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高击穿电压的710 GHz氮化镓梯度掺杂肖特基势垒二极管
710 GHz GaN gradient doped Schottky barrier diode with high breakdown voltage
| 作者 | Xiufeng Song · Shenglei Zhao · Kui Dang · Longyang Yu · Menghan Zheng |
| 期刊 | Applied Physics Letters |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 卷/期 | 第 126 卷 第 10 期 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN 肖特基势垒二极管 高击穿电压 710 GHz 梯度掺杂 |
语言:
中文摘要
本文报道了一种基于氮化镓（GaN）材料的梯度掺杂肖特基势垒二极管，实现了高达710 GHz的截止频率和优异的击穿特性。通过优化梯度掺杂结构，有效调控了电场分布，显著提升了器件的击穿电压，同时保持了低势垒高度与低寄生电阻，从而实现高频与高功率兼容性能。该器件在太赫兹应用中展现出巨大潜力，为下一代高频电子器件提供了可行的技术路径。
English Abstract
Xiufeng Song, Shenglei Zhao, Kui Dang, Longyang Yu, Menghan Zheng, Yixin Yao, Yachao Zhang, Zhihong Liu, Yue Hao, Jincheng Zhang; 710 GHz GaN gradient doped Schottky barrier diode with high breakdown voltage. _Appl. Phys. Lett._ 10 March 2025; 126 (10): 103501.
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SunView 深度解读
该710GHz GaN梯度掺杂肖特基二极管技术对阳光电源功率器件升级具有重要参考价值。其梯度掺杂结构优化思路可启发我们在SG系列逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的设计，特别是在高频DC-DC变换环节。高击穿电压特性有助于提升1500V系统的可靠性，而优异的高频特性可支持逆变器向更高开关频率发展，有利于实现产品小型化。这对车载OBC等对功率密度要求较高的应用尤其重要。建议在下一代功率模块开发中借鉴该梯度掺杂结构，以平衡高频性能与击穿特性。