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考虑非线性结电容的改进型碳化硅功率MOSFET模型
Improved SiC Power MOSFET Model Considering Nonlinear Junction Capacitances
| 作者 | Zhuolin Duan · Tao Fan · Xuhui Wen · Dong Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 组串式逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC功率MOSFET 行为模型 SPICE 非线性结电容 高频变换器 电力电子 |
语言:
中文摘要
碳化硅（SiC）功率MOSFET因其高功率和高频特性被广泛应用于电力电子变换器。为在设计阶段有效预测其性能，本文提出了一种基于SPICE语言的简单且有效的改进型SiC MOSFET行为模型，重点解决了非线性结电容对器件开关特性的影响。
English Abstract
Silicon carbide (SiC) power metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETS) have been applied in high-power and high-frequency converters recently. To effectively predict characteristics of SiC power MOSFETS in the design phase, a simple and valid model is needed. In this paper, a simple improved SiC power MOSFET behavioral model is proposed using SPICE language. Key parameters in the...
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SunView 深度解读
该研究对阳光电源的核心业务至关重要。随着公司组串式逆变器和PowerTitan系列储能变流器向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件的应用已成为提升效率的关键。该改进模型能更精确地模拟SiC器件在复杂工况下的开关损耗与电磁干扰（EMI）特性，有助于研发团队在设计阶段优化驱动电路与PCB布局，从而缩短产品开发周期，提升逆变器及PCS产品的热管理效率与可靠性，进一步巩固公司在宽禁带半导体应用领域的领先地位。