 GaN器件 DC-DC变换器 宽禁带半导体 ★ 4.0

一种具有Bang-Bang死区控制和电荷共享自举电路的GaN同步Buck变换器集成驱动器

An Integrated Driver With Bang-Bang Dead-Time Control and Charge Sharing Bootstrap Circuit for GaN Synchronous Buck Converter

Ching-Jan Chen · Pin-Ying Wang · Sheng-Teng Li · Yen-Ming Chen 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年8月

本文提出了一种用于氮化镓(GaN)同步Buck变换器的高频集成栅极驱动器。通过自适应Bang-Bang死区控制,该方案可在任意负载条件下最小化死区时间,从而降低GaN器件在反向导通期间的高频功率损耗。此外,提出的电荷共享自举电路确保了栅极驱动电压的充足性。

解读: 该技术对阳光电源的高频功率变换产品具有重要参考价值。随着光伏逆变器和储能PCS向高功率密度、高开关频率演进,GaN器件的应用日益广泛。该驱动器提出的自适应死区控制能有效解决GaN器件在高频工作下的反向导通损耗问题,提升整机效率。建议研发团队关注该集成驱动技术,将其应用于户用光伏逆变器或小型化储能变换...