1.2 kV SiC MOSFET与JBS集成MOSFET高温电学特性对比研究

Comparative Study on High-Temperature Electrical Properties of 1.2 kV SiC MOSFET and JBS-Integrated MOSFET

作者	Zhaoyuan Gu · Mingchao Yang · Yi Yang · Xihao Liu · Mingyang Gao · Jinwei Qi · Weihua Liu · Chuanyu Han · Li Geng · Yue Hao
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2024年4月
技术分类	功率器件技术
技术标签	SiC器件宽禁带半导体功率模块可靠性分析
相关度评分	★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词	4H-SiC MOSFET JBS集成MOSFET PiN体二极管高温运行反向恢复电力电子电学特性表征

语言:

中文摘要

针对4H-SiC MOSFET中寄生PiN体二极管在高温下存在正向压降大、反向恢复特性差的问题，本文研究了集成肖特基势垒二极管（JBS）的MOSFET方案。该方案能有效抑制PiN二极管导通，提升高温运行下的电气性能与可靠性。

English Abstract

For 4H-SiC mosfets, the parasitic PiN body diode causes problems such as significant forward voltage drop of body diode and poor reverse recovery characteristics during high-temperature operation. A reasonable solution is a mosfet with an integrated Schottky barrier diode to deactivate the PiN body diode. Since SiC mosfets can operate at extremely high temperatures, the characterization of electri...

SunView 深度解读

该研究直接关联阳光电源的核心功率器件选型与模块设计。随着公司组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和高温环境运行演进，SiC MOSFET的应用已成为提升效率的关键。集成JBS的SiC器件能显著改善体二极管特性，降低开关损耗并提升高温可靠性，这对优化逆变器及储能PCS的散热设计、缩小体积及延长产品寿命具有重要指导意义。建议研发团队在下一代高压SiC功率模块选型中优先评估此类JBS集成技术，以进一步提升产品在极端工况下的并网性能。