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一种基于P-Sub/P-Epi技术的600V高压栅极驱动IC集成自举二极管仿真器
An Integrated Bootstrap Diode Emulator for 600-V High Voltage Gate Drive IC With P-Sub/P-Epi Technology
| 作者 | Jing Zhu · Weifeng Sun · Yunwu Zhang · Shengli Lu · Longxing Shi · Sheng Zhang · Wei Su |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2016年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 光伏逆变器 储能变流器PCS |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 自举二极管仿真器 高压栅极驱动IC BCD工艺 高压场效应管(HV-FET) 栅极控制电路 背栅控制 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文首次提出了一种基于P-Sub/P-Epi BCD工艺的集成自举二极管仿真器，包含高压FET、栅极控制及背栅控制电路。通过优化控制策略，在不增加额外复杂性的前提下，自举电容的充电时间缩短了约27%，有效提升了高压栅极驱动电路的性能。
English Abstract
An integrated bootstrap diode emulator, including the high voltage field-effect-transistor (HV-FET), the gate control circuit and the back-gate control circuit, is experimentally proposed base on p-sub/p-epi bipolar-CMOS-DMOS technology for the first time. By adopting the gate and the back-gate control circuits, the charging time of the bootstrap capacitor can be improved by about 27% without any ...
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SunView 深度解读
该技术直接优化了高压栅极驱动电路的核心组件，对阳光电源的组串式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）具有重要价值。在逆变器和PCS的功率级设计中，自举电路的充电效率直接影响开关管的驱动可靠性与开关频率上限。采用该集成仿真器技术，可有效缩短驱动电路的响应时间，降低驱动损耗，并提升系统在高频工作模式下的稳定性。建议研发团队评估该技术在下一代高功率密度逆变器驱动板中的应用，以进一步优化系统体积并提升整机效率。