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基于改进开关模型的SiC MOSFET超低关断损耗现象研究
Investigation on Ultralow Turn-off Losses Phenomenon for SiC MOSFETs With Improved Switching Model
| 作者 | Yue Xie · Cai Chen · Yiyang Yan · Zhizhao Huang · Yong Kang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 组串式逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 关断损耗 开关模型 驱动电阻 负载电流 续流状态 电力电子 |
语言:
中文摘要
传统SiC MOSFET开关模型在小驱动电阻和小负载电流条件下无法精确预测关断损耗，原因在于未考虑SiC MOSFET在二极管进入续流状态前关闭沟道的特殊情况。本文提出了一种改进的SiC MOSFET关断模型，以解决这一预测偏差问题。
English Abstract
Traditional SiC MOSFET switching models cannot predict the turn-off losses precisely in the condition of small driver resistance and small load current, because they have not considered a special case in which the SiC MOSFET closes its channel before the SiC diode turns into the freewheeling-state during turn-off transient. To solve this problem, this article presents an improved SiC MOSFET turn-o...
S
SunView 深度解读
SiC MOSFET是阳光电源组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器实现高功率密度和高效率的核心器件。该研究提出的改进开关模型能更精准地评估器件在轻载及特定驱动条件下的损耗，有助于优化逆变器和PCS的驱动电路设计，提升整机效率。建议研发团队将该模型集成至仿真平台，以优化高频化设计下的热管理策略，进一步提升产品在宽负载范围内的能效表现，并降低SiC器件的失效风险。