Zhi Yue Xu · Xian Sheng Wang · Zhi Xiang Wei · Gui Shan Liu 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年3月 · Vol.126

本文报道了p型超宽带隙Zn0.7Ni0.3O1+δ薄膜的制备及其在p-n异质结二极管中的应用。通过调控氧含量，实现了稳定的p型导电性，薄膜表现出高透光率和宽光学带隙。基于该薄膜构建的p-n异质结二极管展现出良好的整流特性与室温下的近紫外发光，表明其在透明电子器件和深紫外光电器件中具有潜在应用价值。

解读: 该p型超宽带隙Zn0.7Ni0.3O1+δ薄膜研究对阳光电源的功率器件技术发展具有重要参考价值。其优异的光电特性和宽带隙特征可应用于SiC/GaN功率模块的优化设计，特别是在高温、高频应用场景中。这项技术可用于提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率密度与效率。对于电动汽车充电桩产品线，该材...

Xu Liu · Shengrui Xu · Tao Zhang · Hongchang Tao 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年5月 · Vol.126

本文报道了一种基于多通道结构的氮化镓（GaN）P沟道FinFET器件，实现了高漏极电流密度。通过精确设计鳍状沟道的几何结构与掺杂分布，有效提升了空穴载流子的输运特性与栅控能力。实验结果表明，该器件在常温下表现出良好的开关特性与饱和电流输出，最大漏极电流密度显著优于同类P型GaN器件。该结构为高性能GaN基互补逻辑电路的发展提供了可行的技术路径。

解读: 该GaN基P沟道FinFET技术对阳光电源的功率变换产品具有重要价值。多通道结构实现的高电流密度特性,可显著提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率密度。作为互补逻辑电路的关键器件,该P型GaN器件有助于开发更高效的三电平拓扑结构,特别适用于车载OBC等对体积敏感的应用场景。其优异的开关特性...

Yonghui Liu · Yue Wang · Xiaokang Liu · Minghao Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月

本文研究了并联构网型变流器（GFC）在未知负载导致过流并进入电流饱和模式（CSM）下的稳态角度稳定性。针对该工况下系统运行可靠性缺失的问题，文章提出了相应的稳定性分析方法，为构网型变流器在复杂电网环境下的稳定运行提供了理论支撑。

解读: 该研究直接关联阳光电源的核心产品线——构网型（Grid-forming）储能变流器（如PowerTitan系列）。在微电网或弱电网应用场景下，储能系统常面临负载突变导致的过流风险。本文提出的电流饱和模式下的稳定性分析，对于优化阳光电源PCS的控制算法、提升系统在极端工况下的并网鲁棒性具有重要指导意义...

Yue Wang · Shiquan Liu · Hankun Liu · Xiangjun Li 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月

均衡器对提升电池组一致性及延长寿命至关重要。针对传统均衡器体积大、效率低及功能单一的问题，本文提出了一种基于双向反激变换器的自适应高效均衡拓扑，旨在优化电池管理系统性能，适用于电动汽车及储能系统领域。

解读: 该技术直接关联阳光电源的储能业务，特别是PowerTitan和PowerStack系列储能系统。电池组的一致性是影响储能系统循环寿命和安全性的核心因素。该拓扑采用双向反激变换器，能够实现高效的能量转移，有助于提升BMS（电池管理系统）的主动均衡能力。建议研发团队评估该拓扑在大型储能系统中的扩展性与成...

Zhaofeng Wang · Zhihong Liu · Xiaojin Chen · Xing Chen 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126

本文报道了一种采用源极/漏极隧道结接触技术实现高性能增强型GaN/AlGaN p沟道场效应晶体管的研究。通过优化Mg掺杂p型层结构与低温外延生长工艺，显著提升了空穴浓度与迁移率，实现了低电阻欧姆接触。器件在常温下表现出增强型工作特性，最大漏极电流密度超过110 mA/mm，跨导达15 mS/mm，亚阈值摆幅为120 mV/dec。该结果为宽禁带半导体p沟道器件的性能突破提供了有效路径。

解读: 该p沟道GaN器件技术对阳光电源功率电子产品具有重要应用价值。110 mA/mm的电流密度和增强型特性可应用于：1）ST储能变流器和PowerTitan系统的双向功率变换模块，p沟道与n沟道GaN器件互补配对可实现更高效的三电平拓扑和双向DC-DC变换；2）车载OBC和电机驱动系统，p沟道器件可简化...

Xuewen Li · Jia Liu · Fangchao Ji · Xueqian Cao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月

高频链（HFL）逆变器因其变压器利用率高、双向能量传输及易于实现软开关等优势，成为600W级微型逆变器的理想方案。本文研究了HFL拓扑在分相系统中的应用，并探讨了其在并网及离网模式下的运行能力。

解读: 该研究涉及的高频链拓扑与阳光电源户用光伏及微网解决方案高度相关。高频链技术有助于进一步提升微型逆变器或小型户用储能系统的功率密度，并改善电气隔离性能。对于阳光电源的户用逆变器产品线，该拓扑在实现轻量化设计和提升离网/微网运行稳定性方面具有参考价值。建议研发团队关注其软开关控制策略，以优化转换效率，并...

Xiufeng Song · Shenglei Zhao · Kui Dang · Longyang Yu 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年3月 · Vol.126

本文报道了一种基于氮化镓（GaN）材料的梯度掺杂肖特基势垒二极管，实现了高达710 GHz的截止频率和优异的击穿特性。通过优化梯度掺杂结构，有效调控了电场分布，显著提升了器件的击穿电压，同时保持了低势垒高度与低寄生电阻，从而实现高频与高功率兼容性能。该器件在太赫兹应用中展现出巨大潜力，为下一代高频电子器件提供了可行的技术路径。

解读: 该710GHz GaN梯度掺杂肖特基二极管技术对阳光电源功率器件升级具有重要参考价值。其梯度掺杂结构优化思路可启发我们在SG系列逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的设计，特别是在高频DC-DC变换环节。高击穿电压特性有助于提升1500V系统的可靠性，而优异的高频特性可支持逆变器向更高开关频率发展...

Hong Wu · Yue Wang · Yi Liu · Yonghui Liu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

混合模块化多电平变换器（HMMC）因具备直流故障穿越能力而备受关注。然而，针对其IGBT开路故障（OCF）的诊断研究尚属空白，这威胁了系统的可靠性。本文提出了一种基于改进开关方法的诊断策略，有效填补了该领域的研究空白，提升了HMMC系统的运行可靠性。

解读: 随着阳光电源在大型地面电站及高压直流输电领域业务的扩展，多电平拓扑的应用日益广泛。HMMC技术在直流故障穿越方面的优势，对提升大型储能系统（如PowerTitan系列）及高压并网逆变器的安全性至关重要。本文提出的IGBT开路故障诊断策略，能够显著提升系统在极端工况下的自我保护能力，减少非计划停机。建...

Fengxin Liu · Qi Zhang · Yue Chen · Qiang Li 等6人 · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126

报道了在SnO2薄膜上形成的Ni肖特基接触及其准垂直型肖特基势垒二极管。通过材料生长与器件制备工艺优化，实现了良好的整流特性与低漏电流。该研究为宽禁带半导体器件的发展提供了实验依据和技术支持。

解读: 该SnO2基肖特基势垒二极管技术对阳光电源功率器件应用具有重要参考价值。Ni/SnO2肖特基接触的低漏电流和良好整流特性可应用于SG系列光伏逆变器和ST储能变流器的功率模块保护电路，作为快速恢复二极管替代方案。准垂直结构设计思路可借鉴至SiC/GaN器件封装优化，降低通态压降和开关损耗。SnO2宽禁...

Ming Liu · Yue Qiao · Shuangke Liu · Chengbin Ma · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年4月

兆赫兹（MHz）无线电能传输（WPT）在中小功率应用中极具潜力。E^2类DC-DC变换器由E类功率放大器和E类整流器组成，凭借两者均具备的软开关特性，在MHz级WPT应用中表现出显著优势。本文针对该类变换器进行了鲁棒性分析与设计优化。

解读: 该技术主要针对高频无线电能传输，与阳光电源现有的光伏逆变器、储能系统及充电桩业务在功率等级和应用场景上存在差异。然而，E^2类变换器所涉及的MHz级高频软开关技术及宽禁带半导体应用，对未来提升充电桩功率密度、减小磁性元件体积具有前瞻性参考价值。建议研发团队关注其在高频磁集成及EMI抑制方面的研究进展...

Zhaoyuan Gu · Mingchao Yang · Yi Yang · Xihao Liu 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年4月

针对4H-SiC MOSFET中寄生PiN体二极管在高温下存在正向压降大、反向恢复特性差的问题，本文研究了集成肖特基势垒二极管（JBS）的MOSFET方案。该方案能有效抑制PiN二极管导通，提升高温运行下的电气性能与可靠性。

解读: 该研究直接关联阳光电源的核心功率器件选型与模块设计。随着公司组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和高温环境运行演进，SiC MOSFET的应用已成为提升效率的关键。集成JBS的SiC器件能显著改善体二极管特性，降低开关损耗并提升高温可靠性，这对优化逆变器...

Heyuan Chen · Tao Zhang · Huake Su · Xiangdong Li 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于AlGaN沟道的高性能肖特基势垒二极管，其功率密度高达614 MW/cm²，兼具高击穿电压与优异的温度灵敏度。通过优化AlGaN材料结构与界面特性，器件在高温环境下表现出稳定的电学性能和良好的热响应特性，适用于高频、高功率及高温电子应用。实验结果表明，该二极管在反向击穿电压和正向导通特性之间实现了良好平衡，同时展现出显著的温度依赖性电流输运行为，为高温传感与高功率整流集成提供了新思路。

解读: 该AlGaN肖特基二极管技术对阳光电源功率器件升级具有重要参考价值。614 MW/cm²的高功率密度特性可应用于SG系列高功率密度光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率模块设计，有助于提升功率密度和转换效率。其优异的高温特性对车载OBC和充电桩等高温工作环境下的器件选型提供新思路。该技术的温度灵敏特性...

Tao Zhang · Junjie Yu · Heyuan Chen · Yachao Zhang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126

本文报道了一种在SiC衬底上制备的具有AlN超晶格背势垒结构的双通道AlGaN/GaN肖特基势垒二极管。通过引入AlN超晶格作为背势垒，有效抑制了二维电子气向衬底方向的扩展，增强了载流子 confinement 效应，提升了器件的反向阻断能力与正向导通性能。该结构实现了高击穿电压与低泄漏电流的优异平衡。实验结果表明，器件具有较低的开启电压和高电流密度，同时反向击穿电压显著提高。该设计为高性能GaN基功率二极管的发展提供了可行方案。

解读: 该双通道AlGaN/GaN肖特基二极管技术对阳光电源的功率器件升级具有重要参考价值。AlN超晶格背势垒结构可显著提升GaN器件的击穿电压和导通特性,这对SG系列1500V光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频化设计至关重要。特别是在三电平拓扑中,该技术可用于优化快恢复二极管的性能,有助于提升系统效率和...

Pu Liu · Yue Wang · Wulong Cong · Wanjun Lei · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年3月

模块化多电平变换器（MMC）凭借高效率、低谐波和高可扩展性，广泛应用于高压直流输电。模型预测控制（MPC）虽具备快速动态响应优势，但计算负担重。本文提出一种分组排序优化算法，在保证多变量协同控制的同时，显著降低了MMC系统的计算开销。

解读: 该技术对阳光电源的集中式逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。随着光伏与储能系统向更高电压等级和更复杂拓扑演进，MMC技术在大型储能PCS及高压并网场景的应用潜力巨大。该优化算法能有效降低控制器（DSP/FPGA）的计算压力，提升系统响应速度与稳定性。建议研发团队关注该...

Yue Liu · Hongfei Wu · Guosheng Ji · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年10月

随着电力电子变换器向高频、高功率密度发展，采用平面磁芯和PCB绕组的电感应用日益广泛。磁芯与绕组的几何结构直接影响磁通分布及电感值。本文提出了一种考虑平面磁芯窗口效应的精确电感计算方法，为高频磁性元件的设计与优化提供了理论支持。

解读: 该研究对于提升阳光电源高功率密度逆变器及储能PCS的磁性元件设计水平具有重要价值。随着组串式逆变器和PowerStack储能系统向更高功率密度演进，磁性元件的体积与效率成为核心瓶颈。该计算方法能有效提升平面变压器与电感的设计精度，减少反复试制成本，有助于优化高频变换器中的磁集成设计，提升整机效率并降...

Keming Liu · Yue Hui · Jinghui Chen · Jiande Wu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年1月

本文探讨了功率与信号双重调制（PSDM）技术在谐振变换器中的理论与实现。通过将数据调制到LLC谐振变换器的门极驱动信号中，实现电力传输与通信功能的集成，为电力电子系统提供了一种高效的通信方案。

解读: 该技术在电力电子领域具有前瞻性，通过在功率变换过程中嵌入通信功能，有望简化系统架构并降低硬件成本。对于阳光电源而言，该技术可应用于户用光伏逆变器及PowerStack等储能系统中的DC-DC级。通过在LLC变换器中实现功率与数据的同步调制，可以优化BMS与PCS之间的通信链路，减少额外的通信线束，提...

Zixian Ge · Hongfei Wu · Yue Liu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年1月

PCB绕组平面变压器广泛应用于高效率、高功率密度隔离变换器中。插入屏蔽层是抑制PCB绕组间大寄生电容引起共模噪声的有效方法。本文指出，由于磁通路径的影响，部分磁通会穿过屏蔽层产生涡流损耗。为此，提出了一种低损耗分段屏蔽技术，在保证共模噪声抑制效果的同时，显著降低了屏蔽层的附加损耗。

解读: 该技术对阳光电源的组串式光伏逆变器（如SG系列）及储能PCS（如PowerTitan/PowerStack系列）中的高频隔离DC-DC变换器具有重要参考价值。随着功率密度要求的不断提升，平面变压器已成为主流方案，但其EMI与损耗平衡一直是设计难点。该分段屏蔽技术能有效优化高频下的共模噪声抑制与效率表...

Shiquan Liu · Yue Wang · Shiyu Wang · Wenyuan Zhao 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

本文提出了一种基于反激变换的紧凑型电池均衡拓扑，旨在解决现有均衡技术中存在的均衡速度慢、体积大及控制复杂等问题。该方案通过优化电路结构，有效提升了大规模串联电池组的电压一致性，特别适用于电动汽车及大规模储能系统，在提高系统能量利用率和安全性方面具有显著优势。

解读: 该技术对阳光电源的储能业务（如PowerTitan、PowerStack系列）具有重要参考价值。电池一致性是大型储能系统安全运行的核心，目前阳光电源的BMS系统正向高集成度、高均衡效率方向演进。该反激式均衡拓扑的紧凑化设计，有助于优化PCS内部空间布局，提升电池簇在充放电过程中的动态均衡能力，从而延...

Hongfei Wu · Yufeng Song · Yue Liu · Guosheng Ji · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月

本文从法拉第电磁感应定律出发，回顾了变压器的工作原理，揭示了变压器绕组上感应电动势的分布规律。研究证实，感应电动势仅集中在被磁力线包围的部分，并对变压器绕组的异构集成设计提供了理论基础与实现准则。

解读: 变压器是阳光电源光伏逆变器（如集中式、组串式）及储能变流器（PCS）中的核心磁性元件。该文献提出的绕组异构集成理论，有助于优化高功率密度变换器的磁集成设计，减小体积并降低损耗。在PowerTitan等大型储能系统及高压光伏逆变器开发中，应用此原理可提升磁性元件的散热性能与电磁兼容性，对实现产品的小型...

Shaodi Ouyang · Jinjun Liu · Yue Yang · Xingxing Chen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年6月

本文研究了电力电子变压器（PET）在消弧线圈接地系统下的运行控制。针对星型连接的中压侧，分析了PET在配电网接地保护中的应用，提出了相应的控制策略，以确保系统在故障状态下的稳定运行与安全保护，为未来配电网电力电子化提供了技术参考。

解读: 电力电子变压器（PET）作为未来配电网的核心设备，其接地与并网控制技术对阳光电源的电网侧储能（PowerTitan系列）及中压并网逆变器具有前瞻性参考价值。虽然目前阳光电源产品以组串式和集中式逆变器为主，但随着配电网向智能化、电力电子化转型，该研究中关于消弧线圈接地下的故障穿越与稳定控制策略，可为公...