用于抑制桥臂SiC MOSFET串扰效应及降低体二极管损耗的无源谐振电平移位器

Passive Resonant Level Shifter for Suppression of Crosstalk Effect and Reduction of Body Diode Loss of SiC MOSFETs in Bridge Legs

作者	Ho-Tin Tang · Henry Shu-Hung Chung · John Wing-To Fan · Ryan Shun-Cheung Yeung · Ricky Wing-Hong Lau
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2020年7月
技术分类	功率器件技术
技术标签	SiC器件宽禁带半导体功率模块组串式逆变器
相关度评分	★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词	SiC MOSFET 串扰桥臂体二极管栅源电压无源谐振电路功率损耗开关器件

语言:

中文摘要

针对桥臂电路中不可避免的串扰现象，本文提出了一种无源谐振电平移位器。该电路通过提供较低的关断栅源电压，有效抑制了串扰效应，并降低了SiC MOSFET体二极管的正向压降损耗，从而提升了功率变换器的效率与可靠性。

English Abstract

Due to the presence of parasitic elements in switching devices and circuit realization, crosstalk phenomenon in bridge-leg configurations is unavoidable. A passive resonant level shifter that can suppress the effect of the crosstalk and deliver a low off-state gate-source voltage to reduce the forward voltage drop of the body diode of SiC mosfets is presented. The circuit is composed of two parts....

SunView 深度解读

该技术对阳光电源的组串式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要价值。随着公司产品向高功率密度、高开关频率的SiC方案演进，桥臂串扰和体二极管损耗是制约效率提升的关键瓶颈。该无源谐振方案无需复杂有源控制即可优化栅极驱动特性，不仅能降低SiC模块的开关损耗，还能提升系统在高频工作下的抗干扰能力。建议研发团队在下一代高压SiC逆变器及储能PCS模块设计中评估该拓扑的集成可行性，以进一步优化整机能效。