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电动汽车驱动
★ 4.0
SnO2薄膜上Ni肖特基接触的形成及准垂直型肖特基势垒二极管
Formation of Ni Schottky contact and quasi-vertical Schottky barrier diode on SnO2 thin film
| 作者 | Fengxin Liu · Qi Zhang · Yue Chen · Qiang Li · Xingye Zhang · Kang Gao |
| 期刊 | Applied Physics Letters |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 卷/期 | 第 126 卷 第 15 期 |
| 技术分类 | 电动汽车驱动 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 功能材料 宽禁带半导体材料与器件 高分子材料 材料科学与工程 湖北大学 |
语言:
中文摘要
报道了在SnO2薄膜上形成的Ni肖特基接触及其准垂直型肖特基势垒二极管。通过材料生长与器件制备工艺优化，实现了良好的整流特性与低漏电流。该研究为宽禁带半导体器件的发展提供了实验依据和技术支持。
English Abstract
Ministry of Education Key Laboratory of Green Preparation and Application for Functional Materials, Research Center of Advanced Wide-bandgap Semiconductor Materials and Devices, Hubei Key Laboratory of Polymer Materials, and School of Materials Science and Engineering, Hubei University
S
SunView 深度解读
该SnO2基肖特基势垒二极管技术对阳光电源功率器件应用具有重要参考价值。Ni/SnO2肖特基接触的低漏电流和良好整流特性可应用于SG系列光伏逆变器和ST储能变流器的功率模块保护电路，作为快速恢复二极管替代方案。准垂直结构设计思路可借鉴至SiC/GaN器件封装优化，降低通态压降和开关损耗。SnO2宽禁带特性（~3.6eV）适合高温工作环境，可提升电动汽车驱动系统OBC充电机和电机控制器的可靠性。该研究为阳光电源开发新型功率半导体器件、优化三电平拓扑中的续流二极管性能提供了材料体系和工艺技术储备，有助于提升系统效率和功率密度。