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一种基于单片Si-RC缓冲器的并联SiC MOSFET动态均流方法
A Dynamic Current Balancing Method for Paralleled SiC MOSFETs Using Monolithic Si-RC Snubber Based on a Dynamic Current Sharing Model
| 作者 | Jianwei Lv · Cai Chen · Baihan Liu · Yiyang Yan · Yong Kang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年11月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 组串式逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 并联 动态电流均衡 Si-RC缓冲电路 功率损耗 电流共享 电力电子 |
语言:
中文摘要
并联SiC MOSFET间的动态电流不平衡会导致损耗不均并降低电流容量。现有均流方法存在电路复杂或设计实现困难的问题。本文提出了一种通过在并联MOSFET间连接单片Si-RC缓冲器的动态均流方法，在保持电路结构简单的同时，有效解决了动态电流不平衡问题。
English Abstract
The dynamic current imbalance between paralleled SiC mosfets will cause unbalanced losses and reduce current capacity. The existing current balancing methods will make the circuit more complex or hard to design and implement. Hence, this article proposes a dynamic current balancing method by connecting monolithic Si-RC snubber between paralleled mosfets, which maintains a simple circuit structure ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统）具有极高的应用价值。随着功率密度要求的不断提升，SiC MOSFET并联技术已成为大功率变换器的必然选择。该研究提出的单片Si-RC缓冲器方案结构简单且易于集成，能够有效解决并联器件间的动态电流不平衡问题，从而降低开关损耗、提升模块可靠性。建议研发团队在下一代高功率密度SiC逆变器模块设计中评估该缓冲电路，以优化散热设计并提升系统整体效率，进一步巩固阳光电源在宽禁带半导体应用领域的领先地位。