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先进亚90纳米节点工艺中高压CMOS器件的实现与研究
Implementation and investigation of high voltage CMOS device in advanced Sub-90 nm node processes
Xin Huang · Yintong Zhang · Zhaozhao Xu · Ziquan Fang 等6人 · Solid-State Electronics · 2025年1月 · Vol.228
摘要 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件的持续微缩加剧了短沟道效应（SCEs），例如热载流子注入（HCI）和阈值电压滚降，从而损害了器件的电学性能。尽管轻掺杂漏（LDD）工艺在现代CMOS制造中被广泛采用，但传统方法在先进工艺节点下难以维持良好的性能表现。本研究提出了一种新颖的高能量LDD技术，能够在不引入额外制造复杂性的前提下克服上述限制。通过严格的TCAD仿真验证，所提出的工艺展现出增强的器件稳定性以及改善的电学特性，包括更低的击穿电压波动、更优的阈值电压控制能力，以及更高的开...
解读: 该高压CMOS器件技术对阳光电源功率半导体应用具有重要参考价值。先进的LDD工艺可提升SiC/GaN驱动芯片的耐压特性和开关性能,直接优化ST系列PCS和SG系列逆变器中的功率器件可靠性。改进的短沟道效应控制技术可降低三电平拓扑中IGBT驱动电路的热载流子注入风险,提升1500V高压系统长期稳定性。...
基于关断米勒平台电流的IGBT结温在线监测方法
An Online Monitoring Method of IGBT Junction Temperature Based on Turn-Off Miller Plateau Current
Hu Cao · Kexing Yang · Pengcheng Xu · Jian Chen 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年1月
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）广泛应用于电力电子变换器中，其结温是评估器件可靠性的重要指标。本文采用关断过程中的米勒平台电流作为热敏感电参数（TSEP），实现对主功率电路的非侵入式监测。研究了米勒平台电流在栅极侧作为TSEP的特性及其与结温的关系，设计并分析了基于电流互感器（CT）的采样电路及参数计算方法，讨论了电路的不确定性和可积性。通过双脉冲测试和逆变器实验平台验证了理论分析的正确性，结果表明该方法从驱动侧即可实现对IGBT结温的高精度、高灵敏度监测，且采样电路结构简单，易于集成于驱动电路中...
解读: 该IGBT结温在线监测技术对阳光电源ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器具有重要应用价值。通过关断米勒平台电流实现非侵入式结温监测，可直接集成于现有驱动电路，无需额外传感器，降低成本的同时提升可靠性。该方法可应用于PowerTitan大型储能系统的热管理优化，实时监测IGBT工作状态，实现预测性维...
基于绿色溶剂NMP的晶体硅光伏组件分离研究
Study on the separation of crystalline silicon photovoltaic modules using the green solvent NMP
Chenyang Li · Liqian Zhao · Feihong Guo · Xiaoxiang Jiang 等6人 · Solar Energy · 2025年1月 · Vol.293
摘要 太阳能因其安全、可靠、清洁以及分布广泛等优点，光伏发电装机容量显著增长。然而，这一增长也导致大量报废光伏组件的产生。由于EVA（乙烯-醋酸乙烯酯）胶膜的粘接作用，这些组件中各层材料难以有效分离与回收。因此，回收硅基光伏组件的关键在于去除或削弱EVA的粘附性能，同时保护硅等核心组件免受损伤，从而实现各功能层的高效分离与回收。本文提出一种以N-甲基吡咯烷酮（NMP）为溶剂的新型绿色处理方法，用于回收废弃光伏组件。通过实验研究，系统考察了不同NMP处理条件——包括温度、时间、组件尺寸和转子转速—...
解读: 该NMP绿色溶剂回收技术对阳光电源光伏全生命周期管理具有战略价值。通过150°C/45min最优工艺实现EVA层高效分离,可为iSolarCloud平台的退役组件预测性维护提供数据支撑,延伸SG系列逆变器配套的组件回收服务链。硅片无损回收技术可降低光储一体化系统的全生命周期成本,符合ESS解决方案的...