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并网逆变器电磁暂态仿真模型的比较与选型
Comparison and Selection of Grid-Tied Inverter Models for Accurate and Efficient EMT Simulations
Kenichiro Sano · Shuntaro Horiuchi · Taku Noda · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年3月
本文对比了五种用于电力系统电磁暂态（EMT）仿真的并网逆变器建模方法，明确了各模型的差异，并探讨了不同仿真目的下的适用模型。研究在相同条件下对比了传统开关模型与四种简化模型（电压插值、平均值、受控电流注入等），为高效准确的系统级仿真提供了指导。
解读: 该研究对阳光电源的研发与仿真体系具有重要参考价值。随着PowerTitan系列储能系统及组串式逆变器在复杂弱电网环境下的应用增加，高精度的EMT仿真对于验证构网型（GFM）与跟网型（GFL）控制策略至关重要。通过采用文中推荐的简化模型，阳光电源的研发团队可以在iSolarCloud智能运维平台及产品...
利用过采样技术提高硬件在环开关模型精度
Oversampling Techniques to Improve the Accuracy of Hardware-in-the-Loop Switching Models
Marina Yushkova · Alberto Sanchez · Angel de Castro · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年5月
电力变换器的实时硬件在环（HIL）仿真涉及对开关通断信号的数字采样。传统方法在单个仿真步长内仅处理一个开关状态，易导致输入读取错误，引发次谐波等负面影响。本文提出过采样技术，旨在提升HIL仿真中开关模型的精度，减少采样误差对系统性能评估的影响。
解读: 该技术对阳光电源的研发测试流程具有重要价值。在光伏逆变器（如组串式、集中式）及储能系统（如PowerTitan、ST系列PCS）的开发过程中，高精度的HIL仿真能显著缩短控制算法的验证周期。通过引入过采样技术，研发团队可以更精准地模拟高频开关动作下的瞬态响应，有效避免因采样误差导致的谐波分析偏差，从...
基于改进开关模型的SiC MOSFET超低关断损耗现象研究
Investigation on Ultralow Turn-off Losses Phenomenon for SiC MOSFETs With Improved Switching Model
Yue Xie · Cai Chen · Yiyang Yan · Zhizhao Huang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年8月
传统SiC MOSFET开关模型在小驱动电阻和小负载电流条件下无法精确预测关断损耗，原因在于未考虑SiC MOSFET在二极管进入续流状态前关闭沟道的特殊情况。本文提出了一种改进的SiC MOSFET关断模型，以解决这一预测偏差问题。
解读: SiC MOSFET是阳光电源组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器实现高功率密度和高效率的核心器件。该研究提出的改进开关模型能更精准地评估器件在轻载及特定驱动条件下的损耗，有助于优化逆变器和PCS的驱动电路设计，提升整机效率。建议研发团队将该模型集成至仿真平台，以优化高...
一种基于改进型GaN HEMT开关模型的动态死区时间自适应调整方法
A High-Efficiency Dynamic Inverter Dead-Time Adjustment Method Based on an Improved GaN HEMTs Switching Model
Yi Zhang · Cai Chen · Yue Xie · Teng Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年3月
得益于快速开关特性，氮化镓（GaN）HEMT被广泛应用于高频功率变换器。然而，GaN器件的关断时间与工作条件（如负载电流）高度相关，差异可达20倍以上。使用固定死区时间会导致效率降低或直通风险。本文提出了一种基于改进开关模型的动态死区时间调整方法，以提升变换器效率。
解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品线具有重要价值。随着高频化趋势，GaN器件的应用能显著减小体积并提升功率密度。然而，GaN的死区敏感性是制约效率的关键瓶颈。通过引入动态死区调整算法，可有效降低开关损耗，提升整机效率，同时增强系统在高频运行下的可靠性。建议研发团队在下一代高功率密度户用...
线性和六边形拓扑SiC平面MOSFET短路特性与失效模式研究
Investigation on Short-Circuit Characteristics and Failure Modes of SiC Planar MOSFETs With Linear and Hexagonal Topologies
Huan Wu · Houcai Luo · Jingping Zhang · Bofeng Zheng 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年1月
本文对比评估了线性和六边形元胞拓扑结构的碳化硅（SiC）MOSFET在不同栅极电压、母线电压和壳温条件下的单脉冲短路鲁棒性，研究了两种拓扑结构的短路失效机理。提出并分析了一种新的门极失效与热失控导致短路失效的切换模型。首次在相同短路能量条件下对比评价了两种元胞拓扑的鲁棒性表现，全面揭示了元胞拓扑结构对SiC MOSFET短路鲁棒性的综合影响机制。
解读: 该研究对阳光电源SiC器件应用具有重要指导价值。短路鲁棒性是ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器功率模块设计的核心安全指标。研究揭示的元胞拓扑对短路耐受的影响机制，可直接应用于阳光电源自主SiC MOSFET选型与定制开发，通过优化六边形拓扑设计提升器件短路承受能力。门极失效与热失控的切换模型为P...