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一种易于实现的灵活换流设计,可降低高速大功率IGBT的开关损耗、$di/dt$和$dv/dt$

An Easy-to-Implement Flexible Commutation Design With Reduced Switching Losses, $di/dt$ and $dv/dt$ for High-Speed and High-Power IGBTs

作者 Yikang Xiao · Shiqi Ji · Mingyu Yang · Zhengming Zhao
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2025年9月
技术分类 功率器件技术
技术标签 IGBT 功率模块 光伏逆变器 储能变流器PCS
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 IGBT 开关损耗 di/dt dv/dt 功率变换器 电磁干扰 高速开关
语言:

中文摘要

针对高频大功率变换器中高速IGBT的开关损耗与电磁干扰(EMI)挑战,本文提出了一种易于实现的灵活换流设计。该方法在不增加复杂辅助电路的前提下,有效降低了开关损耗,并抑制了$di/dt$和$dv/dt$,为提升功率密度和系统效率提供了新方案。

English Abstract

The high-frequency and high-power operation of power converters has imposed stringent requirements on the switching loss and electromagnetic interference performance of power devices, particularly for the increasingly popular high-speed insulated-gate bipolar transistors (IGBTs). Conventional soft-switching techniques with snubbers encounter significant challenges in high-frequency and high-power ...
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SunView 深度解读

该技术对阳光电源的核心产品线具有显著价值。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器中,IGBT是核心功率器件。随着系统向高功率密度和高频化发展,开关损耗与EMI干扰(dv/dt)成为制约效率提升的关键瓶颈。该灵活换流设计无需复杂辅助电路,易于工程化落地,可直接优化逆变器及PCS的驱动电路设计,在提升整机效率的同时降低EMI滤波成本,有助于进一步增强阳光电源产品在严苛电网环境下的性能表现与可靠性。