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一种基于改进型GaN HEMT开关模型的动态死区时间自适应调整方法
A High-Efficiency Dynamic Inverter Dead-Time Adjustment Method Based on an Improved GaN HEMTs Switching Model
| 作者 | Yi Zhang · Cai Chen · Yue Xie · Teng Liu · Yong Kang · Han Peng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 PWM控制 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN HEMTs 死区时间调节 开关模型 高频变换器 功率效率 关断时间 电力电子 |
语言:
中文摘要
得益于快速开关特性，氮化镓（GaN）HEMT被广泛应用于高频功率变换器。然而，GaN器件的关断时间与工作条件（如负载电流）高度相关，差异可达20倍以上。使用固定死区时间会导致效率降低或直通风险。本文提出了一种基于改进开关模型的动态死区时间调整方法，以提升变换器效率。
English Abstract
Benefited from the fast switching speed, Gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs) have been widely used in high switching frequency converters. However, due to the significant correlation between the turn-off time and operating conditions (more than 20 times difference of the turn-off time between the high load current and small load current for GaN HEMTs), using a fixed de...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品线具有重要价值。随着高频化趋势，GaN器件的应用能显著减小体积并提升功率密度。然而，GaN的死区敏感性是制约效率的关键瓶颈。通过引入动态死区调整算法，可有效降低开关损耗，提升整机效率，同时增强系统在高频运行下的可靠性。建议研发团队在下一代高功率密度户用逆变器及充电桩模块中引入该模型，以优化轻载与重载下的综合转换效率，保持行业技术领先地位。