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功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于互补型GaN HEMT的高频脉冲激光驱动器

High-Frequency Pulsed Laser Driver Using Complementary GaN HEMTs

View Document · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

本文试图揭示一种用于高频光探测与测距(LiDAR)应用中控制激光源的高效激光驱动器。具体的激光雷达要求包括20 MHz的激光重复频率、10 ns的脉冲持续时间以及50 W的瞬时功率。用于自动驾驶车辆的激光雷达的功率效率至关重要,其总输入功率应控制在15 W以内。为提高功率效率,本文提出了一种半桥脉冲激光驱动器,其高端采用耗尽型氮化镓(D 型 GaN)晶体管,低端采用增强型(E 型)GaN 晶体管。此外,还针对 D 型 GaN 晶体管引入并分析了一种高端栅极驱动器,由于不存在体二极管效应,该驱动器...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,该论文提出的互补型GaN HEMT高频脉冲驱动技术具有重要的参考价值和技术延伸意义。虽然研究聚焦于激光雷达应用,但其核心技术路径与我司在高频功率变换领域的技术需求高度契合。 该技术的关键创新在于采用耗尽型GaN(D-mode)与增强型GaN(E-mode)构成的半桥拓扑,...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

观察到GaN基发光二极管中的珀尔帖冷却及电致发光冷却的巨大潜力

Observation of Peltier Cooling and Great Potential of Electroluminescent Cooling in GaN-Based Light-Emitting Diodes

Yiping Zhang · Shunpeng Lu · Baiquan Liu · Huayu Gao 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年8月

发光二极管(LED)因其高效率、长寿命和低成本,对于未来的节能照明和显示技术至关重要。在过去几十年里,人们普遍预测电致发光(EL)冷却有助于进一步提升基于氮化镓(GaN)的LED的性能,但尚未通过实验实现。本文通过实验测量和理论建模,证实了基于GaN的热电和声子泵浦LED的可行性。令人惊讶的是,当工作点移至高效率、中电压范围时,温度升高的影响从负面变为正面。随着温度升高(从室温到473 K),功率效率最高可提升至原来的2.24倍,且在所有升高的温度下,峰值效率均优于室温下的峰值效率,此时帕尔贴效...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项GaN基LED电致发光冷却技术虽然聚焦于照明领域,但其底层的热电管理原理对我们的核心业务具有重要借鉴价值。 **技术价值分析**:该研究首次实验证实了GaN器件中的珀尔帖冷却效应,在中压高效工作区实现了温度升高反而提升器件性能的突破。这一发现对阳光电源的功率电子器件热...

控制与算法 可靠性分析 ★ 5.0

一种新型突发模式控制算法用于单端感应加热应用以降低开关电流尖峰并提高系统可靠性和功率转换效率

A Novel Burst Mode Control Algorithm for SE-IH Applications to Reduce Switch Current Spikes With Improved System Reliability and Power Conversion Efficiency

Aneel Ahmed · Sang-Wook Ryu · Hyunghu Park · Irfan Ali 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Informatics · 2025年7月

本文提出了一种高效的突发模式控制算法(BMCA),旨在降低单端感应加热器(SE - IH)功率控制中的开关导通电流尖峰。现代 SE - IH采用两种控制模式:重载时采用方波控制,轻载时采用突发模式控制,以有效控制流向感应加热负载的功率。首先,方波控制通过适当控制开关频率或占空比,在较高负载条件下实现软开关,即零电压开关。其次,突发模式控制在较低负载条件下,由于直流母线电容通过谐振电容突然放电,常常会在开关导通瞬间产生电流尖峰,从而导致效率低下和潜在危险。这些电流尖峰造成显著的功率损耗和热应力,最...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这篇关于单端感应加热器突发模式控制算法的研究虽然聚焦于感应加热领域,但其核心技术原理对我们在光伏逆变器和储能系统中的功率控制策略具有重要借鉴价值。 该论文解决的核心问题——轻载工况下开关器件导通瞬间的电流尖峰问题,与我们逆变器产品在低功率运行时面临的挑战高度相似。在分布式...