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提升基于IGCT的高功率应用关断性能——第二部分:集成IGBT的混合开关与实验验证
Enhancing Turn-Off Performance in IGCT-Based High Power Applications—Part Ⅱ: Hybrid Switch With IGBT Integration and Experimental Validation
| 作者 | Lvyang Chen · Jiabin Wang · Xiangyu Zhang · Lin Wang · Zhengyu Chen · Biao Zhao · Jinpeng Wu · ZhanQing Yu · Lei Qi |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 储能变流器PCS |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGCT IGBT 混合开关 关断性能 高功率应用 故障电流处理 电力电子 |
语言:
中文摘要
集成门极换流晶闸管(IGCT)凭借低通态电压和高浪涌能力在高功率应用中极具潜力,但其电流控制特性限制了关断能力及故障电流处理能力。本文提出了一种集成IGBT的混合开关方案,通过实验验证了该方案在提升IGCT关断性能及系统故障处理能力方面的有效性。
English Abstract
Integrated gate-commutated thyristor (IGCT) is a promising device in high-power applications thanks to its low on-state voltage, large surge capacity and considerably low cost ratio. However, IGCT's current-controlled nature restricts its turn-off capability, which in turn limits the fault current handling ability in high-voltage direct current power systems. It has been identified that IGCT has t...
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SunView 深度解读
该研究探讨了IGCT与IGBT混合开关技术,旨在解决高压大功率场景下的关断瓶颈。对于阳光电源而言,目前核心产品(如PowerTitan系列储能PCS及集中式光伏逆变器)主要基于IGBT或SiC模块。虽然IGCT目前在光储领域应用较少,但该混合开关技术为未来超大功率、高压直流(HVDC)及电网侧储能系统的功率密度提升提供了技术储备。建议研发团队关注该拓扑在降低开关损耗与提升故障穿越能力方面的潜力,评估其在未来兆瓦级以上高压变流器中的应用可行性。