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基于源/漏隧道结接触实现漏极电流超过110 mA/mm的增强型GaN/AlGaN p沟道场效应晶体管
Enhancement-mode GaN/AlGaN p-channel field effect transistors with _I_ D **>** 110 mA/mm achieved through source/drain tunnel junction contacts
Zhaofeng Wang · Zhihong Liu · Xiaojin Chen · Xing Chen 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126
本文报道了一种采用源极/漏极隧道结接触技术实现高性能增强型GaN/AlGaN p沟道场效应晶体管的研究。通过优化Mg掺杂p型层结构与低温外延生长工艺，显著提升了空穴浓度与迁移率，实现了低电阻欧姆接触。器件在常温下表现出增强型工作特性，最大漏极电流密度超过110 mA/mm，跨导达15 mS/mm，亚阈值摆幅为120 mV/dec。该结果为宽禁带半导体p沟道器件的性能突破提供了有效路径。
解读: 该p沟道GaN器件技术对阳光电源功率电子产品具有重要应用价值。110 mA/mm的电流密度和增强型特性可应用于：1）ST储能变流器和PowerTitan系统的双向功率变换模块，p沟道与n沟道GaN器件互补配对可实现更高效的三电平拓扑和双向DC-DC变换；2）车载OBC和电机驱动系统，p沟道器件可简化...
具有阳极自对准台面终端的金刚石垂直肖特基势垒二极管实现超过450 V的击穿电压
Over 450 V breakdown voltage in diamond vertical Schottky barrier diodes with anodic self-aligned mesa termination
Xixiang Zhao · Shumiao Zhang · Guoqing Shao · Qi Li 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127
本文报道了一种采用阳极氧化自对准台面终端结构的金刚石垂直肖特基势垒二极管，实现了超过450 V的高击穿电压。该终端结构通过电化学阳极氧化工艺形成，有效钝化台面侧壁并抑制表面电场集中，显著提升器件的耐压能力。器件采用n型衬底上的金刚石外延层制备，具备低泄漏电流和良好整流特性。该方法无需高精度光刻，工艺简单且与金刚石材料兼容性好，为高性能金刚石功率器件的规模化制备提供了可行路径。
解读: 该金刚石肖特基二极管技术对阳光电源的功率器件升级具有重要参考价值。450V以上的高击穿电压特性可应用于SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率模块设计，尤其适合1500V高压系统。阳极自对准台面终端工艺的低成本优势与阳光电源追求的规模化生产理念契合。该技术启发我们在SiC/GaN功率器件的终端结...
基于p-GaN HEMT的紫外探测器在低温下的光响应特性
Photoresponsivity of _p_-GaN HEMT-based ultraviolet photodetectors at low temperatures
Haodong Wang · Meixin Feng · Yaozong Zhong · Xin Chen · Applied Physics Letters · 2025年5月 · Vol.126
本文研究了基于p型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的紫外光电探测器在低温环境下的光响应性能。通过变温光电测试，系统分析了器件在不同温度下的光电流、响应度及探测机制的变化规律。结果表明，随着温度降低，器件的暗电流显著抑制，光暗电流比大幅提升，同时响应度增强，归因于低温下载流子复合减少与能带结构优化。该工作为高性能紫外探测器在极端环境中的应用提供了实验依据与理论支持。
解读: 该研究对阳光电源的GaN功率器件应用具有重要参考价值。p-GaN HEMT在低温环境下光响应性能的提升，可用于优化我司SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中的GaN器件温控设计。特别是在-40℃低温工况下，通过抑制暗电流提升光暗电流比的方法，有助于提高GaN器件的开关特性和可靠性。这对于提升极寒地...
p型超宽带隙Zn0.7Ni0.3O1+δ薄膜在p-n异质结二极管中的光电特性及应用
Optoelectronic properties and application of _p_-type ultrawide bandgap Zn0.7Ni0.3O1+δ thin films in p–n heterojunction diodes
Zhi Yue Xu · Xian Sheng Wang · Zhi Xiang Wei · Gui Shan Liu 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年3月 · Vol.126
本文报道了p型超宽带隙Zn0.7Ni0.3O1+δ薄膜的制备及其在p-n异质结二极管中的应用。通过调控氧含量，实现了稳定的p型导电性，薄膜表现出高透光率和宽光学带隙。基于该薄膜构建的p-n异质结二极管展现出良好的整流特性与室温下的近紫外发光，表明其在透明电子器件和深紫外光电器件中具有潜在应用价值。
解读: 该p型超宽带隙Zn0.7Ni0.3O1+δ薄膜研究对阳光电源的功率器件技术发展具有重要参考价值。其优异的光电特性和宽带隙特征可应用于SiC/GaN功率模块的优化设计，特别是在高温、高频应用场景中。这项技术可用于提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率密度与效率。对于电动汽车充电桩产品线，该材...
2025年社论：TPEL的四十年
Editorial 2025: Four Decades of TPEL
Yaow-Ming Chen · Xiongfei Wang · Maryam Saeedifard · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
本文作为IEEE电力电子学报（TPEL）2025年的社论，回顾了过去四十年电力电子技术的发展历程。文章探讨了从基础拓扑创新到宽禁带半导体应用、智能化控制及系统集成技术的演进，并展望了未来电力电子在能源转型和可持续发展中的关键作用。
解读: 作为电力电子领域的权威期刊社论，本文总结的技术演进趋势与阳光电源的核心技术路线高度契合。文章强调的宽禁带半导体（SiC/GaN）应用，直接指导阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan储能系统中的高功率密度设计；智能化控制与系统集成趋势，则为iSolarCloud平台的算法优化及构网型（GFM）技...
关于“双T型四电平变换器”的勘误
Corrections to “Dual T-Type Four-Level Converter” [Jun 20 5594-5600]
Jianfei Chen · Caisheng Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年7月
本文是对Chen和Wang提出的双T型四电平变换器及其变载波电压平衡方法的修正。文章进一步阐述了中间电容过放电导致电压不平衡的机理，并对原论文中的相关结论进行了实验验证与修正。
解读: 该研究涉及多电平拓扑的电容电压平衡控制，对阳光电源的高功率密度组串式逆变器及大型集中式逆变器研发具有重要参考价值。随着光伏系统向更高电压等级（如1500V/2000V）发展，多电平拓扑能有效降低器件电压应力并提升效率。该文提出的电压平衡机理分析可优化iSolarCloud平台的运维算法，提升逆变器在...
基于改进粒子群算法的永磁同步电机伺服系统设计
Design of Permanent Magnet Synchronous Motor Servo System Based on Improved Particle Swarm Optimization
Shuhua Fang · Yicheng Wang · Wei Wang · Youxu Chen 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月
本文提出了一种改进的混合粒子群优化（IHPSO）算法，用于解决永磁同步电机（PMSM）伺服系统控制器参数的优化问题。该算法引入了定向变异操作，通过固定部分粒子的位置，有效增强了算法的搜索能力，提升了控制系统的动态响应和稳态精度。
解读: 该研究关注电机控制算法的优化，对阳光电源的业务具有一定的参考价值。在阳光电源的产品线中，该算法可应用于风电变流器中的发电机侧控制，或储能系统及光伏逆变器内部的辅助电机驱动控制（如散热风扇控制）。通过引入改进的粒子群算法，可以进一步优化控制器的动态响应性能，降低系统损耗，提升变流器在复杂工况下的运行稳...
1700V平面栅SiC MOSFET在栅极开关不稳定性下的退化依赖性分析与建模
Degradation Dependency Analysis and Modeling of 1700 V Planar-Gate SiC MOSFETs Under Gate Switching Instability
Cen Chen · Zicheng Wang · Xuerong Ye · Yifan Hu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月
碳化硅（SiC）MOSFET在电力电子领域应用日益广泛，但栅极氧化层可靠性问题限制了其大规模应用。本文针对栅极开关不稳定性（GSI）导致的阈值电压漂移现象进行了深入研究，分析了其退化机理并建立了相应的预测模型，为提升高压功率器件的长期运行可靠性提供了理论支撑。
解读: 1700V SiC MOSFET是阳光电源高压组串式逆变器及PowerTitan系列液冷储能PCS的核心功率器件。随着系统电压等级向1500V及以上提升，栅极驱动的长期可靠性直接决定了产品的全生命周期性能。本文提出的GSI退化模型可指导阳光电源在驱动电路设计中优化栅极电压偏置策略，降低阈值电压漂移风...
基于p-GaN栅极的常关型GaN晶体管在桥臂电路中的开关瞬态分析
Switching Transient Analysis for Normally-off GaN Transistor With p-GaN Gate in a Phase-Leg Circuit
Ruiliang Xie · Xu Yang · Guangzhao Xu · Jin Wei 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年4月
本文研究了商用常关型p-GaN栅极高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性。分析了栅极区域肖特基结与p-GaN/AlGaN/GaN异质结的电学特性，探讨了p-GaN层在桥臂电路开关瞬态过程中的电位变化及其对器件动态性能的影响，为高频功率变换器的设计提供了理论支撑。
解读: 随着电力电子技术向高频化、高功率密度发展，GaN器件在阳光电源的户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中具有巨大的应用潜力。本文对p-GaN栅极GaN器件开关瞬态的深入分析，有助于研发团队优化驱动电路设计，抑制开关过程中的电压振荡与EMI问题，从而提升逆变器效率。建议在下一代高频化户用逆变器及便携式储能产...
一种采用SiC器件的高效率宽电压增益sLC_LCC DC-DC变换器
A High Efficiency and Wide Voltage Gain sLC_LCC DC–DC Converter With SiC Devices
Mengying Chen · Bo Chen · Ping Wang · Yifeng Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年2月
本文提出了一种新型sLC_LCC谐振DC-DC变换器。通过结合陷波滤波器与变压器sLC励磁结构，实现了宽且快速的增益调节。利用频率调制，该陷波滤波器结构使变换器理论上可实现从零开始的宽输出电压调节，并具备快速的电压增益响应能力。
解读: 该拓扑结构对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及光伏组串式逆变器具有重要参考价值。随着光伏组件电压范围拓宽及储能电池电压波动加剧，该sLC_LCC谐振变换器通过陷波滤波器实现宽增益调节，能有效提升DC-DC变换级的效率与功率密度。结合SiC器件的应用，可进一步降低开关...
可再生能源-氢-甲醇链中的价值共创：多市场背景下的复杂网络演化博弈
Value co-creation in the renewable energy-hydrogen-methanol chain: A complex network evolutionary game under multi-market contexts
Rong Shi · Yue Chen · Shuxia Yang · Xiongfei Wang · Applied Energy · 2026年4月 · Vol.409
本文构建多主体演化博弈模型，分析电力、氢能、甲醇跨市场环境下发电企业、制氢厂、甲醇合成商等主体的价值共创机制与协同演化路径，揭示政策激励、成本分摊与市场耦合对系统整体效率的影响。
解读: 该研究契合阳光电源‘光储氢一体化’战略，尤其支撑PowerTitan储能系统与ST系列PCS在绿氢制备场景中的源网荷氢协同调度应用。建议将演化博弈结果嵌入iSolarCloud平台，优化风光出力-电解槽启停-甲醇合成负荷的多时间尺度协同策略，并为PowerStack氢能专用PCS提供市场机制驱动的控...
一种降低计算负担的T型三相三电平逆变器改进模型预测电压控制
An Improved Model Predictive Voltage Control With Reduced Computational Burden for T-Type Three-Phase Three-Level Inverters
Youcheng Wang · Yong Yang · Shengwei Chen · Rong Chen 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年2月
针对带LC滤波器的三相三电平逆变器，传统有限集模型预测电压控制存在计算负担重、权重系数调节复杂及开关频率可变等问题。本文提出了一种基于最优开关序列的改进模型预测电压控制方案，有效解决了上述挑战。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及大型集中式逆变器产品线具有重要参考价值。T型三电平拓扑是阳光电源高性能光伏逆变器的核心技术路径之一。该研究提出的降低计算负担的MPC算法，能够显著提升控制器在复杂电网环境下的响应速度，同时通过优化开关序列改善谐波性能，有助于进一步提升阳光电源逆变器在弱电网下的并网稳定...
面向批发电力市场的多输电节点分布式能源资源聚合：最优节点聚合方法与可接纳容量扩展区域
Forming multi-transmission-node distributed energy resource aggregations in wholesale energy market: An optimal node aggregation approach and admissible capacity expansion regions
Weilun Wang · Xianbang Chen · Yikui Liu · Lei Wu · Applied Energy · 预计 2026年5月 · Vol.410
本文提出一种面向批发电力市场的分布式能源（DER）多节点聚合优化方法，定义可接纳容量扩展区域以支持DER规模化参与市场调度，提升系统灵活性与经济性。
解读: 该研究对阳光电源ST系列PCS、PowerTitan及iSolarCloud平台参与电力市场辅助服务具有直接参考价值。其多节点聚合建模与容量扩展区域界定方法，可支撑阳光电源构网型PCS在弱电网/高渗透率场景下提供调峰调频、惯量响应等增值服务；建议将算法嵌入iSolarCloud智能调度模块，协同组串...
一种小体积新型双复用软开关点
SOP）的控制与设计
Yutong Chen · Wu Chen · Haixi Zhao · Zewei Hao 等12人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月
软开关点（SOP）技术是配电网灵活功率调节的关键。针对现有SOP拓扑子模块数量多、效率低的问题，本文提出了一种适用于10kV中压配电网的紧凑型双复用SOP拓扑，旨在提升配电网互联的灵活性与系统集成度。
解读: 该研究提出的紧凑型中压SOP拓扑对阳光电源的储能系统（如PowerTitan系列）及电网侧解决方案具有重要参考价值。随着配电网向高比例可再生能源转型，SOP技术在提升电网柔性互联和功率调度方面潜力巨大。建议研发团队关注该拓扑在降低系统体积和提升转换效率方面的设计思路，这有助于优化阳光电源中压储能变流...
基于新型指标与分数阶灰色模型及无迹粒子滤波的电池剩余寿命预测
Remaining Useful Life Prediction of Battery Using a Novel Indicator and Framework With Fractional Grey Model and Unscented Particle Filter
Lin Chen · Jing Chen · Huimin Wang · Yijue Wang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年6月
锂离子电池是电动汽车供电的核心。准确预测电池剩余使用寿命（RUL）对于保障系统安全与可靠性至关重要。由于电池老化机制复杂，BMS进行RUL预测面临挑战。本文提出了一种基于新型退化指标的预测框架，结合分数阶灰色模型与无迹粒子滤波算法，有效提升了电池寿命预测的精度与鲁棒性。
解读: 该技术对阳光电源的储能业务（如PowerTitan、PowerStack系列）具有极高的应用价值。电池寿命预测是储能系统安全运维的核心，该算法可集成至iSolarCloud智能运维平台，通过更精准的RUL评估，优化电池簇的充放电策略，延长系统全生命周期收益。建议研发团队将该分数阶灰色模型与无迹粒子滤...
基于碳经济合约与履约感知调度的公平低碳车网互动
A fair and low-carbon V2G scheduling framework based on carbon-economic contracts and fulfillment-aware dispatch
Haiwen Chen · Xuelian Li · Xiaoxue Wang · Zhen Xin 等7人 · Applied Energy · 预计 2026年5月 · Vol.410
本文提出一种融合碳排放约束与经济激励的车网互动（V2G）调度框架，通过碳-经济双维度合约设计和考虑用户响应能力的履约感知调度算法，提升电网低碳性与用户公平性。
解读: 该研究对阳光电源ST系列双向储能变流器（PCS）及iSolarCloud平台拓展V2G聚合调控能力具有直接参考价值。其碳-经济合约机制可嵌入PowerTitan系统在光储充一体化电站中的智能调度策略；履约感知调度思想可增强组串式逆变器+充电桩协同场景下的负荷柔性调控精度。建议在iSolarCloud...
基于栅极雪崩阈值电压的高精度IGCT结温监测新方法
Novel IGCT Junction Temperature Monitoring Method With High Precision Based on Gate Avalanche Threshold Voltage
Han Wang · Chunpin Ren · Jiapeng Liu · Zhengyu Chen 等13人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
针对集成门极换流晶闸管（IGCT）的可靠性，本文提出了一种基于栅极雪崩阈值电压的结温监测新方法。传统温度敏感电参数（TSEP）方法因灵敏度低（<2 mV/K），精度仅达±5 K。该方法通过利用栅极雪崩特性，显著提升了结温监测的精度，为高功率电力电子器件的实时热状态监控提供了有效方案。
解读: IGCT主要应用于超大功率电力电子领域，如中高压大功率变流器。虽然阳光电源目前的主流产品（组串式/集中式逆变器、储能PCS）多采用IGBT或SiC模块，但该研究提出的高精度结温监测方法对于提升大功率电力电子设备的可靠性具有借鉴意义。建议研发团队关注该TSEP方法在IGBT模块上的迁移应用，通过提升功...
一种用于模块化多电平变换器且具有过压旁路功能的新型穿通型IGCT
A Novel Controlled Punch-Through IGCT for Modular Multilevel Converter With Overvoltage Bypass Function
Jiapeng Liu · Biao Zhao · Yongmin Chen · Wenpeng Zhou 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
传统功率器件在过压击穿及随后的高浪涌能量冲击下，难以保证封装完整性和短路特性。目前，模块化多电平变换器（MMC）的子模块通常需要额外的旁路晶闸管来实现稳定的过压旁路保护。本文提出了一种新型受控穿通型IGCT（CP-IGCT），旨在提升器件在极端工况下的可靠性与保护能力。
解读: 该技术对于阳光电源的大功率电力电子变换设备具有重要参考价值。在大型储能系统（如PowerTitan系列）及高压大功率集中式光伏逆变器中，MMC拓扑的应用日益广泛。CP-IGCT通过集成过压旁路功能，有望简化子模块电路设计，减少外部旁路晶闸管的使用，从而提升系统功率密度并降低故障率。建议研发团队关注该...
提升基于IGCT的高功率应用关断性能——第二部分：集成IGBT的混合开关与实验验证
Enhancing Turn-Off Performance in IGCT-Based High Power Applications—Part Ⅱ: Hybrid Switch With IGBT Integration and Experimental Validation
Lvyang Chen · Jiabin Wang · Xiangyu Zhang · Lin Wang 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月
集成门极换流晶闸管（IGCT）凭借低通态电压和高浪涌能力在高功率应用中极具潜力，但其电流控制特性限制了关断能力及故障电流处理能力。本文提出了一种集成IGBT的混合开关方案，通过实验验证了该方案在提升IGCT关断性能及系统故障处理能力方面的有效性。
解读: 该研究探讨了IGCT与IGBT混合开关技术，旨在解决高压大功率场景下的关断瓶颈。对于阳光电源而言，目前核心产品（如PowerTitan系列储能PCS及集中式光伏逆变器）主要基于IGBT或SiC模块。虽然IGCT目前在光储领域应用较少，但该混合开关技术为未来超大功率、高压直流（HVDC）及电网侧储能系...
肖特基p-GaN栅HEMT在UIS应力下动态导通电阻异常降低与恢复的研究
On the Abnormal Reduction and Recovery of Dynamic RON Under UIS Stress in Schottky p-GaN Gate HEMTs
Chao Liu · Xinghuan Chen · Ruize Sun · Jingxue Lai 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年8月
本文研究了肖特基p-GaN栅HEMT在非钳位感性开关（UIS）应力下的动态导通电阻（RON_dyn）异常降低与恢复现象。研究发现RON_dyn的降低与UIS峰值电压呈正相关。通过Sentaurus仿真揭示了其物理机制：UIS应力期间，冲击电离产生的电子-空穴对导致了器件内部电场与载流子分布的动态变化。
解读: GaN器件作为下一代功率半导体，在阳光电源的高功率密度户用逆变器及小型化充电桩产品中具有极高的应用潜力。该研究揭示了GaN器件在极端感性开关应力下的动态特性变化，对提升阳光电源产品的可靠性设计至关重要。建议研发团队在进行高频拓扑设计时，充分考虑UIS应力对器件动态导通电阻的影响，优化驱动电路与保护策...
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